公开(公告)号：USD450070S1

公开(公告)日：2001-11-06

申请号：US29090618

申请日：1998-07-13

申请人： Praburam Gopalraja ,  Zheng Xu ,  Michael Rosenstein ,  John C. Forster

设计人： Praburam Gopalraja ,  Zheng Xu ,  Michael Rosenstein ,  John C. Forster

公开(公告)号：USD440582S1

公开(公告)日：2001-04-17

申请号：US29090631

申请日：1998-07-13

申请人： Praburam Gopalraja ,  Zheng Xu ,  Michael Rosenstein ,  John C. Forster ,  Peijun Ding

设计人： Praburam Gopalraja ,  Zheng Xu ,  Michael Rosenstein ,  John C. Forster ,  Peijun Ding

公开(公告)号：US06660134B1

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US09113577

申请日：1998-07-10

申请人： Praburam Gopalraja ,  Zheng Xu ,  Michael Rosenstein ,  John C. Forster

发明人： Praburam Gopalraja ,  Zheng Xu ,  Michael Rosenstein ,  John C. Forster

IPC分类号： C23C1400

CPC分类号： H01J37/321

摘要： A coil for inductively coupling RF energy to a plasma in a substrate processing chamber has adjacent spaced and circumferentially overlapping RF feedthroughs adjacent to overlapping ends to improve uniformity of processing of the substrate.

摘要翻译： 用于将RF能量感应耦合到衬底处理室中的等离子体的线圈具有与重叠端相邻的相邻间隔开的和周向重叠的RF馈通，以提高衬底的处理的均匀性。

公开(公告)号：USD442853S1

公开(公告)日：2001-05-29

申请号：US29109893

申请日：1999-08-24

申请人： Praburam Gopalraja ,  John C. Forster ,  Michael Rosenstein

设计人： Praburam Gopalraja ,  John C. Forster ,  Michael Rosenstein

公开(公告)号：USD442852S1

公开(公告)日：2001-05-29

申请号：US29109870

申请日：1999-08-24

申请人： Praburam Gopalraja ,  John C. Forster ,  Michael Rosenstein

设计人： Praburam Gopalraja ,  John C. Forster ,  Michael Rosenstein

公开(公告)号：US06409890B1

公开(公告)日：2002-06-25

申请号：US09362917

申请日：1999-07-27

申请人： Howard E. Grunes ,  Zheng Xu ,  Praburam Gopalraja ,  John C. Forster ,  Ralf Hofmann ,  Anantha Subramani

发明人： Howard E. Grunes ,  Zheng Xu ,  Praburam Gopalraja ,  John C. Forster ,  Ralf Hofmann ,  Anantha Subramani

IPC分类号： C23C1435

CPC分类号： H01J37/321 ,  C23C14/044 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3447

摘要： Embodiments include devices and methods for sputtering material onto a workpiece in a chamber which includes a plasma generation area and a target. A coil is positioned to inductively couple energy into the plasma generation area to generate a plasma. A body is positioned between the workpiece and the target to prevent an amount of target material from being sputtered onto the workpiece. The body prevents an amount of target material from being sputtered onto the workpiece. The body may act as a dark space shield and inhibit plasma formation between the body and the target. The body may also act as a physical shield to block sputtered material from accumulating on the workpiece.

摘要翻译： 实施例包括用于在包括等离子体产生区域和靶子的室中将材料溅射到工件上的装置和方法。 线圈被定位成将能量感应地耦合到等离子体产生区域中以产生等离子体。 主体位于工件和目标之间，以防止一定量的目标材料溅射到工件上。 该主体防止一定量的目标材料溅射到工件上。 身体可以作为暗空间屏蔽，并且抑制身体和目标之间的血浆形成。 主体还可以作为物理屏蔽来阻止溅射的材料积聚在工件上。

公开(公告)号：US06235169B1

公开(公告)日：2001-05-22

申请号：US08908342

申请日：1997-08-07

申请人： Praburam Gopalraja ,  John C. Forster ,  Zheng Xu ,  Bradley O. Stimson

发明人： Praburam Gopalraja ,  John C. Forster ,  Zheng Xu ,  Bradley O. Stimson

IPC分类号： C23C1434

CPC分类号： C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/34

摘要： In a plasma generating apparatus, RF energy applied to a coil positioned to sputter material onto a workpiece, is modulated to control the biasing of the coil. As a consequence, control of coil sputtering may be improved such that the uniformity of deposition may also be improved.

摘要翻译： 在等离子体发生装置中，被施加到定位成将材料溅射到工件上的线圈的RF能量被调制以控制线圈的偏置。 因此，可以提高线圈溅射的控制，从而也可以提高沉积的均匀性。

公开(公告)号：US08696875B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US10495506

申请日：2002-11-14

申请人： Peijun Ding ,  Rong Tao ,  Zheng Xu ,  Daniel C. Lubben ,  Suraj Rengarajan ,  Michael A. Miller ,  Arvind Sundarrajan ,  Xianmin Tang ,  John C. Forster ,  Jianming Fu ,  Roderick C. Mosely ,  Fusen Chen ,  Praburam Gopalraja

发明人： Peijun Ding ,  Rong Tao ,  Zheng Xu ,  Daniel C. Lubben ,  Suraj Rengarajan ,  Michael A. Miller ,  Arvind Sundarrajan ,  Xianmin Tang ,  John C. Forster ,  Jianming Fu ,  Roderick C. Mosely ,  Fusen Chen ,  Praburam Gopalraja

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3457 ,  C23C14/35 ,  C23C14/358 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： A magnetron sputter reactor (410) and its method of use, in which SIP sputtering and ICP sputtering are promoted is disclosed. In another chamber (412) an array of auxiliary magnets positioned along sidewalls (414) of a magnetron sputter reactor on a side towards the wafer from the target is disclosed. The magnetron (436) preferably is a small one having a stronger outer pole (442) of a first polarity surrounding a weaker inner pole (440) of a second polarity all on a yoke (444) and rotates about the axis (438) of the chamber using rotation means (446, 448, 450). The auxiliary magnets (462) preferably have the first polarity to draw the unbalanced magnetic field (460) towards the wafer (424), which is on a pedestal (422) supplied with power (454). Argon (426) is supplied through a valve (428). The target (416) is supplied with power (434).

摘要翻译： 公开了一种促进SIP溅射和ICP溅射的磁控溅射反应器（410）及其使用方法。 在另一个室（412）中，公开了一种辅助磁体阵列，其沿着磁控溅射反应器的侧面（414）定位，所述磁控溅射反应器在朝向晶片的一侧朝向靶。 优选地，磁控管（436）是小的，其具有第一极性的更强的外极（442），其具有围绕轭（444）的第二极性的较弱内极（440），并且围绕轴线（438）旋转 所述腔室使用旋转装置（446,448,450）。 辅助磁体（462）优选地具有第一极性，以将不平衡磁场（460）朝着被提供电力（454）的基座（422）上的晶片（424）拉出。 氩（426）通过阀（428）供应。 目标（416）被供电（434）。

公开(公告)号：US20090053888A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12288540

申请日：2008-10-20

申请人： Peijun Ding ,  Zheng Xu ,  Hong Zhang ,  Xianmin Tang ,  Praburam Gopalraja ,  Suraj Rengarajan ,  John C. Forster ,  Jianming Fu ,  Tony Chiang ,  Gongda Yao ,  Fusen E. Chen ,  Barry L. Chin ,  Gene Y. Kohara

发明人： Peijun Ding ,  Zheng Xu ,  Hong Zhang ,  Xianmin Tang ,  Praburam Gopalraja ,  Suraj Rengarajan ,  John C. Forster ,  Jianming Fu ,  Tony Chiang ,  Gongda Yao ,  Fusen E. Chen ,  Barry L. Chin ,  Gene Y. Kohara

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02183 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/165 ,  C23C14/541 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876

摘要： A method of depositing a duffusion barrier layer with overlying conductive layer or fill which lowers resistivity of a semiconductor device interconnect. The lower resistivity is achieved by inducing the formation of alpha tantalum within a tantalum-comprising barrier layer.

摘要翻译： 一种用覆盖的导电层或填充物沉积具有降低半导体器件互连电阻率的渗透阻挡层的方法。 通过诱导在含钽隔离层内形成α钽来实现较低的电阻率。

公开(公告)号：US08668816B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US11933157

申请日：2007-10-31

申请人： Peijun Ding ,  Rong Tao ,  Zheng Xu ,  Daniel C. Lubben ,  Suraj Rengarajan ,  Michael A. Miller ,  Arvind Sundarrajan ,  Xianmin Tang ,  John C. Forster ,  Jianming Fu ,  Roderick C. Mosely ,  Fusen Chen ,  Praburam Gopalraja

发明人： Peijun Ding ,  Rong Tao ,  Zheng Xu ,  Daniel C. Lubben ,  Suraj Rengarajan ,  Michael A. Miller ,  Arvind Sundarrajan ,  Xianmin Tang ,  John C. Forster ,  Jianming Fu ,  Roderick C. Mosely ,  Fusen Chen ,  Praburam Gopalraja

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3457 ,  C23C14/35 ,  C23C14/358 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： A magnetron sputter reactor for sputtering deposition materials such as tantalum, tantalum nitride and copper, for example, and its method of use, in which self-ionized plasma (SIP) sputtering and inductively coupled plasma (ICP) sputtering are promoted, either together or alternately, in the same or different chambers. Also, bottom coverage may be thinned or eliminated by ICP resputtering in one chamber and SIP in another. SIP is promoted by a small magnetron having poles of unequal magnetic strength and a high power applied to the target during sputtering. ICP is provided by one or more RF coils which inductively couple RF energy into a plasma. The combined SIP-ICP layers can act as a liner or barrier or seed or nucleation layer for hole. In addition, an RF coil may be sputtered to provide protective material during ICP resputtering. In another chamber an array of auxiliary magnets positioned along sidewalls of a magnetron sputter reactor on a side towards the wafer from the target. The magnetron preferably is a small, strong one having a stronger outer pole of a first magnetic polarity surrounding a weaker outer pole of a second magnetic polarity and rotates about the central axis of the chamber. The auxiliary magnets preferably have the first magnetic polarity to draw the unbalanced magnetic field component toward the wafer. The auxiliary magnets may be either permanent magnets or electromagnets.

摘要翻译： 用于溅射诸如钽，氮化钽和铜的沉积材料的磁控溅射反应器及其使用方法，其中促进了自离子等离子体（SIP）溅射和电感耦合等离子体（ICP）溅射，其一起或者 交替地，在相同或不同的室中。 此外，底部覆盖可以通过在一个室中的ICP再溅射和另一个室中的SIP来减薄或消除。 SIP由在溅射期间施加到靶的不均匀磁强度和高功率的磁极的小磁控管促进。 ICP由一个或多个将RF能量感应耦合到等离子体中的RF线圈提供。 组合的SIP-ICP层可以作为孔的衬垫或屏障或种子或成核层。 此外，可以在ICP溅射期间溅射RF线圈以提供保护材料。 在另一个腔室中，辅助磁体阵列沿磁控溅射反应器的侧壁朝着晶片从目标侧面定位。 磁控管优选地是小而强的，具有围绕第二磁极性较弱的外极的第一磁极的更强的外极并围绕腔的中心轴旋转。 辅助磁体优选地具有第一磁极以将不平衡的磁场分量拉向晶片。 辅助磁体可以是永磁体或电磁体。