公开(公告)号：US4702792A

公开(公告)日：1987-10-27

申请号：US791862

申请日：1985-10-28

申请人： Ming-Fea Chow ,  William L. Guthrie ,  Frank B. Kaufman

发明人： Ming-Fea Chow ,  William L. Guthrie ,  Frank B. Kaufman

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H05K3/46 ,  C23F1/00 ,  H05K3/26

CPC分类号： H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76885 ,  H05K3/4644

摘要： The present invention discloses a method of forming fine conductive lines, patterns, and connectors, and is particularly useful in the formation of electronic devices. The method comprises a series of steps in which: a polymeric material is applied to a substrate; the polymeric material is patterned to form openings through, spaces within, or combinations thereof in the polymeric material; subsequently, conductive material is applied to the patterned polymeric material, so that it at least fills the openings and spaces existing in the polymeric material; and excess conductive material is removed from the exterior major surface of the polymeric material using chemical-mechanical polishing, to expose at least the exterior major surface of the polymeric material. The structure remaining has a planar exterior surface, wherein the conductive material filling the openings and spaces in the patterned polymeric material becomes features such as fine lines, patterns, and connectors which are surrounded by the polymeric material. The polymeric material may be left in place as an insulator or removed, leaving the conductive features on the substrate.

摘要翻译： 本发明公开了一种形成细导电线，图案和连接器的方法，并且在电子器件的形成中特别有用。 该方法包括一系列步骤，其中：将聚合物材料施加到基底上; 将聚合物材料图案化以在聚合物材料中形成开口，其内部或其组合; 随后，将导电材料施加到图案化聚合物材料上，使得其至少填充聚合物材料中存在的开口和空间; 并且使用化学机械抛光从多孔材料的外主表面除去过量的导电材料，以至少露出聚合材料的外表面。 剩余的结构具有平坦的外表面，其中填充图案化聚合物材料中的开口和空间的导电材料变成由聚合材料包围的特征，例如细线，图案和连接器。 聚合物材料可以作为绝缘体留在原位或移除，留下基底上的导电特征。

公开(公告)号：US4954142A

公开(公告)日：1990-09-04

申请号：US285435

申请日：1989-03-07

申请人： Jeffrey W. Carr ,  Lawrence D. David ,  William L. Guthrie ,  Frank B. Kaufman ,  William J. Patrick ,  Kenneth P. Rodbell ,  Robert W. Pasco ,  Anton Nenadic

发明人： Jeffrey W. Carr ,  Lawrence D. David ,  William L. Guthrie ,  Frank B. Kaufman ,  William J. Patrick ,  Kenneth P. Rodbell ,  Robert W. Pasco ,  Anton Nenadic

IPC分类号： B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L21/4871 ,  C09G1/02 ,  H01L21/4864

摘要： Disclosed is a method of chem-mech polishing an electronic component substrate. The method includes the following steps;obtaining a substrate having at least two features thereon or therein which have a different etch rate with respect to a particular etchant; andcontacting the substrate with a polishing pad while contacting the substrate with a slurry containing the etchant wherein the slurry includes abrasive particles, a transition metal chelated salt and a solvent for the salt.The chem-mech polishing causes the at least two features to be substantially coplanar. Also disclosed is the chem-mech polishing slurry.

摘要翻译： 公开了电子部件基板的化学研磨方法。 该方法包括以下步骤： 获得其上具有至少两个特征的衬底，其中相对于特定蚀刻剂具有不同的蚀刻速率; 以及使所述基板与抛光垫接触，同时使所述基板与含有所述蚀刻剂的浆料接触，其中所述浆料包括磨料颗粒，过渡金属螯合盐和所述盐的溶剂。 化学铣削使得至少两个特征基本上共面。 还公开了化学研磨浆料。

公开(公告)号：US4877718A

公开(公告)日：1989-10-31

申请号：US249393

申请日：1988-09-26

申请人： James A. Moore ,  Andrew N. Dasheff ,  Frank B. Kaufman

发明人： James A. Moore ,  Andrew N. Dasheff ,  Frank B. Kaufman

IPC分类号： C09D179/08 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/039 ,  Y10S430/107

摘要： An insoluble photosensitive polyimide having the formula ##STR1## can be exposed by a pattern of light to render the exposed areas soluble. The exposed areas can then be dissolved using a solvent to leave the pattern which can be used directly as an insulator layer in a semiconductor device. A process for preparing the photosensitive soluble polyimide utilizes maleic anhydride which is irradiated by ultraviolet light to form a cyclobutane unit which is reacted with oxydianiline to form polymic acid. The polymic acid is cured using heat into the photosensitive soluble polyimide.

公开(公告)号：US4886734A

公开(公告)日：1989-12-12

申请号：US240392

申请日：1988-09-26

申请人： James A. Moore ,  Andrew N. Dasheff ,  Frank B. Kaufman

发明人： James A. Moore ,  Andrew N. Dasheff ,  Frank B. Kaufman

IPC分类号： C08G73/10 ,  G03F7/039 ,  H01B3/30

CPC分类号： G03F7/039 ,  C08G73/105 ,  H01B3/306 ,  Y10S430/143

摘要： An insoluble electron beam positive polyimide having the formula ##STR1## can be exposed by an electron beam to render the exposed areas soluble. The exposed areas can then be dissolved using a solvent to leave the pattern which can be used directly as an insulator layer in a semiconductor device.

摘要翻译： 可以通过电子束曝光具有式“IMAGE”的不溶性电子束正性聚酰亚胺，使曝光区域变得可溶。 然后可以使用溶剂溶解暴露的区域，以留下可直接用作半导体器件中的绝缘体层的图案。

公开(公告)号：US4543319A

公开(公告)日：1985-09-24

申请号：US692010

申请日：1985-01-15

申请人： Vivian W. Chao ,  Frank B. Kaufman ,  Steven R. Kramer ,  Burn J. Lin

发明人： Vivian W. Chao ,  Frank B. Kaufman ,  Steven R. Kramer ,  Burn J. Lin

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/095 ,  G03C5/16

CPC分类号： G03F7/0388 ,  G03F7/095 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/168

摘要： A method is provided for providing a polystyrene-tetrathiafulvalene (PSTTF)/deep-ultraviolet hydrid system which combines the advantages of E-beam or X-ray lithography systems with those of deep-UV conformable printing to produce low bias, high aspect ratio resist images over the topography of microelectronic devices.

摘要翻译： 提供了一种提供聚苯乙烯 - 四硫富瓦烯（PSTTF）/深紫外线混合系统的方法，其将电子束或X射线光刻系统的优点与深UV适应印刷的优点相结合，以产生低偏压，高纵横比的抗蚀剂 在微电子器件的形貌上的图像。

公开(公告)号：US4360583A

公开(公告)日：1982-11-23

申请号：US216341

申请日：1980-12-15

申请人： Edward M. Engler ,  Frank B. Kaufman ,  Steven R. Kramer ,  Bruce A. Scott

发明人： Edward M. Engler ,  Frank B. Kaufman ,  Steven R. Kramer ,  Bruce A. Scott

IPC分类号： B41M5/26 ,  G03C1/73 ,  G03F7/004 ,  G11B7/244 ,  G03C1/00

CPC分类号： G11B7/244 ,  G03F7/004 ,  G11B7/253 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/146

摘要： The invention relates to high resolution video storage disks comprising a substrate having disposed thereon a film of a monofunctionalized substituted tetraheterofulvalene compound and a halocarbon. The tetraheterofulvalene compound can have the molecular formula ##STR1## where X can be S and/or Se R can be an alkyl group having from about 1 to about 8 carbon atoms or a benzyl group wherein said benzyl group can be a part of a polymer chain;and Y can be either an ester or an ether.

摘要翻译： 本发明涉及高分辨率视频存储盘，其包括其上设置有单官能取代的四异氟代戊烯化合物和卤代烃的膜的基底。 四元富瓦烯化合物可以具有其中X可以是S的分子式“IMA”，和/或SeR可以是具有约1至约8个碳原子的烷基或苄基，其中所述苄基可以是聚合物的一部分 链; Y可以是酯或醚。

公开(公告)号：US20090103993A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US12224902

申请日：2007-03-09

申请人： Clifford Spiro ,  George Steuer ,  Frank B. Kaufman

发明人： Clifford Spiro ,  George Steuer ,  Frank B. Kaufman

IPC分类号： B24B29/02 ,  B24B1/00 ,  B23B27/14

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B3/343 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  Y10T407/27 ,  Y10T428/24983

摘要： The invention is directed to a method for polishing a surface comprising tungsten carbide, comprising contacting a surface comprising tungsten carbide with an oxidizing agent, a polishing component, and a liquid carrier, and abrading at least a portion of the surface to polish the surface. The invention further provides a method for reconditioning a workpiece comprising tungsten carbide. The invention also provides a cutting tool insert having a highly polished surface.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于抛光包含碳化钨的表面的方法，包括使包含碳化钨的表面与氧化剂，抛光组分和液体载体接触，并研磨表面的至少一部分以抛光该表面。 本发明还提供了一种用于修复包括碳化钨的工件的方法。 本发明还提供了具有高抛光表面的切削刀具刀片。

公开(公告)号：US6062968A

公开(公告)日：2000-05-16

申请号：US062327

申请日：1998-04-17

申请人： Roland K. Sevilla ,  Frank B. Kaufman ,  Sriram P. Anjur

发明人： Roland K. Sevilla ,  Frank B. Kaufman ,  Sriram P. Anjur

IPC分类号： B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B41/047 ,  B24D3/32 ,  B24D13/14 ,  H01L21/304 ,  B24D7/22

CPC分类号： B24B37/24 ,  B24B37/22 ,  B24B41/047 ,  B24D3/32

摘要： A polishing pad for polishing a semiconductor wafer which includes an open-celled, porous substrate having sintered particles of synthetic resin. The porous substrate is a uniform, continuous and tortuous interconnected network of capillary passage.

摘要翻译： 一种用于抛光半导体晶片的抛光垫，其包括具有合成树脂烧结颗粒的开孔多孔基材。 多孔基材是均匀，连续且曲折的互连网络的毛细管通道。

公开(公告)号：US4155866A

公开(公告)日：1979-05-22

申请号：US899051

申请日：1978-04-24

申请人： Melvin Berkenblit ,  Dennis C. Green ,  Frank B. Kaufman ,  Arnold Reisman

发明人： Melvin Berkenblit ,  Dennis C. Green ,  Frank B. Kaufman ,  Arnold Reisman

IPC分类号： C23F1/10 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/302 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L21/02019 ,  H01L21/30608

摘要： A method for controlling the etch rate of a quaternary etchant comprising ethylene diamine, water, pyrocatechol and a diazine. The etching rate is catalyzed and controlled by controlling the amount of the diazine present in the etchant. A method for the controlled etching of silicon is also disclosed.

摘要翻译： 一种用于控制包含乙二胺，水，邻苯二酚和二嗪的四元蚀刻剂的蚀刻速率的方法。 通过控制蚀刻剂中存在的二嗪的量来催化和控制蚀刻速率。 还公开了一种用于硅的受控蚀刻的方法。

公开(公告)号：US08162723B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12224902

申请日：2007-03-09

申请人： Clifford Spiro ,  George Steuer ,  Frank B. Kaufman

发明人： Clifford Spiro ,  George Steuer ,  Frank B. Kaufman

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B3/343 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  Y10T407/27 ,  Y10T428/24983

摘要： The invention is directed to a method for polishing a surface comprising tungsten carbide, comprising contacting a surface comprising tungsten carbide with an oxidizing agent, a polishing component, and a liquid carrier, and abrading at least a portion of the surface to polish the surface. The invention further provides a method for reconditioning a workpiece comprising tungsten carbide. The invention also provides a cutting tool insert having a highly polished surface.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于抛光包含碳化钨的表面的方法，包括使包含碳化钨的表面与氧化剂，抛光组分和液体载体接触，并研磨表面的至少一部分以抛光该表面。 本发明还提供了一种用于修复包括碳化钨的工件的方法。 本发明还提供了具有高抛光表面的切削刀具刀片。