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    NICKEL ALLOY SILICIDE INCLUDING INDIUM AND A METHOD OF MANUFACTURE THEREFOR
    8.
    发明申请
    NICKEL ALLOY SILICIDE INCLUDING INDIUM AND A METHOD OF MANUFACTURE THEREFOR 有权
    镍合金硅胶包括其中的一种和其制造方法

    公开(公告)号：US20070049022A1

    公开(公告)日：2007-03-01

    申请号：US11551374

    申请日：2006-10-20

    申请人： Peijun Chen ,  Duofeng Yue ,  Amitabh Jain ,  Sue Crank ,  Thomas Bonifield ,  Homi Mogul

    发明人： Peijun Chen ,  Duofeng Yue ,  Amitabh Jain ,  Sue Crank ,  Thomas Bonifield ,  Homi Mogul

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： The invention provides a semiconductor device, a method of manufacture therefore and a method for manufacturing an integrated circuit including the same. The semiconductor device, among other elements, may include a gate structure located over a substrate, the gate structure including a gate dielectric layer and gate electrode layer. The semiconductor device may further include source/drain regions located in/over the substrate and adjacent the gate structure, and a nickel alloy silicide located in the source/drain regions, the nickel alloy silicide having an amount of indium located therein.

    摘要翻译： 本发明提供一种半导体器件，一种制造方法以及一种用于制造包括该半导体器件的集成电路的方法。 除了其他元件之外，半导体器件可以包括位于衬底上的栅极结构，栅极结构包括栅极电介质层和栅极电极层。 该半导体器件还可以包括位于衬底中或栅极结构附近的源极/漏极区域和位于源极/漏极区域中的镍合金硅化物，所述镍合金硅化物具有位于其中的铟的量。

    Metal-halogen physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction
    9.
    发明授权
    Metal-halogen physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction 有权
    用于半导体器件缺陷的金属卤素物理气相沉积

    公开(公告)号：US07208398B2

    公开(公告)日：2007-04-24

    申请号：US10903805

    申请日：2004-07-30

    申请人： Peijun J. Chen ,  Duofeng Yue ,  Douglas E. Mercer ,  Noel Russell

    发明人： Peijun J. Chen ,  Duofeng Yue ,  Douglas E. Mercer ,  Noel Russell

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

    摘要： The present invention provides a method of manufacturing a metal silicide electrode (100) for a semiconductor device (110). The method comprises depositing by physical vapor deposition, halogen atoms (120) and transition metal atoms (130) to form a halogen-containing metal layer (140) on a semiconductor substrate (150). The halogen-containing metal layer and the semiconductor substrate are reacted to form a metal silicide electrode. Other aspects of the present invention include a method of manufacturing an integrated circuit (400) comprising the metal silicide electrode.

    摘要翻译： 本发明提供一种制造用于半导体器件（110）的金属硅化物电极（100）的方法。 该方法包括通过物理气相沉积沉积卤素原子（120）和过渡金属原子（130）以在半导体衬底（150）上形成含卤素的金属层（140）。 使含卤素金属层和半导体基板反应形成金属硅化物电极。 本发明的其它方面包括制造包括金属硅化物电极的集成电路（400）的方法。