公开(公告)号：US20070152343A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11534285

申请日：2006-09-22

申请人： Ralf Richter ,  Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

发明人： Ralf Richter ,  Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： By providing additional etch stop layers and/or etch protection layers, a corresponding etch process for forming contact openings for directly connecting polysilicon lines and active areas may be controlled in a highly reliable manner. Consequently, conductive line erosion and/or penetration into extension regions may be significantly reduced, thereby improving the reliability and performance of corresponding semiconductor devices.

摘要翻译： 通过提供附加的蚀刻停止层和/或蚀刻保护层，可以以高度可靠的方式控制用于形成用于直接连接多晶硅线路和有源区域的接触开口的相应蚀刻工艺。 因此，可以显着地减少导线侵蚀和/或穿透到延伸区域，从而提高对应的半导体器件的可靠性和性能。

公开(公告)号：US07416973B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US11538111

申请日：2006-10-03

申请人： Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Ralf Richter ,  Matthias Schaller

发明人： Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Ralf Richter ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/665

摘要： By providing an additional silicon dioxide based etch stop layer, a corresponding etch process for forming contact openings for directly connecting polysilicon lines and active areas may be controlled in a highly reliable manner. In another aspect, the etch selectivity of the contact structure may be increased by a modification of the etch behavior of the exposed portion of the contact etch stop layer.

摘要翻译： 通过提供另外的基于二氧化硅的蚀刻停止层，可以以高度可靠的方式控制用于形成用于直接连接多晶硅线和有源区的接触开口的相应蚀刻工艺。 在另一方面，可以通过接触蚀刻停止层的暴露部分的蚀刻行为的修改来增加接触结构的蚀刻选择性。

公开(公告)号：US07678690B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11534285

申请日：2006-09-22

申请人： Ralf Richter ,  Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

发明人： Ralf Richter ,  Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： By providing additional etch stop layers and/or etch protection layers, a corresponding etch process for forming contact openings for directly connecting polysilicon lines and active areas may be controlled in a highly reliable manner. Consequently, conductive line erosion and/or penetration into extension regions may be significantly reduced, thereby improving the reliability and performance of corresponding semiconductor devices.

摘要翻译： 通过提供附加的蚀刻停止层和/或蚀刻保护层，可以以高度可靠的方式控制用于形成用于直接连接多晶硅线路和有源区域的接触开口的相应蚀刻工艺。 因此，可以显着地减少导线侵蚀和/或穿透到延伸区域，从而提高对应的半导体器件的可靠性和性能。

公开(公告)号：US20070178685A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11538111

申请日：2006-10-03

申请人： Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Ralf Richter ,  Matthias Schaller

发明人： Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Ralf Richter ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/665

摘要： By providing an additional silicon dioxide based etch stop layer, a corresponding etch process for forming contact openings for directly connecting polysilicon lines and active areas may be controlled in a highly reliable manner. In another aspect, the etch selectivity of the contact structure may be increased by a modification of the etch behavior of the exposed portion of the contact etch stop layer.

摘要翻译： 通过提供另外的基于二氧化硅的蚀刻停止层，可以以高度可靠的方式控制用于形成用于直接连接多晶硅线和有源区的接触开口的相应蚀刻工艺。 在另一方面，可以通过接触蚀刻停止层的暴露部分的蚀刻行为的修改来增加接触结构的蚀刻选择性。

公开(公告)号：US07608501B2

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：US11425942

申请日：2006-06-22

申请人： Kai Frohberg ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

发明人： Kai Frohberg ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7843 ,  Y10S438/97

摘要： By partially removing an etch stop layer prior to the formation of a first contact etch stop layer, a superior stress transfer mechanism may be provided in an integration scheme for generating strain by means of contact etch stop layers. Thus, a semiconductor device having different types of transistors may be provided, in which a high degree of metal silicide integrity as well as a highly efficient stress transfer mechanism is achieved.

摘要翻译： 通过在形成第一接触蚀刻停止层之前部分地去除蚀刻停止层，可以以用于通过接触蚀刻停止层产生应变的积分方案来提供优异的应力传递机制。 因此，可以提供具有不同类型的晶体管的半导体器件，其中实现高度的金属硅化物完整性以及高效应力传递机制。

公开(公告)号：US20070077741A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US11424272

申请日：2006-06-15

申请人： KAI FROHBERG ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

发明人： KAI FROHBERG ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： The present invention provides a technique for forming differently stressed contact etch stop layers, wherein sidewall spacers are removed prior to the formation of the contact etch stop layers. During the partial removal of respective contact etch stop layers, a corresponding etch stop layer regime is used to substantially avoid any unwanted stress-inducing material residuals, thereby significantly enhancing the stress transfer mechanism.

摘要翻译： 本发明提供了形成不同应力的接触蚀刻停止层的技术，其中在形成接触蚀刻停止层之前去除侧壁间隔物。 在部分去除相应的接触蚀刻停止层期间，使用相应的蚀刻停止层状态来基本上避免任何不需要的应力诱导材料残余物，从而显着增强应力传递机制。

公开(公告)号：US20070077708A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US11425942

申请日：2006-06-22

申请人： KAI FROHBERG ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

发明人： KAI FROHBERG ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7843 ,  Y10S438/97

摘要： By partially removing an etch stop layer prior to the formation of a first contact etch stop layer, a superior stress transfer mechanism may be provided in an integration scheme for generating strain by means of contact etch stop layers. Thus, a semiconductor device having different types of transistors may be provided, in which a high degree of metal silicide integrity as well as a highly efficient stress transfer mechanism is achieved.

摘要翻译： 通过在形成第一接触蚀刻停止层之前部分地去除蚀刻停止层，可以以用于通过接触蚀刻停止层产生应变的积分方案来提供优异的应力传递机制。 因此，可以提供具有不同类型的晶体管的半导体器件，其中实现高度的金属硅化物完整性以及高效应力传递机制。

公开(公告)号：US07482219B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US11424272

申请日：2006-06-15

申请人： Kai Frohberg ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

发明人： Kai Frohberg ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： The present invention provides a technique for forming differently stressed contact etch stop layers, wherein sidewall spacers are removed prior to the formation of the contact etch stop layers. During the partial removal of respective contact etch stop layers, a corresponding etch stop layer regime is used to substantially avoid any unwanted stress-inducing material residuals, thereby significantly enhancing the stress transfer mechanism.

摘要翻译： 本发明提供了形成不同应力的接触蚀刻停止层的技术，其中在形成接触蚀刻停止层之前去除侧壁间隔物。 在部分去除相应的接触蚀刻停止层期间，使用相应的蚀刻停止层状态来基本上避免任何不需要的应力诱导材料残余物，从而显着增强应力传递机制。

公开(公告)号：US07883629B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US11868789

申请日：2007-10-08

申请人： Matthias Schaller ,  Heike Salz ,  Ralf Richter ,  Sylvio Mattick

发明人： Matthias Schaller ,  Heike Salz ,  Ralf Richter ,  Sylvio Mattick

IPC分类号： C03C15/00 ,  G01R31/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L22/26 ,  H01L29/7843

摘要： During the patterning of stressed layers having different types of intrinsic stress, the effects of the deposition of a silicon dioxide based etch indicator material between the first and second dielectric layers may be significantly reduced by a controlled etch on the basis of optical measurement data indicating the etch rate and, thus, the performance of the respective etch process. In other cases, highly efficient etch indicator species may be incorporated into the stressed dielectric layers or may be formed on a surface portion thereof with reduced layer thickness, thereby providing an enhanced endpoint detection signal without creating the negative effects of silicon dioxide based indicator layers. In one illustrative embodiment, a stressed silicon, nitrogen and carbon-containing layer may be combined with a stressed silicon and nitrogen-containing layer, wherein the carbon species provides a prominent endpoint detection signal.

摘要翻译： 在具有不同类型的固有应力的应力层的图案化期间，可以通过基于表示第二和第二电介质层的光学测量数据的受控蚀刻来显着地减少基于二氧化硅的蚀刻指示剂材料沉积的影响 蚀刻速率，因此，各个蚀刻工艺的性能。 在其他情况下，可以将高效的蚀刻指示剂物质结合到应力介电层中，或者可以在其表面部分上形成具有减小的层厚度，从而提供增强的端点检测信号，而不产生基于二氧化硅的指示剂层的负面影响。 在一个说明性实施例中，应力硅，氮和碳的层可以与应力硅和含氮层组合，其中碳类提供突出的端点检测信号。

公开(公告)号：US07550396B2

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：US11742878

申请日：2007-05-01

申请人： Kai Frohberg ,  Volker Grimm ,  Sven Mueller ,  Matthias Lehr ,  Ralf Richter ,  Jochen Klais ,  Martin Mazur ,  Heike Salz ,  Joerg Hohage ,  Matthias Schaller

发明人： Kai Frohberg ,  Volker Grimm ,  Sven Mueller ,  Matthias Lehr ,  Ralf Richter ,  Jochen Klais ,  Martin Mazur ,  Heike Salz ,  Joerg Hohage ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： By performing a plasma treatment for efficiently sealing the surface of a stressed dielectric layer containing silicon nitride, an enhanced performance during the patterning of contact openings may be achieved, since nitrogen-induced resist poisoning may be significantly reduced during the selective patterning of stressed layers of different types of intrinsic stress.

摘要翻译： 通过进行等离子体处理以有效地密封包含氮化硅的应力介电层的表面，可以实现在接触开口的图案化期间提高的性能，因为在所选择的图形化应力层的选择性图案化期间可以显着降低氮诱导的抗蚀剂中毒 不同类型的内在应力。