公开(公告)号：US08969713B2

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：US13359606

申请日：2012-01-27

申请人： Min-Seok Oh ,  Jung-Tae Kim ,  Nam-Kyu Song ,  Min Park ,  Yun-Seok Lee ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Byoung-Kyu Lee ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo ,  Dong-Uk Choi ,  Dong-Seop Kim ,  Byoung-June Kim

发明人： Min-Seok Oh ,  Jung-Tae Kim ,  Nam-Kyu Song ,  Min Park ,  Yun-Seok Lee ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Byoung-Kyu Lee ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo ,  Dong-Uk Choi ,  Dong-Seop Kim ,  Byoung-June Kim

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/068 ,  H01L31/078 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0368

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/072 ,  H01L31/078 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

摘要： Disclosed herein is a photoelectric conversion device having a semiconductor substrate including a front side and back side, a protective layer formed on the front side of the semiconductor substrate, a first non-single crystalline semiconductor layer formed on the back side of the semiconductor substrate, a first conductive layer including a first impurity formed on a first portion of a back side of the first non-single crystalline semiconductor layer, and a second conductive layer including the first impurity and a second impurity formed on a second portion of the back side of the first non-single crystalline semiconductor layer.

摘要翻译： 这里公开了一种光电转换装置，其具有包括正面和背面的半导体衬底，形成在半导体衬底的正面上的保护层，形成在半导体衬底背面的第一非单晶半导体层， 第一导电层，包括形成在第一非单晶半导体层的背面的第一部分上的第一杂质，以及第二导电层，其包含第一杂质和第二杂质，所述第二杂质形成在第一非杂质半导体层的背面的第二部分上 第一非单晶半导体层。

公开(公告)号：US20100159633A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12642527

申请日：2009-12-18

申请人： Byoung-Kyu LEE ,  Se-Jin Chung ,  Byoung-June Kim ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Min-Seok Oh ,  Ku-Hyun Kang ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Min Park ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

发明人： Byoung-Kyu LEE ,  Se-Jin Chung ,  Byoung-June Kim ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Min-Seok Oh ,  Ku-Hyun Kang ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Min Park ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

IPC分类号： H01L21/326 ,  H01L31/02

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a method of manufacturing a photovoltaic device using a Joule heating-induced crystallization method. The method includes: forming a first conductive pattern on a substrate; forming a photoelectric conversion layer on the substrate having the first conductive pattern; and crystallizing at least part of the photoelectric conversion layer by applying an electric field to the photoelectric conversion layer, wherein the photoelectric conversion layer includes a first amorphous semiconductor layer containing first impurities, a second intrinsic, amorphous semiconductor layer, and a third amorphous semiconductor layer containing second impurities.

摘要翻译： 提供了使用焦耳加热诱导结晶法制造光伏器件的方法。 该方法包括：在衬底上形成第一导电图案; 在具有第一导电图案的基板上形成光电转换层; 以及通过向所述光电转换层施加电场而使所述光电转换层的至少一部分结晶，其中所述光电转换层包括含有第一杂质的第一非晶半导体层，第二本征非晶半导体层和第三非晶半导体层 含有第二杂质。

公开(公告)号：US20100154869A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12476645

申请日：2009-06-02

申请人： Min-Seok Oh ,  Jung-Tae Kim ,  Nam-Kyu Song ,  Min Park ,  Yun-Seok Lee ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Byoung-Kyu Lee ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo ,  Dong-Uk Choi ,  Dong-Seop Kim ,  Byoung-June Kim

发明人： Min-Seok Oh ,  Jung-Tae Kim ,  Nam-Kyu Song ,  Min Park ,  Yun-Seok Lee ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Byoung-Kyu Lee ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo ,  Dong-Uk Choi ,  Dong-Seop Kim ,  Byoung-June Kim

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/072 ,  H01L31/078 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

摘要： Disclosed herein is a photoelectric conversion device having a semiconductor substrate including a front side and back side, a protective layer formed on the front side of the semiconductor substrate, a first non-single crystalline semiconductor layer formed on the back side of the semiconductor substrate, a first conductive layer including a first impurity formed on a first portion of a back side of the first non-single crystalline semiconductor layer, and a second conductive layer including the first impurity and a second impurity formed on a second portion of the back side of the first non-single crystalline semiconductor layer.

摘要翻译： 这里公开了一种光电转换装置，其具有包括正面和背面的半导体衬底，形成在半导体衬底的正面上的保护层，形成在半导体衬底背面的第一非单晶半导体层， 第一导电层，包括形成在第一非单晶半导体层的背面的第一部分上的第一杂质，以及第二导电层，其包含第一杂质和第二杂质，所述第二杂质形成在第一非杂质半导体层的背面的第二部分上 第一非单晶半导体层。

公开(公告)号：US08802972B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US12476645

申请日：2009-06-02

申请人： Min-Seok Oh ,  Jung-Tae Kim ,  Nam-Kyu Song ,  Min Park ,  Yun-Seok Lee ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Byoung-Kyu Lee ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo ,  Dong-Uk Choi ,  Dong-Seop Kim ,  Byoung-June Kim

发明人： Min-Seok Oh ,  Jung-Tae Kim ,  Nam-Kyu Song ,  Min Park ,  Yun-Seok Lee ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Byoung-Kyu Lee ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo ,  Dong-Uk Choi ,  Dong-Seop Kim ,  Byoung-June Kim

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  H01L31/078

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/072 ,  H01L31/078 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

摘要： Disclosed herein is a photoelectric conversion device having a semiconductor substrate including a front side and back side, a protective layer formed on the front side of the semiconductor substrate, a first non-single crystalline semiconductor layer formed on the back side of the semiconductor substrate, a first conductive layer including a first impurity formed on a first portion of a back side of the first non-single crystalline semiconductor layer, and a second conductive layer including the first impurity and a second impurity formed on a second portion of the back side of the first non-single crystalline semiconductor layer.

摘要翻译： 这里公开了一种光电转换装置，其具有包括正面和背面的半导体衬底，形成在半导体衬底的正面上的保护层，形成在半导体衬底背面的第一非单晶半导体层， 第一导电层，包括形成在第一非单晶半导体层的背面的第一部分上的第一杂质，以及第二导电层，其包含第一杂质和第二杂质，所述第二杂质形成在第一非杂质半导体层的背面的第二部分上 第一非单晶半导体层。

公开(公告)号：US08354585B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US12582037

申请日：2009-10-20

申请人： Min-Seok Oh ,  Byoung-Kyu Lee ,  Min Park ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

发明人： Min-Seok Oh ,  Byoung-Kyu Lee ,  Min Park ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

摘要： A solar cell includes: a semiconductor substrate having a first surface and a second surface opposite the first surface; uneven patterns disposed on at least one of the first surface and the second surface of the semiconductor substrate; a first impurity layer disposed on the uneven patterns and which includes a first part having a first doping concentration and a second part having a second doping concentration greater than the first doping concentration; and a first electrode which contacts the second part of the first impurity layer and does not contact the first part of the first impurity layer.

摘要翻译： 太阳能电池包括：具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体衬底; 设置在半导体衬底的第一表面和第二表面中的至少一个上的不均匀图案; 设置在所述凹凸图案上的第一杂质层，其包括具有第一掺杂浓度的第一部分和具有大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二部分; 以及与第一杂质层的第二部分接触并且不接触第一杂质层的第一部分的第一电极。

公开(公告)号：US20100126569A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12582037

申请日：2009-10-20

申请人： Min-Seok Oh ,  Byoung-Kyu Lee ,  Min Park ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

发明人： Min-Seok Oh ,  Byoung-Kyu Lee ,  Min Park ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

摘要： A solar cell includes: a semiconductor substrate having a first surface and a second surface opposite the first surface; uneven patterns disposed on at least one of the first surface and the second surface of the semiconductor substrate; a first impurity layer disposed on the uneven patterns and which includes a first part having a first doping concentration and a second part having a second doping concentration greater than the first doping concentration; and a first electrode which contacts the second part of the first impurity layer and does not contact the first part of the first impurity layer.

摘要翻译： 太阳能电池包括：具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体衬底; 设置在半导体衬底的第一表面和第二表面中的至少一个上的不均匀图案; 设置在所述凹凸图案上的第一杂质层，其包括具有第一掺杂浓度的第一部分和具有大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二部分; 以及与第一杂质层的第二部分接触并且不接触第一杂质层的第一部分的第一电极。

公开(公告)号：US20100024871A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12399441

申请日：2009-03-06

申请人： Min-Seok Oh ,  Min Park ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Byoung-Kyu Lee ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

发明人： Min-Seok Oh ,  Min Park ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Byoung-Kyu Lee ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

摘要： A method of manufacturing a photovoltaic device includes preparing a semiconductor substrate having a light incidence surface receiving light and including single crystalline silicon, wet-etching the light incidence surface to form a plurality of first protrusions on the light incidence surface, dry etching a plurality of surfaces of the first protrusions to form a plurality of second protrusions on the plurality of surfaces of the first protrusions, and forming a semiconductor layer on the light incidence surface. The method further includes forming a first electrode on the semiconductor layer and forming a second electrode on a rear surface of the semiconductor substrate facing the light incidence surface.

摘要翻译： 一种制造光伏器件的方法包括：制备具有光入射表面并包含单晶硅的半导体衬底，湿式蚀刻光入射表面以在光入射表面上形成多个第一突起，干蚀刻多个 所述第一突起的表面在所述第一突起的多个表面上形成多个第二突起，并且在所述光入射表面上形成半导体层。 该方法还包括在半导体层上形成第一电极，并在与半导体衬底相对的光入射面的后表面上形成第二电极。

公开(公告)号：US08329500B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12642527

申请日：2009-12-18

申请人： Byoung-Kyu Lee ,  Se-Jin Chung ,  Byoung-June Kim ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Min-Seok Oh ,  Ku-Hyun Kang ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Min Park ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

发明人： Byoung-Kyu Lee ,  Se-Jin Chung ,  Byoung-June Kim ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Min-Seok Oh ,  Ku-Hyun Kang ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Min Park ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a method of manufacturing a photovoltaic device using a Joule heating-induced crystallization method. The method includes: forming a first conductive pattern on a substrate; forming a photoelectric conversion layer on the substrate having the first conductive pattern; and crystallizing at least part of the photoelectric conversion layer by applying an electric field to the photoelectric conversion layer, wherein the photoelectric conversion layer includes a first amorphous semiconductor layer containing first impurities, a second intrinsic, amorphous semiconductor layer, and a third amorphous semiconductor layer containing second impurities.

摘要翻译： 提供了使用焦耳加热诱导结晶法制造光伏器件的方法。 该方法包括：在衬底上形成第一导电图案; 在具有第一导电图案的基板上形成光电转换层; 以及通过向所述光电转换层施加电场而使所述光电转换层的至少一部分结晶，其中所述光电转换层包括含有第一杂质的第一非晶半导体层，第二本征非晶半导体层和第三非晶半导体层 含有第二杂质。

公开(公告)号：US20100013037A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12397129

申请日：2009-03-03

申请人： Min Park ,  Min-Seok Oh ,  Myung-Hun Shin ,  Czang-Ho Lee ,  Byoung-Kyu Lee ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

发明人： Min Park ,  Min-Seok Oh ,  Myung-Hun Shin ,  Czang-Ho Lee ,  Byoung-Kyu Lee ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

摘要： A method for manufacturing a solar cell is provided. The manufacturing method includes: depositing a transparent conductive layer on a substrate; patterning the transparent conductive layer; forming a semiconductor layer including deposited on the patterned transparent conductive layer; patterning the semiconductor layer; coating a metal powder on the patterned semiconductor layer; forming a rear electrode layer on the semiconductor layer coated with the metal powder; and patterning the rear electrode layer and the semiconductor layer. This method is useful for producing a solar cell with improved light absorption efficiency.

摘要翻译： 提供一种太阳能电池的制造方法。 制造方法包括：在基板上沉积透明导电层; 图案化透明导电层; 形成包括沉积在图案化的透明导电层上的半导体层; 图案化半导体层; 在图案化的半导体层上涂覆金属粉末; 在涂有金属粉末的半导体层上形成后电极层; 以及对后电极层和半导体层进行构图。 该方法对于制造具有改善的光吸收效率的太阳能电池是有用的。

公开(公告)号：US08294021B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12486654

申请日：2009-06-17

申请人： Min Park ,  Min-Seok Oh ,  Jung-Tae Kim ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Byoung-Kyu Lee ,  Ku-Hyun Kang ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

发明人： Min Park ,  Min-Seok Oh ,  Jung-Tae Kim ,  Czang-Ho Lee ,  Myung-Hun Shin ,  Byoung-Kyu Lee ,  Ku-Hyun Kang ,  Yuk-Hyun Nam ,  Seung-Jae Jung ,  Mi-Hwa Lim ,  Joon-Young Seo

IPC分类号： H02N6/00 ,  H01L31/042 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/548

摘要： A photovoltaic device and a manufacturing method thereof are provided. The photovoltaic device includes: a substrate; a first conductive layer formed on the substrate; P layers and N layers alternately formed along a first direction on the first conductive layer; and I layers covering the P layers and the N layers on the first conductive layer, wherein the P layers and the N layers are separated from each other by a first interval, the I layers are formed between the P layers and the N layers that are separated by the first interval, and the P layers, the I layers, and the N layers formed along the first direction form unit cells.

摘要翻译： 提供了一种光电器件及其制造方法。 光电器件包括：基板; 形成在所述基板上的第一导电层; 在第一导电层上沿着第一方向交替形成P层和N层; I层覆盖第一导电层上的P层和N层，其中P层和N层彼此分开第一间隔，I层形成在P层与N层之间 分离第一间隔，并且沿着第一方向形成的P层，I层和N层形成单位电池。