公开(公告)号：US20080049379A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11924716

申请日：2007-10-26

申请人： Peter Van Buskirk ,  Jeffrey Roeder ,  Steven Bilodeau ,  Michael Russell ,  Stephen Johnston ,  Daniel Vestyck ,  Thomas Baum

发明人： Peter Van Buskirk ,  Jeffrey Roeder ,  Steven Bilodeau ,  Michael Russell ,  Stephen Johnston ,  Daniel Vestyck ,  Thomas Baum

IPC分类号： H01G4/12 ,  B05D5/12 ,  C04B35/00

CPC分类号： C07C49/92 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/963 ,  C07F7/003 ,  C23C16/409 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

摘要： A novel lead zirconium titanate (PZT) material having unique properties and application for PZT thin film capacitors and ferroelectric capacitor structures, e.g., FeRAMs, employing such thin film material. The PZT material is scalable, being dimensionally scalable, pulse length scalable and/or E-field scalable in character, and is useful for ferroelectric capacitors over a wide range of thicknesses, e.g., from about 20 nanometers to about 150 nanometers, and a range of lateral dimensions extending to as low as 0.15 μm. Corresponding capacitor areas (i.e., lateral scaling) in a preferred embodiment are in the range of from about 104 to about 10−2 μm. The scalable PZT material of the invention may be formed by liquid delivery MOCVD, without PZT film modification techniques such as acceptor doping or use of film modifiers (e.g., Nb, Ta, La, Sr, Ca and the like).

摘要翻译： 一种新颖的钛酸铅锆（PZT）材料，具有独特的性能和应用于PZT薄膜电容器和铁电电容器结构，例如采用这种薄膜材料的FeRAM。 PZT材料是可扩展的，尺寸可缩放的，脉冲长度可伸缩的和/或电场可扩展的特征，并且在宽范围的厚度例如约20纳米至约150纳米的范围内对于铁电电容器是有用的，并且范围 的横向尺寸延伸到低至0.15毫米。 在优选实施例中，对应的电容器面积（即横向缩放）在大约10 4至大约10至2的范围内。 本发明的可扩展的PZT材料可以通过液体输送MOCVD形成，而不需要PZT膜修饰技术，例如受体掺杂或使用膜改性剂（例如，Nb，Ta，La，Sr，Ca等）。

公开(公告)号：US20060115596A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11328582

申请日：2006-01-10

申请人： Peter Buskirk ,  Jeffrey Roeder ,  Steven Bilodeau ,  Michael Russell ,  Stephen Johnston ,  Daniel Vestyck ,  Thomas Baum

发明人： Peter Buskirk ,  Jeffrey Roeder ,  Steven Bilodeau ,  Michael Russell ,  Stephen Johnston ,  Daniel Vestyck ,  Thomas Baum

IPC分类号： C07F7/30 ,  C07F7/22 ,  C07F7/28

CPC分类号： C07C49/92 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/963 ,  C07F7/003 ,  C23C16/409 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

摘要： A novel lead zirconium titanate (PZT) material having unique properties and application for PZT thin film capacitors and ferroelectric capacitor structures, e.g., FeRAMs, employing such thin film material. The PZT material is scalable, being dimensionally scalable, pulse length scalable and/or E-field scalable in character, and is useful for ferroelectric capacitors over a wide range of thicknesses, e.g., from about 20 nanometers to about 150 nanometers, and a range of lateral dimensions extending to as low as 0.15 μm. Corresponding capacitor areas (i.e., lateral scaling) in a preferred embodiment are in the range of from about 104 to about 10−2 μm2. The scalable PZT material of the invention may be formed by liquid delivery MOCVD, without PZT film modification techniques such as acceptor doping or use of film modifiers (e.g., Nb, Ta, La, Sr, Ca and the like).

公开(公告)号：US20050013936A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10619785

申请日：2003-07-15

申请人： Alexander Borovik ,  Chongying Xu ,  Thomas Baum ,  Steven Bilodeau ,  Jeffrey Roeder ,  Abigail Ebbing ,  Daniel Vestyck

发明人： Alexander Borovik ,  Chongying Xu ,  Thomas Baum ,  Steven Bilodeau ,  Jeffrey Roeder ,  Abigail Ebbing ,  Daniel Vestyck

IPC分类号： C07F7/18 ,  C09D4/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/00 ,  C07F7/04

CPC分类号： C23C16/401 ,  C07F7/0814 ,  C07F7/1804 ,  C09D4/00 ,  C08G77/04

摘要： An organosilicon precursor for vapor deposition, e.g., low pressure (

摘要翻译： 一种用于气相沉积的有机硅前体，例如低k（高于100托）的低k高强度电介质膜的等离子体增强化学气相沉积（PECVD），其中所述前体包括以下中的至少一种：（i） 侧链环氧乙烷基官能团; 和（ii）下式的二甲硅烷基部分，其中x是0至4的整数，包括端值在内。 这些前体可用于形成绝缘膜的介电常数约为3以下，硬度超过1吉比帕斯卡。

公开(公告)号：US20080048148A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11926088

申请日：2007-10-28

申请人： Alexander Borovik ,  Chongying Xu ,  Thomas Baum ,  Steven Bilodeau ,  Jeffrey Roeder ,  Abigail Ebbing ,  Daniel Vestyck

发明人： Alexander Borovik ,  Chongying Xu ,  Thomas Baum ,  Steven Bilodeau ,  Jeffrey Roeder ,  Abigail Ebbing ,  Daniel Vestyck

IPC分类号： C09K3/00 ,  C07D303/02

CPC分类号： C23C16/401 ,  C07F7/0814 ,  C07F7/1804 ,  C09D4/00 ,  C08G77/04

摘要： An organosilicon precursor for vapor deposition, e.g., low pressure (

摘要翻译： 一种用于气相沉积的有机硅前体，例如低k（高于100托）的低k高强度电介质膜的等离子体增强化学气相沉积（PECVD），其中所述前体包括以下中的至少一种：（i） 侧链环氧乙烷基官能团; 和（ii）下式的二甲硅烷基部分，其中x是0至4的整数，包括端值在内。 这些前体可用于形成绝缘膜的介电常数约为3以下，硬度超过1吉比帕斯卡。

公开(公告)号：US20060134897A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11318747

申请日：2005-12-24

申请人： Alexander Borovik ,  Chongying Xu ,  Thomas Baum ,  Steven Bilodeau ,  Jeffrey Roeder ,  Abigail Ebbing ,  Daniel Vestyck

发明人： Alexander Borovik ,  Chongying Xu ,  Thomas Baum ,  Steven Bilodeau ,  Jeffrey Roeder ,  Abigail Ebbing ,  Daniel Vestyck

IPC分类号： H01L21/20 ,  C07F7/02

CPC分类号： C23C16/401 ,  C07F7/0814 ,  C07F7/1804 ,  C09D4/00 ,  C08G77/04

摘要： An organosilicon precursor for vapor deposition, e.g., low pressure (

公开(公告)号：US20060108623A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11324692

申请日：2005-12-31

申请人： Peter Buskirk ,  Steven Bilodeau ,  Stephen Johnston ,  Daniel Vestyck ,  Michael Russell

发明人： Peter Buskirk ,  Steven Bilodeau ,  Stephen Johnston ,  Daniel Vestyck ,  Michael Russell

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

摘要： A method of preventing oxygen deficiency in a ferroelectric or high ε film material having a top electrode layer deposited thereon. Process conditions are employed that either enable the top electrode layer to be formed without oxygen abstraction from the ferroelectric or high ε film material in the vicinity and at the top surface thereof, or else provide the ferroelectric or high ε film material in the vicinity and at the top surface thereof with a surplus of oxygen. In the latter case, the deposition formation of the top electrode layer on the ferroelectric or high ε film material depletes the over-stoichiometric excess of the oxygen in the film material, to yield a device structure including an electrode on a film material having a proper stoichiometry, e.g., of PbZrTiO3.

摘要翻译： 一种防止在其上沉积有顶电极层的铁电或高ε膜材料中的缺氧的方法。 采用这样的工艺条件，即使顶部电极层能够形成，而不会在附近和其顶部表面处从铁电或高ε薄膜材料中抽出氧，或者在邻近和在其顶部提供铁电或高ε薄膜材料 其顶部表面具有多余的氧气。 在后一种情况下，在铁电或高ε薄膜材料上的顶部电极层的沉积形成消耗了薄膜材料中超过化学计量的过量的氧，从而产生一种器件结构，该器件结构包括具有适当的薄膜材料的电极 化学计量，例如PbZrTiO 3 3。

公开(公告)号：US07022864B2

公开(公告)日：2006-04-04

申请号：US10619785

申请日：2003-07-15

申请人： Alexander S. Borovik ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Steven Bilodeau ,  Jeffrey F. Roeder ,  Abigail Ebbing ,  Daniel Vestyck

发明人： Alexander S. Borovik ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Steven Bilodeau ,  Jeffrey F. Roeder ,  Abigail Ebbing ,  Daniel Vestyck

IPC分类号： C07F7/18 ,  B05D5/12 ,  H05H1/42

CPC分类号： C23C16/401 ,  C07F7/0814 ,  C07F7/1804 ,  C09D4/00 ,  C08G77/04

摘要： An organosilicon precursor for vapor deposition, e.g., low pressure (

摘要翻译： 一种用于气相沉积的有机硅前体，例如低k（高于100托）的低k高强度电介质膜的等离子体增强化学气相沉积（PECVD），其中所述前体包括以下中的至少一种：（i） 侧链环氧乙烷基官能团; 和（ii）下式的二甲硅烷基部分，其中x是0至4的整数，包括端值在内。 这些前体可用于形成绝缘膜的介电常数约为3以下，硬度超过1吉比帕斯卡。