公开(公告)号：US20090039458A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US11837127

申请日：2007-08-10

申请人： Philip Stopford ,  Henry Heidemeyer ,  Hans-Peter Moll ,  Olaf Storbeck ,  Regina Hayn ,  Wieland Pethe

发明人： Philip Stopford ,  Henry Heidemeyer ,  Hans-Peter Moll ,  Olaf Storbeck ,  Regina Hayn ,  Wieland Pethe

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76237

摘要： A method of fabricating an integrated device on a substrate with an exposed surface region is disclosed. One embodiment provides introducing a first component into the exposed surface region of the substrate. A material is provided on the exposed surface region. The material on the exposed surface region is cured and the first component release from the exposed surface region of the substrate.

摘要翻译： 公开了一种在具有暴露表面区域的基板上制造集成器件的方法。 一个实施例提供了将第一组分引入衬底的暴露表面区域。 在暴露的表面区域上提供材料。 暴露表面区域上的材料被固化，并且第一组分从基底的暴露表面区域释放。

公开(公告)号：US20080044986A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11465575

申请日：2006-08-18

申请人： Olaf Storbeck ,  Wieland Pethe

发明人： Olaf Storbeck ,  Wieland Pethe

IPC分类号： H01L21/477

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L27/10841 ,  H01L27/10864 ,  H01L29/517

摘要： A method of decreasing the density of dielectric interface traps in an integrated circuit device. In accordance with the teachings of the present invention, the method includes providing a semiconductor substrate, processing the semiconductor substrate to form an integrated circuit device, such as a field effect transistor including forming a dielectric layer, and heating the dielectric layer in an atmosphere comprising at least one gaseous halogen compound.

摘要翻译： 一种降低集成电路器件中介质界面阱的密度的方法。 根据本发明的教导，所述方法包括提供半导体衬底，处理半导体衬底以形成集成电路器件，例如包括形成电介质层的场效应晶体管，以及在包括 至少一种气态卤素化合物。

公开(公告)号：US20070105262A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11270820

申请日：2005-11-10

申请人： Albert Birner ,  Andreas Weber ,  Olaf Storbeck ,  Michael Stadtmueller ,  Wieland Pethe

发明人： Albert Birner ,  Andreas Weber ,  Olaf Storbeck ,  Michael Stadtmueller ,  Wieland Pethe

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76801 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10894

摘要： An integrated circuit, which is formed on a semiconductor substrate and which comprises front-end-of-line processed electronic elements and a back-end-of-line processed wiring on top of the electronic elements. The wiring interconnects the electronic elements. The integrated circuit further comprises a highly UV-absorbing layer between the electronic elements and the wiring.

摘要翻译： 一种集成电路，其形成在半导体衬底上并且包括前端处理电子元件和在电子元件顶部的后端处理线。 布线将电子元件互连。 集成电路还包括在电子元件和布线之间的高度紫外线吸收层。

公开(公告)号：US09252300B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13464365

申请日：2012-05-04

申请人： Wieland Pethe ,  Harald Hahn ,  Kristian Schlegel ,  Torsten Weber ,  Martin Kutzer

发明人： Wieland Pethe ,  Harald Hahn ,  Kristian Schlegel ,  Torsten Weber ,  Martin Kutzer

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/268 ,  H01L31/05

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0516 ,  Y02E10/50

摘要： For contacting a silicon solar cell a pre-processed silicon substrate with a frontside and a backside is provided. Then, aluminum is deposited on the backside of the pre-processed silicon substrate, wherein aluminum-free regions remain on the backside. Then, a silver-free layer suitable for soldering on the backside of the silicon substrate is deposited so that the silver-free layer suitable for soldering covers at least the aluminum-free regions on the backside.

摘要翻译： 为了接触硅太阳能电池，提供了具有前侧和后侧的预处理硅衬底。 然后，铝沉积在预处理的硅衬底的背面，其中无铝区保留在背面。 然后，沉积适合于在硅衬底的背面上焊接的无银层，使得适合于焊接的无银层至少覆盖在背面的至少无铝区域。

公开(公告)号：US20120279547A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13464365

申请日：2012-05-04

申请人： Wieland Pethe ,  Harald Hahn ,  Kristian Schlegel ,  Torsten Weber ,  Martin Kutzer

发明人： Wieland Pethe ,  Harald Hahn ,  Kristian Schlegel ,  Torsten Weber ,  Martin Kutzer

IPC分类号： H01L31/05 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0516 ,  Y02E10/50

摘要： For contacting a silicon solar cell a pre-processed silicon substrate with a frontside and a backside is provided. Then, aluminum is deposited on the backside of the pre-processed silicon substrate, wherein aluminum-free regions remain on the backside. Then, a silver-free layer suitable for soldering on the backside of the silicon substrate is deposited so that the silver-free layer suitable for soldering covers at least the aluminum-free regions on the backside.

摘要翻译： 为了接触硅太阳能电池，提供了具有前侧和后侧的预处理硅衬底。 然后，铝沉积在预处理的硅衬底的背面，其中无铝区保留在背面。 然后，沉积适合于在硅衬底的背面上焊接的无银层，使得适合于焊接的无银层至少覆盖在背面的至少无铝区域。