公开(公告)号：US08129695B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12647950

申请日：2009-12-28

申请人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair ,  Victor Benveniste ,  Jun Lu

发明人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair ,  Victor Benveniste ,  Jun Lu

IPC分类号： G21K1/06

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/1477 ,  H01J2237/053 ,  H01J2237/12 ,  H01J2237/24514

摘要： A method and apparatus for controlling deflection, deceleration, and focus of an ion beam are disclosed. The apparatus may include a graded deflection/deceleration lens including a plurality of upper and lower electrodes disposed on opposite sides of an ion beam, as well as a control system for adjusting the voltages applied to the electrodes. The difference in potential between pairs of upper and lower electrodes are varied using a set of “virtual knobs” that are operable to independently control deflection and deceleration of the ion beam. The virtual knobs include control of beam focus and residual energy contamination, control of upstream electron suppression, control of beam deflection, and fine tuning of the final deflection angle of the beam while constraining the beam's position at the exit of the lens. In one embodiment, this is done by fine tuning beam deflection while constraining the beam position at the exit of the VEEF. In another embodiment, this is done by fine tuning beam deflection while measuring the beam position and angle at the wafer plane. In a further embodiment, this is done by tuning a deflection factor to achieve a centered beam at the wafer plane.

摘要翻译： 公开了一种用于控制离子束的偏转，减速和聚焦的方法和装置。 该装置可以包括梯度偏转/减速透镜，其包括设置在离子束的相对侧上的多个上下电极，以及用于调节施加到电极的电压的控制系统。 使用一组“虚拟旋钮”来改变上下电极对之间的电位差，可以独立地控制离子束的偏转和减速。 虚拟旋钮包括对束聚焦和剩余能量污染的控制，上游电子抑制的控制，光束偏转的控制以及光束的最终偏转角的微调，同时约束光束在透镜出射处的位置。 在一个实施例中，这是通过微调光束偏转来实现的，同时约束在VEEF的出口处的光束位置。 在另一个实施例中，这是通过在测量晶片平面处的光束位置和角度时微调光束偏转来完成的。 在另一个实施例中，这通过调整偏转因子来实现在晶圆平面处的中心束。

公开(公告)号：US20110155921A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12647950

申请日：2009-12-28

申请人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair ,  Victor Benveniste ,  Jun Lu

发明人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair ,  Victor Benveniste ,  Jun Lu

IPC分类号： G21K1/06 ,  H01J3/14

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/1477 ,  H01J2237/053 ,  H01J2237/12 ,  H01J2237/24514

摘要： A method and apparatus for controlling deflection, deceleration, and focus of an ion beam are disclosed. The apparatus may include a graded deflection/deceleration lens including a plurality of upper and lower electrodes disposed on opposite sides of an ion beam, as well as a control system for adjusting the voltages applied to the electrodes. The difference in potential between pairs of upper and lower electrodes are varied using a set of “virtual knobs” that are operable to independently control deflection and deceleration of the ion beam. The virtual knobs include control of beam focus and residual energy contamination, control of upstream electron suppression, control of beam deflection, and fine tuning of the final deflection angle of the beam while constraining the beam's position at the exit of the lens. In one embodiment, this is done by fine tuning beam deflection while constraining the beam position at the exit of the VEEF. In another embodiment, this is done by fine tuning beam deflection while measuring the beam position and angle at the wafer plane. In a further embodiment, this is done by tuning a deflection factor to achieve a centered beam at the wafer plane.

摘要翻译： 公开了一种用于控制离子束的偏转，减速和聚焦的方法和装置。 该装置可以包括梯度偏转/减速透镜，其包括设置在离子束的相对侧上的多个上下电极，以及用于调节施加到电极的电压的控制系统。 使用一组“虚拟旋钮”来改变上下电极对之间的电位差，可以独立地控制离子束的偏转和减速。 虚拟旋钮包括对束聚焦和剩余能量污染的控制，上游电子抑制的控制，光束偏转的控制以及光束的最终偏转角的微调，同时约束光束在透镜出射处的位置。 在一个实施例中，这是通过微调光束偏转来实现的，同时约束在VEEF的出口处的光束位置。 在另一个实施例中，这是通过在测量晶片平面处的光束位置和角度时微调光束偏转来完成的。 在另一个实施例中，这通过调整偏转因子来实现在晶圆平面处的中心束。

公开(公告)号：US07151658B2

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：US10420329

申请日：2003-04-22

申请人： Peter L. Kellerman ,  Victor Benveniste ,  Michel Pharand ,  Dale K. Stone

发明人： Peter L. Kellerman ,  Victor Benveniste ,  Michel Pharand ,  Dale K. Stone

IPC分类号： H02N13/00

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H02N13/00

摘要： An electrostatic clamp for securing a semiconductor wafer during processing. The electrostatic clamp includes a base member, a first dielectric layer, a second dielectric layer having a gas pressure distribution micro-groove network formed therein, a gas gap positioned between a backside of a semiconductor wafer and the second dielectric layer, and a pair of high voltage electrodes positioned between the first dielectric layer and the second dielectric layer.

摘要翻译： 一种用于在加工过程中固定半导体晶片的静电夹。 静电夹具包括：基座部件，第一电介质层，形成有气体压力分布微槽网络的第二电介质层，位于半导体晶片的背面和第二电介质层之间的气隙，以及一对 位于第一介电层和第二介电层之间的高压电极。

公开(公告)号：US08475591B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US12539125

申请日：2009-08-11

申请人： Peter L. Kellerman ,  Fredrick Carlson ,  Frank Sinclair

发明人： Peter L. Kellerman ,  Fredrick Carlson ,  Frank Sinclair

IPC分类号： C30B15/20

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B11/001 ,  C30B11/003 ,  C30B28/06 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/52 ,  C30B29/64 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1024

摘要： A method and apparatus for forming a sheet are disclosed. A melt is cooled and a sheet is formed on the melt. This sheet has a first thickness. The sheet is then thinned from the first thickness to a second thickness using, for example, a heater or the melt. The cooling may be configured to allow solutes to be trapped in a region of the sheet and this particular sheet may be thinned and the solutes removed. The melt may be, for example, silicon, silicon and germanium, gallium, or gallium nitride.

摘要翻译： 公开了一种用于形成片材的方法和装置。 将熔体冷却并在熔体上形成片材。 该片材具有第一厚度。 然后使用例如加热器或熔体将片材从第一厚度变薄至第二厚度。 冷却可以被配置为允许溶质被捕获在片材的区域中，并且该特定片材可以变薄并且去除溶质。 熔体可以是例如硅，硅和锗，镓或氮化镓。

公开(公告)号：US20110271901A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US13187039

申请日：2011-07-20

申请人： Peter L. Kellerman ,  Frederick Carlson ,  Frank Sinclair

发明人： Peter L. Kellerman ,  Frederick Carlson ,  Frank Sinclair

IPC分类号： C30B35/00 ,  C30B15/06 ,  C30B11/02

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B11/001 ,  C30B28/06 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/403 ,  C30B29/64 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10S588/90 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092

摘要： A melt of a material is cooled and a sheet of the material is formed in the melt. This sheet is transported, cut into at least one segment, and cooled in a cooling chamber. The material may be Si, Si and Ge, Ga, or GaN. The cooling is configured to prevent stress or strain to the segment. In one instance, the cooling chamber has gas cooling.

摘要翻译： 将材料的熔体冷却，并在熔体中形成一片材料。 将该片材运输，切割成至少一个片段，并在冷却室中冷却。 该材料可以是Si，Si和Ge，Ga或GaN。 冷却配置为防止应力或应变。 在一种情况下，冷却室具有气体冷却。

公开(公告)号：US07855087B2

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：US12403206

申请日：2009-03-12

申请人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair

发明人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/02 ,  C30B15/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/30 ,  C30B28/10 ,  C30B29/06

摘要： This sheet production apparatus comprises a vessel defining a channel configured to hold a melt. The melt is configured to flow from a first point to a second point of the channel. A cooling plate is disposed proximate the melt and is configured to form a sheet on the melt. A spillway is disposed at the second point of the channel. This spillway is configured to separate the sheet from the melt.

摘要翻译： 该片材生产设备包括限定被配置为保持熔体的通道的容器。 熔体构造成从通道的第一点流到第二点。 冷却板靠近熔体设置并且被配置成在熔体上形成片材。 溢流道设置在通道的第二点。 该溢流道构造成将片材与熔体分离。

公开(公告)号：US20090231597A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12403200

申请日：2009-03-12

申请人： Christopher A. ROWLAND ,  Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair ,  Julian G. Blake ,  Nicholas P.T. Bateman

发明人： Christopher A. ROWLAND ,  Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair ,  Julian G. Blake ,  Nicholas P.T. Bateman

IPC分类号： G01B11/02

CPC分类号： G01B21/12

摘要： A sheet measurement apparatus has a sheet disposed in a melt. The measurement system uses a beam to determine a dimension of the sheet. This dimension may be, for example, height or width. The beam may be, for example, collimated light, a laser, x-rays, or gamma rays. The production of the sheet may be altered based on the measurements.

摘要翻译： 片材测量装置具有设置在熔体中的片材。 测量系统使用光束来确定纸张的尺寸。 该尺寸可以是例如高度或宽度。 光束可以是例如准直光，激光，X射线或γ射线。 可以基于测量来改变片材的生产。

公开(公告)号：US08226903B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US13187039

申请日：2011-07-20

申请人： Peter L. Kellerman ,  Frederick Carlson ,  Frank Sinclair

发明人： Peter L. Kellerman ,  Frederick Carlson ,  Frank Sinclair

IPC分类号： B01D11/02

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B11/001 ,  C30B28/06 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/403 ,  C30B29/64 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10S588/90 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092

摘要： A melt of a material is cooled and a sheet of the material is formed in the melt. This sheet is transported, cut into at least one segment, and cooled in a cooling chamber. The material may be Si, Si and Ge, Ga, or GaN. The cooling is configured to prevent stress or strain to the segment. In one instance, the cooling chamber has gas cooling.

摘要翻译： 将材料的熔体冷却，并在熔体中形成一片材料。 将该片材运输，切割成至少一个片段，并在冷却室中冷却。 该材料可以是Si，Si和Ge，Ga或GaN。 冷却配置为防止应力或应变。 在一种情况下，冷却室具有气体冷却。

公开(公告)号：US20110117234A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12948248

申请日：2010-11-17

申请人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair

发明人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair

IPC分类号： C30B28/10 ,  B28B11/14

CPC分类号： H01L31/02 ,  C30B15/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/30 ,  C30B28/10 ,  C30B29/06

摘要： This sheet production apparatus comprises a vessel defining a channel configured to hold a melt. The melt is configured to flow from a first point to a second point of the channel. A cooling plate is disposed proximate the melt and is configured to form a sheet on the melt. A spillway is disposed at the second point of the channel. This spillway is configured to separate the sheet from the melt.

摘要翻译： 该片材生产设备包括限定被配置为保持熔体的通道的容器。 熔体构造成从通道的第一点流到第二点。 冷却板靠近熔体设置并且被配置成在熔体上形成片材。 溢流道设置在通道的第二点。 该溢流道构造成将片材与熔体分离。

公开(公告)号：US20090315220A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12487058

申请日：2009-06-18

申请人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair ,  Frederick Carlson

发明人： Peter L. Kellerman ,  Frank Sinclair ,  Frederick Carlson

IPC分类号： B29C39/02 ,  B67D5/54 ,  B22D29/00

CPC分类号： B22D39/02 ,  C30B11/001 ,  C30B11/003 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60

摘要： An apparatus to pump a melt is disclosed. The pump has a chamber that defines a cavity configured to hold the melt. A gas source is in fluid communication with the chamber. A first valve is between the chamber and a first pipe and a second valve is between the chamber and a second pipe. The valves may be check valves in one embodiment.

摘要翻译： 公开了一种用于泵送熔体的装置。 泵具有限定被配置为保持熔体的腔的腔室。 气体源与腔室流体连通。 第一阀在腔室和第一管之间，第二阀在腔室和第二管之间。 在一个实施例中，阀可以是止回阀。