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    HIGH-VOLTAGE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE
    2.
    发明申请
    HIGH-VOLTAGE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    高压金属氧化物半导体器件

    公开(公告)号：US20120168862A1

    公开(公告)日：2012-07-05

    申请号：US13419443

    申请日：2012-03-14

    申请人： Ming-Cheng Lee ,  Tao Cheng ,  Ming-Tzong Yang

    发明人： Ming-Cheng Lee ,  Tao Cheng ,  Ming-Tzong Yang

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

    摘要： A high-voltage MOS transistor includes a gate overlying an active area of a semiconductor substrate; a drain doping region pulled back away from an edge of the gate by a distance L; a first lightly doped region between the gate and the drain doping region; a source doping region in a first ion well; and a second lightly doped region between the gate and the source doping region.

    摘要翻译： 高压MOS晶体管包括覆盖半导体衬底的有源区的栅极; 漏极掺杂区域从栅极的边缘拉回距离L; 在栅极和漏极掺杂区域之间的第一轻掺杂区域; 第一离子阱中的源极掺杂区; 以及在栅极和源极掺杂区域之间的第二轻掺杂区域。

    High-voltage metal-oxide-semiconductor device
    3.
    发明授权
    High-voltage metal-oxide-semiconductor device 有权
    高压金属氧化物半导体器件

    公开(公告)号：US08587056B2

    公开(公告)日：2013-11-19

    申请号：US13419443

    申请日：2012-03-14

    申请人： Ming-Cheng Lee ,  Tao Cheng ,  Ming-Tzong Yang

    发明人： Ming-Cheng Lee ,  Tao Cheng ,  Ming-Tzong Yang

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

    摘要： A high-voltage MOS transistor includes a gate overlying an active area of a semiconductor substrate; a drain doping region pulled back away from an edge of the gate by a distance L; a first lightly doped region between the gate and the drain doping region; a source doping region in a first ion well; and a second lightly doped region between the gate and the source doping region.

    摘要翻译： 高压MOS晶体管包括覆盖半导体衬底的有源区的栅极; 漏极掺杂区域从栅极的边缘拉回距离L; 在栅极和漏极掺杂区域之间的第一轻掺杂区域; 第一离子阱中的源极掺杂区; 以及在栅极和源极掺杂区域之间的第二轻掺杂区域。

    HIGH-VOLTAGE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE
    5.
    发明申请
    HIGH-VOLTAGE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    高压金属氧化物半导体器件

    公开(公告)号：US20100164018A1

    公开(公告)日：2010-07-01

    申请号：US12345676

    申请日：2008-12-30

    申请人： Ming-Cheng Lee ,  Tao Cheng ,  Ming-Tzong Yang

    发明人： Ming-Cheng Lee ,  Tao Cheng ,  Ming-Tzong Yang

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

    摘要： A high-voltage MOS transistor includes a gate overlying an active area of a semiconductor substrate; a drain doping region pulled back away from an edge of the gate by a distance L; a first lightly doped region between the gate and the drain doping region; a source doping region in a first ion well; and a second lightly doped region between the gate and the source doping region.

    摘要翻译： 高压MOS晶体管包括覆盖半导体衬底的有源区的栅极; 漏极掺杂区域从栅极的边缘拉回距离L; 在栅极和漏极掺杂区域之间的第一轻掺杂区域; 第一离子阱中的源极掺杂区; 以及在栅极和源极掺杂区域之间的第二轻掺杂区域。

    SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH MULTI-LAYER CONTACT ETCH STOP LAYER STRUCTURE
    7.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH MULTI-LAYER CONTACT ETCH STOP LAYER STRUCTURE 有权
    具有多层接触蚀刻停止层结构的半导体结构

    公开(公告)号：US20120112289A1

    公开(公告)日：2012-05-10

    申请号：US12940022

    申请日：2010-11-04

    申请人： Tien-Chang Chang ,  Jing-Hao Chen ,  Ming-Tzong Yang

    发明人： Tien-Chang Chang ,  Jing-Hao Chen ,  Ming-Tzong Yang

    IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L23/00

    CPC分类号： H01L21/823475 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

    摘要： A semiconductor device structure includes a substrate having a transistor thereon; a multi-layer contact etching stop layer (CESL) structure covering the transistor, the multi-layer CESL structure comprising a first CESL and a second CESL; and a dielectric layer on the second CESL. The first CESL is made of a material different from that of the second CESL, and the second CESL is made of a material different from that of the dielectric layer.

    摘要翻译： 半导体器件结构包括其上具有晶体管的衬底; 覆盖晶体管的多层接触蚀刻停止层（CESL）结构，包括第一CESL和第二CESL的多层CESL结构; 和第二CESL上的介电层。 第一个CESL由与第二个CESL不同的材料制成，而第二个CESL由与电介质层不同的材料制成。

    SEMICONDUCTOR CAPACITOR
    8.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR CAPACITOR 审中-公开
    半导体电容器

    公开(公告)号：US20090160019A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：US11960950

    申请日：2007-12-20

    申请人： Ming-Tzong Yang

    发明人： Ming-Tzong Yang

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01L29/94 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/86 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A capacitor structure is provided. The capacitor structure includes a plurality of first conductive lines paralleled disposed in a conductive layer on a substrate, wherein the first conductive lines are isolated to each other in the conductive layer and are grouped into a first electrode group and a second electrode group, an insulating layer formed on the first conductive lines and in the space between the first conductive lines, a second conductive line formed on the insulating layer electrically connected to the first conductive lines of the first electrode group, and a third conductive line formed on the insulating layer electrically connected to the first conductive lines of the second electrode group.

    摘要翻译： 提供电容器结构。 电容器结构包括多个平行布置在基板上的导电层中的第一导电线，其中第一导线在导电层中彼此隔离并分组为第一电极组和第二电极组，绝缘体 形成在第一导电线上和第一导线之间的空间中的第一导电线，形成在与第一电极组的第一导电线电连接的绝缘层上的第二导线，以及形成在绝缘层上的第三导线， 连接到第二电极组的第一导线。

    INTERCONNECTION STRUCTURE
    9.
    发明申请
    INTERCONNECTION STRUCTURE 审中-公开
    互连结构

    公开(公告)号：US20090057907A1

    公开(公告)日：2009-03-05

    申请号：US11847335

    申请日：2007-08-30

    申请人： Ming-Tzong Yang ,  Tien-Chang Chang

    发明人： Ming-Tzong Yang ,  Tien-Chang Chang

    IPC分类号： H01L23/52

    CPC分类号： H01L23/525 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An interconnection structure includes an inter-layer dielectric; a topmost copper metal layer inlaid into the inter-layer dielectric; an insulating layer disposed on the inter-layer dielectric and the topmost copper metal layer; a via opening in the insulating layer for exposing a top surface of the topmost copper metal layer, wherein the via opening consists of an inwardly tapered upper via portion and a lower via portion having a substantially vertical sidewall profile; and an aluminum layer filling into the via opening.

    摘要翻译： 互连结构包括层间电介质; 镶嵌在层间电介质中的最上面的铜金属层; 设置在层间电介质和最上层的铜金属层上的绝缘层; 所述绝缘层中的通孔开口用于暴露最上面的铜金属层的顶表面，其中所述通孔由具有基本上垂直的侧壁轮廓的向内锥形的上通孔部分和下通孔部分组成; 以及填充到通孔中的铝层。

    MEMORY STRUCTURE AND MEMORY DEVICE
    10.
    发明申请
    MEMORY STRUCTURE AND MEMORY DEVICE 审中-公开
    存储器结构和存储器件

    公开(公告)号：US20070257290A1

    公开(公告)日：2007-11-08

    申请号：US11778100

    申请日：2007-07-16

    申请人： Ming-Tzong Yang ,  Wan-Chun Liao ,  Sheng-Chin Lee ,  Hsiao-Lin Chen ,  Chien-Hao Lee ,  Shr-Wei Shiu

    发明人： Ming-Tzong Yang ,  Wan-Chun Liao ,  Sheng-Chin Lee ,  Hsiao-Lin Chen ,  Chien-Hao Lee ,  Shr-Wei Shiu

    IPC分类号： H01L29/94

    CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/84

    摘要： A memory structure, a memory device and a manufacturing method thereof are provided. First, a substrate is provided and a dielectric layer is formed over the substrate. Then, a pattern is formed in the dielectric layer. An amorphous silicon layer is formed in the pattern and over the dielectric layer. The amorphous silicon layer is patterned to form an electrode over the pattern. Then, a spacer is formed on the sidewall of the electrode. A selective hemispherical grains (HSGS) layer is formed over the surface of the electrode and the surface of the spacer.

    摘要翻译： 提供了存储器结构，存储器件及其制造方法。 首先，提供衬底并且在衬底上形成电介质层。 然后，在电介质层中形成图案。 在图案中并在电介质层上形成非晶硅层。 图案化非晶硅层以在图案上形成电极。 然后，在电极的侧壁上形成间隔物。 在电极的表面和间隔物的表面上形成选择性半球状晶粒（HSGS）层。