公开(公告)号：US08105135B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US11541431

申请日：2006-09-29

申请人： Ronald W. Laconto ,  Andrew G. Haerle

发明人： Ronald W. Laconto ,  Andrew G. Haerle

IPC分类号： B24D3/06

CPC分类号： C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/2993

摘要： A polishing slurry includes liquid medium and particulate abrasive. The particulate abrasive includes soft abrasive particles, hard abrasive particles, and colloidal silica particles, wherein the soft abrasive particles have a Mohs hardness of not greater than 8 and the hard abrasive particles have a Mohs hardness of not less than 8, and wherein the soft abrasive particles and the hard abrasive particles are present at a weight ratio of not less than 2:1.

摘要翻译： 抛光浆料包括液体介质和颗粒磨料。 颗粒磨料包括软磨粒，硬磨颗粒和胶态二氧化硅颗粒，其中软磨颗粒的莫氏硬度不大于8，硬磨颗粒的莫氏硬度不小于8，其中软 研磨颗粒和硬磨料颗粒以不小于2:1的重量比存在。

公开(公告)号：US08980113B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US12723606

申请日：2010-03-12

申请人： Jun Wang ,  Ronald W. Laconto ,  Andrew G. Haerle

发明人： Jun Wang ,  Ronald W. Laconto ,  Andrew G. Haerle

IPC分类号： C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L21/30625 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608

摘要： A method for chemical mechanical polishing of a substrate includes polishing the substrate at a stock removal rate of greater than about 2.5 Å/min to achieve a Ra of not greater than about 5.0 Å. The substrate can be a III-V substrate or a SiC substrate. The polishing utilizes a chemical mechanical polishing slurry comprising ultra-dispersed diamonds and at least 80 wt % water.

摘要翻译： 用于基材的化学机械抛光的方法包括以大于约2.5 /分钟的原料去除速率抛光基材以达到Ra不大于约。 衬底可以是III-V衬底或SiC衬底。 抛光使用包含超分散金刚石和至少80重量％水的化学机械抛光浆料。

公开(公告)号：US20100233880A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12723606

申请日：2010-03-12

申请人： Jun Wang ,  Ronald W. Laconto ,  Andrew G. Haerle

发明人： Jun Wang ,  Ronald W. Laconto ,  Andrew G. Haerle

IPC分类号： H01L21/302 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L21/30625 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608

摘要： A method for chemical mechanical polishing of a substrate includes polishing the substrate at a stock removal rate of greater than about 2.5 Å/min to achieve a Ra of not greater than about 5.0 Å. The substrate can be a III-V substrate or a SiC substrate. The polishing utilizes a chemical mechanical polishing slurry comprising ultra-dispersed diamonds and at least 80 wt % water.

摘要翻译： 用于基材的化学机械抛光的方法包括以大于约2.5 /分钟的原料去除速率抛光基材以达到Ra不大于约。 衬底可以是III-V衬底或SiC衬底。 抛光使用包含超分散金刚石和至少80重量％水的化学机械抛光浆料。

公开(公告)号：US20080153397A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11955749

申请日：2007-12-13

申请人： Ronald W. Laconto ,  Douglas E. Ward

发明人： Ronald W. Laconto ,  Douglas E. Ward

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B7/24

CPC分类号： B24B7/22 ,  B24B7/24 ,  B24B37/042 ,  C03C19/00

摘要： A method of machining a workpiece includes applying a fluid between a fixed abrasive component and a workpiece, followed by translation of the fixed abrasive component and the workpiece relative to each other. The fluid contains an anti-clogging agent containing a phosphorus-containing organic chemistry.

摘要翻译： 加工工件的方法包括在固定研磨部件和工件之间施加流体，然后相对于彼此平移固定的研磨部件和工件。 流体含有含有有机化学物质的防堵塞剂。

公开(公告)号：US07306748B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US10423283

申请日：2003-04-25

申请人： Ronald W. Laconto ,  Douglas E. Ward

发明人： Ronald W. Laconto ,  Douglas E. Ward

IPC分类号： B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C23F1/00

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/53 ,  C04B41/91 ,  C04B2111/00844 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C04B41/5353 ,  C04B35/10 ,  C04B35/581

摘要： A method for machining a ceramic substrate containing Al, including providing a slurry between a substrate and a machine tool, the slurry containing alumina abrasive and an additive including a phosphorus compound, and moving the substrate relative to the machine tool.

摘要翻译： 一种用于加工包含Al的陶瓷基板的方法，包括在基板和机床之间提供浆料，所述浆料包含氧化铝磨料和包含磷化合物的添加剂，并且相对于所述机床移动所述基底。

公开(公告)号：US20080153396A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11953741

申请日：2007-12-10

申请人： Ronald W. Laconto ,  Douglas E. Ward

发明人： Ronald W. Laconto ,  Douglas E. Ward

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044

摘要： A method for machining a ceramic substrate containing Al, including providing a solution containing a phosphorus compound on the ceramic substrate; and machining the substrate with an abrasive.

摘要翻译： 一种加工含有Al的陶瓷基板的方法，包括在陶瓷基板上提供含有磷化合物的溶液; 并用磨料加工衬底。

公开(公告)号：US08168075B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US11955749

申请日：2007-12-13

申请人： Ronald W. Laconto ,  Douglas E. Ward

发明人： Ronald W. Laconto ,  Douglas E. Ward

IPC分类号： B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C23F1/00 ,  C25F3/00

CPC分类号： B24B7/22 ,  B24B7/24 ,  B24B37/042 ,  C03C19/00

摘要： A method of machining a workpiece includes applying a fluid between a fixed abrasive component and a workpiece, followed by translation of the fixed abrasive component and the workpiece relative to each other. The fluid contains an anti-clogging agent containing a phosphorus-containing organic chemistry.

摘要翻译： 加工工件的方法包括在固定研磨部件和工件之间施加流体，然后相对于彼此平移固定的研磨部件和工件。 流体含有含有有机化学物质的防堵塞剂。

公开(公告)号：US08025808B2

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：US11953741

申请日：2007-12-10

申请人： Ronald W. Laconto ,  Douglas E. Ward

发明人： Ronald W. Laconto ,  Douglas E. Ward

IPC分类号： B44C1/22 ,  C03C25/68 ,  C03C15/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044

摘要： A method for machining a ceramic substrate containing Al, including providing a solution containing a phosphorus compound on the ceramic substrate; and machining the substrate with an abrasive.

摘要翻译： 一种加工含有Al的陶瓷基板的方法，包括在陶瓷基板上提供含有磷化合物的溶液; 并用磨料加工衬底。