公开(公告)号：US07678690B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11534285

申请日：2006-09-22

申请人： Ralf Richter ,  Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

发明人： Ralf Richter ,  Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： By providing additional etch stop layers and/or etch protection layers, a corresponding etch process for forming contact openings for directly connecting polysilicon lines and active areas may be controlled in a highly reliable manner. Consequently, conductive line erosion and/or penetration into extension regions may be significantly reduced, thereby improving the reliability and performance of corresponding semiconductor devices.

摘要翻译： 通过提供附加的蚀刻停止层和/或蚀刻保护层，可以以高度可靠的方式控制用于形成用于直接连接多晶硅线路和有源区域的接触开口的相应蚀刻工艺。 因此，可以显着地减少导线侵蚀和/或穿透到延伸区域，从而提高对应的半导体器件的可靠性和性能。

公开(公告)号：US20070178685A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11538111

申请日：2006-10-03

申请人： Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Ralf Richter ,  Matthias Schaller

发明人： Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Ralf Richter ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/665

摘要： By providing an additional silicon dioxide based etch stop layer, a corresponding etch process for forming contact openings for directly connecting polysilicon lines and active areas may be controlled in a highly reliable manner. In another aspect, the etch selectivity of the contact structure may be increased by a modification of the etch behavior of the exposed portion of the contact etch stop layer.

摘要翻译： 通过提供另外的基于二氧化硅的蚀刻停止层，可以以高度可靠的方式控制用于形成用于直接连接多晶硅线和有源区的接触开口的相应蚀刻工艺。 在另一方面，可以通过接触蚀刻停止层的暴露部分的蚀刻行为的修改来增加接触结构的蚀刻选择性。

公开(公告)号：US07416973B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US11538111

申请日：2006-10-03

申请人： Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Ralf Richter ,  Matthias Schaller

发明人： Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Ralf Richter ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/665

摘要： By providing an additional silicon dioxide based etch stop layer, a corresponding etch process for forming contact openings for directly connecting polysilicon lines and active areas may be controlled in a highly reliable manner. In another aspect, the etch selectivity of the contact structure may be increased by a modification of the etch behavior of the exposed portion of the contact etch stop layer.

摘要翻译： 通过提供另外的基于二氧化硅的蚀刻停止层，可以以高度可靠的方式控制用于形成用于直接连接多晶硅线和有源区的接触开口的相应蚀刻工艺。 在另一方面，可以通过接触蚀刻停止层的暴露部分的蚀刻行为的修改来增加接触结构的蚀刻选择性。

公开(公告)号：US20070152343A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11534285

申请日：2006-09-22

申请人： Ralf Richter ,  Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

发明人： Ralf Richter ,  Carsten Peters ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： By providing additional etch stop layers and/or etch protection layers, a corresponding etch process for forming contact openings for directly connecting polysilicon lines and active areas may be controlled in a highly reliable manner. Consequently, conductive line erosion and/or penetration into extension regions may be significantly reduced, thereby improving the reliability and performance of corresponding semiconductor devices.

摘要翻译： 通过提供附加的蚀刻停止层和/或蚀刻保护层，可以以高度可靠的方式控制用于形成用于直接连接多晶硅线路和有源区域的接触开口的相应蚀刻工艺。 因此，可以显着地减少导线侵蚀和/或穿透到延伸区域，从而提高对应的半导体器件的可靠性和性能。

公开(公告)号：US07482219B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US11424272

申请日：2006-06-15

申请人： Kai Frohberg ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

发明人： Kai Frohberg ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： The present invention provides a technique for forming differently stressed contact etch stop layers, wherein sidewall spacers are removed prior to the formation of the contact etch stop layers. During the partial removal of respective contact etch stop layers, a corresponding etch stop layer regime is used to substantially avoid any unwanted stress-inducing material residuals, thereby significantly enhancing the stress transfer mechanism.

摘要翻译： 本发明提供了形成不同应力的接触蚀刻停止层的技术，其中在形成接触蚀刻停止层之前去除侧壁间隔物。 在部分去除相应的接触蚀刻停止层期间，使用相应的蚀刻停止层状态来基本上避免任何不需要的应力诱导材料残余物，从而显着增强应力传递机制。

公开(公告)号：US07608501B2

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：US11425942

申请日：2006-06-22

申请人： Kai Frohberg ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

发明人： Kai Frohberg ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7843 ,  Y10S438/97

摘要： By partially removing an etch stop layer prior to the formation of a first contact etch stop layer, a superior stress transfer mechanism may be provided in an integration scheme for generating strain by means of contact etch stop layers. Thus, a semiconductor device having different types of transistors may be provided, in which a high degree of metal silicide integrity as well as a highly efficient stress transfer mechanism is achieved.

摘要翻译： 通过在形成第一接触蚀刻停止层之前部分地去除蚀刻停止层，可以以用于通过接触蚀刻停止层产生应变的积分方案来提供优异的应力传递机制。 因此，可以提供具有不同类型的晶体管的半导体器件，其中实现高度的金属硅化物完整性以及高效应力传递机制。

公开(公告)号：US20080182346A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11862345

申请日：2007-09-27

申请人： Ralf Richter ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

发明人： Ralf Richter ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/26 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7843

摘要： During the patterning of respective contact etch stop layers having a different type of intrinsic stress, the deposition of an etch indicator layer between the first and the second contact etch stop layer may be omitted in order to avoid any undue effects of this layer during the subsequent processing. Local removal of the second stressed layer may be performed on the basis of an etch time controlled etch process, which in some aspects may include the provision of an etch indicator material, wherein feed forward and feed back measurement data may be used in an appropriately designed process controller.

摘要翻译： 在具有不同类型的固有应力的相应接触蚀刻停止层的图案化期间，可以省略在第一和第二接触蚀刻停止层之间的蚀刻指示剂层的沉积，以避免在随后的该层期间该层的任何不适当的影响 处理。 可以基于蚀刻时间控制蚀刻工艺来执行局部去除第二应力层，其在一些方面可以包括提供蚀刻指示剂材料，其中前馈和反馈测量数据可以被适当地设计 过程控制器。

公开(公告)号：US20080081480A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11742878

申请日：2007-05-01

申请人： Kai Frohberg ,  Volker Grimm ,  Sven Mueller ,  Matthias Lehr ,  Ralf Richter ,  Jochen Klais ,  Martin Mazur ,  Heike Salz ,  Joerg Hohage ,  Matthias Schaller

发明人： Kai Frohberg ,  Volker Grimm ,  Sven Mueller ,  Matthias Lehr ,  Ralf Richter ,  Jochen Klais ,  Martin Mazur ,  Heike Salz ,  Joerg Hohage ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： By performing a plasma treatment for efficiently sealing the surface of a stressed dielectric layer containing silicon nitride, an enhanced performance during the patterning of contact openings may be achieved, since nitrogen-induced resist poisoning may be significantly reduced during the selective patterning of stressed layers of different types of intrinsic stress.

摘要翻译： 通过进行等离子体处理以有效地密封包含氮化硅的应力介电层的表面，可以实现在接触开口的图案化期间提高的性能，因为在所选择的图形化应力层的选择性图案化期间可以显着降低氮诱导的抗蚀剂中毒 不同类型的内在应力。

公开(公告)号：US07700377B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11862345

申请日：2007-09-27

申请人： Ralf Richter ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

发明人： Ralf Richter ,  Heike Salz ,  Matthias Schaller

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/26 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7843

摘要： During the patterning of respective contact etch stop layers having a different type of intrinsic stress, the deposition of an etch indicator layer between the first and the second contact etch stop layer may be omitted in order to avoid any undue effects of this layer during the subsequent processing. Local removal of the second stressed layer may be performed on the basis of an etch time controlled etch process, which in some aspects may include the provision of an etch indicator material, wherein feed forward and feed back measurement data may be used in an appropriately designed process controller.

摘要翻译： 在具有不同类型的固有应力的相应接触蚀刻停止层的图案化期间，可以省略在第一和第二接触蚀刻停止层之间的蚀刻指示剂层的沉积，以避免在随后的该层期间该层的任何不适当的影响 处理。 可以基于蚀刻时间控制蚀刻工艺来执行局部去除第二应力层，其在一些方面可以包括提供蚀刻指示剂材料，其中前馈和反馈测量数据可以被适当地设计 过程控制器。

公开(公告)号：US20070077741A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US11424272

申请日：2006-06-15

申请人： KAI FROHBERG ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

发明人： KAI FROHBERG ,  Carsten Peters ,  Matthias Schaller ,  Heike Salz

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： The present invention provides a technique for forming differently stressed contact etch stop layers, wherein sidewall spacers are removed prior to the formation of the contact etch stop layers. During the partial removal of respective contact etch stop layers, a corresponding etch stop layer regime is used to substantially avoid any unwanted stress-inducing material residuals, thereby significantly enhancing the stress transfer mechanism.

摘要翻译： 本发明提供了形成不同应力的接触蚀刻停止层的技术，其中在形成接触蚀刻停止层之前去除侧壁间隔物。 在部分去除相应的接触蚀刻停止层期间，使用相应的蚀刻停止层状态来基本上避免任何不需要的应力诱导材料残余物，从而显着增强应力传递机制。