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60 条记录 (耗时 0.019 秒)

    Semiconductor device
    1.
    发明申请
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20060245266A1

    公开(公告)日：2006-11-02

    申请号：US11409963

    申请日：2006-04-25

    申请人： Ryusuke Sahara ,  Mitsugu Kusunoki ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu

    发明人： Ryusuke Sahara ,  Mitsugu Kusunoki ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu

    IPC分类号： G11C7/10

    CPC分类号： H03M1/1061 ,  H03M1/687 ,  H03M1/785 ,  H03M1/808

    摘要： A DAC having a memory mat including a plurality of first memory cells, and a plurality of output lines connected to the plurality of first memory cells. Each of the plurality of memory cells has a first memory portion including bipolar transistors and storing information in non-volatility based on whether a junction of the bipolar transistors is destroyed or not, and a second memory portion connected to the first memory portion and for outputting information to corresponding one of the plurality of output lines. The DAC has a first mode in which information is transferred from the first memory portions to the second memory portions when the information is written into the second memory portions, and a second mode in which the second memory portions are specified externally and information is written into the second memory portions. Thus, the performance of a D/A converter can be improved.

    摘要翻译： 具有包括多个第一存储单元的存储器垫的DAC和连接到多个第一存储单元的多个输出线。 多个存储单元中的每一个具有包括双极晶体管的第一存储器部分，并且基于双极晶体管的结是否被破坏来存储非易失性的信息，以及连接到第一存储器部分并用于输出的第二存储器部分 信息到多个输出行中的相应一个。 DAC具有第一模式，其中当信息被写入第二存储器部分时，信息从第一存储器部分传送到第二存储器部分，以及第二模式，其中第二存储器部分被外部指定并且信息被写入 第二存储器部分。 因此，可以提高D / A转换器的性能。

    SEMICONDUCTOR DEVICE
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20080055140A1

    公开(公告)日：2008-03-06

    申请号：US11877561

    申请日：2007-10-23

    申请人： Ryusuke SAHARA ,  Mitsugu Kusunoki ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu

    发明人： Ryusuke SAHARA ,  Mitsugu Kusunoki ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu

    IPC分类号： H03M1/66

    CPC分类号： H03M1/1061 ,  H03M1/687 ,  H03M1/785 ,  H03M1/808

    摘要： A DAC having a memory mat including a plurality of first memory cells, and a plurality of output lines connected to the plurality of first memory cells. Each of the plurality of memory cells has a first memory portion including bipolar transistors and storing information in non-volatility based on whether a junction of the bipolar transistors is destroyed or not, and a second memory portion connected to the first memory portion and for outputting information to corresponding one of the plurality of output lines. The DAC has a first mode in which information is transferred from the first memory portions to the second memory portions when the information is written into the second memory portions, and a second mode in which the second memory portions are specified externally and information is written into the second memory portions. Thus, the performance of a D/A converter can be improved.

    摘要翻译： 具有包括多个第一存储单元的存储器垫的DAC和连接到多个第一存储单元的多个输出线。 多个存储单元中的每一个具有包括双极晶体管的第一存储器部分，并且基于双极晶体管的结是否被破坏来存储非易失性的信息，以及连接到第一存储器部分并用于输出的第二存储器部分 信息到多个输出行中的相应一个。 DAC具有第一模式，其中当信息被写入第二存储器部分时，信息从第一存储器部分传送到第二存储器部分，以及第二模式，其中第二存储器部分被外部指定并且信息被写入 第二存储器部分。 因此，可以提高D / A转换器的性能。

    Semiconductor device having memory cells implemented with bipolar-transistor-antifuses operating in a first and second mode
    3.
    发明授权
    Semiconductor device having memory cells implemented with bipolar-transistor-antifuses operating in a first and second mode 有权
    具有以第一和第二模式工作的双极晶体管 - 反熔丝实现的存储单元的半导体器件

    公开(公告)号：US07310266B2

    公开(公告)日：2007-12-18

    申请号：US11409963

    申请日：2006-04-25

    申请人： Ryusuke Sahara ,  Mitsugu Kusunoki ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu

    发明人： Ryusuke Sahara ,  Mitsugu Kusunoki ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu

    IPC分类号： G11C11/40 ,  H03M1/66

    CPC分类号： H03M1/1061 ,  H03M1/687 ,  H03M1/785 ,  H03M1/808

    摘要： A DAC having a memory mat including a plurality of first memory cells, and a plurality of output lines connected to the plurality of first memory cells. Each of the plurality of memory cells has a first memory portion including bipolar transistors and storing information in non-volatility based on whether a junction of the bipolar transistors is destroyed or not, and a second memory portion connected to the first memory portion and for outputting information to corresponding one of the plurality of output lines. The DAC has a first mode in which information is transferred from the first memory portions to the second memory portions when the information is written into the second memory portions, and a second mode in which the second memory portions are specified externally and information is written into the second memory portions.

    摘要翻译： 具有包括多个第一存储单元的存储器垫的DAC和连接到多个第一存储单元的多个输出线。 多个存储单元中的每一个具有包括双极晶体管的第一存储器部分，并且基于双极晶体管的结点是否被破坏来存储非易失性的信息，以及连接到第一存储器部分并用于输出的第二存储器部分 信息到多个输出行中的相应一个。 DAC具有第一模式，其中当信息被写入第二存储器部分时，信息从第一存储器部分传送到第二存储器部分，以及第二模式，其中第二存储器部分被外部指定并且信息被写入 第二存储器部分。

    Semiconductor device having D/A conversion portion
    4.
    发明授权
    Semiconductor device having D/A conversion portion 有权
    具有D / A转换部分的半导体器件

    公开(公告)号：US07522083B2

    公开(公告)日：2009-04-21

    申请号：US11877561

    申请日：2007-10-23

    申请人： Ryusuke Sahara ,  Mitsugu Kusunoki ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu

    发明人： Ryusuke Sahara ,  Mitsugu Kusunoki ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu

    IPC分类号： H03M1/78

    CPC分类号： H03M1/1061 ,  H03M1/687 ,  H03M1/785 ,  H03M1/808

    摘要： A DAC having a memory mat including a plurality of first memory cells, and a plurality of output lines connected to the plurality of first memory cells. Each of the plurality of memory cells has a first memory portion including bipolar transistors and storing information in non-volatility based on whether a junction of the bipolar transistors is destroyed or not, and a second memory portion connected to the first memory portion and for outputting information to corresponding one of the plurality of output lines. The DAC has a first mode in which information is transferred from the first memory portions to the second memory portions when the information is written into the second memory portions, and a second mode in which the second memory portions are specified externally and information is written into the second memory portions. Thus, the performance of a D/A converter can be improved.

    摘要翻译： 具有包括多个第一存储单元的存储器垫的DAC和连接到多个第一存储单元的多个输出线。 多个存储单元中的每一个具有包括双极晶体管的第一存储器部分，并且基于双极晶体管的结是否被破坏来存储非易失性的信息，以及连接到第一存储器部分并用于输出的第二存储器部分 信息到多个输出行中的相应一个。 DAC具有第一模式，其中当信息被写入第二存储器部分时，信息从第一存储器部分传送到第二存储器部分，以及第二模式，其中第二存储器部分被外部指定并且信息被写入 第二存储器部分。 因此，可以提高D / A转换器的性能。

    Semiconductor apparatus
    6.
    发明授权
    Semiconductor apparatus 失效
    半导体装置

    公开(公告)号：US07629669B2

    公开(公告)日：2009-12-08

    申请号：US11411096

    申请日：2006-04-26

    申请人： Koji Ishikawa ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu ,  Tamotsu Miyake ,  Mitsugu Kusunoki

    发明人： Koji Ishikawa ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu ,  Tamotsu Miyake ,  Mitsugu Kusunoki

    IPC分类号： H01L27/102

    CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L27/0823 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor apparatus includes a first transistor having a first emitter electrode, a first base electrode, and a first collector electrode in a region over a first region. Base lead-out polysilicon connecting the first base electrode and a first base region passes over a second region provided out of the first region and a resistor element is added. A writing voltage is reduced in an antifuse using two bipolar transistors.

    摘要翻译： 半导体装置包括在第一区域的区域中具有第一发射极，第一基极和第一集电极的第一晶体管。 连接第一基极和第一基极区域的基极引出多晶硅通过在第一区域外提供的第二区域，并且添加电阻元件。 使用两个双极晶体管在反熔丝中减小写入电压。

    THERMAL BARRIER COATING MATERIAL
    9.
    发明申请
    THERMAL BARRIER COATING MATERIAL 审中-公开
    热障涂层材料

    公开(公告)号：US20100242797A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：US12675307

    申请日：2009-02-03

    申请人： Ichiro Nagano ,  Taiji Torigoe ,  Katsunori Akiyama ,  Masato Shida ,  Kazutaka Mori ,  Yasuhiko Tsuru ,  Ikuo Okada

    发明人： Ichiro Nagano ,  Taiji Torigoe ,  Katsunori Akiyama ,  Masato Shida ,  Kazutaka Mori ,  Yasuhiko Tsuru ,  Ikuo Okada

    IPC分类号： C09D5/00

    CPC分类号： C23C30/00 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/9607 ,  C23C4/11 ,  C23C28/322 ,  C23C28/3455 ,  F05B2230/90 ,  Y02T50/67 ,  Y02T50/6765

    摘要： A thermal barrier coating material having a lower thermal conductivity than rare earth stabilized zirconia materials. A thermal barrier coating material comprising mainly a compound represented by composition formula (1): Ln1-xTaxO1.5+x wherein 0.13≦x≦0.24, and Ln represents one or more elements selected from the group consisting of Sc, Y and the lanthanoid elements. Also, a thermal barrier coating material comprising mainly a compound represented by composition formula (2): Ln1-xNbxO1.5+x wherein 0.13≦x≦0.24, and Ln represents one or more elements selected from the group consisting of Sc, Y and the lanthanoid elements. Also, a thermal barrier coating material comprising mainly a cubic compound having a fluorite structure represented by composition formula (3): Ln3NbO7 wherein Ln represents one or more elements selected from the group consisting of Sc, Y and the lanthanoid elements.

    摘要翻译： 一种具有比稀土稳定的氧化锆材料更低热导率的热障涂层材料。 主要由组成式（1）表示的化合物：Ln1-xTaxO1.5 + x的热障涂层材料，其中0.13＆nlE; x＆lt; lE; 0.24和Ln表示选自Sc，Y和 镧系元素。 此外，主要由组成式（2）表示的化合物：Ln1-xNbxO1.5 + x，其中0.13和n1E; x和nlE; 0.24和Ln表示选自Sc，Y的一种或多种元素的热障涂层材料 和镧系元素。 另外，主要包含由组成式（3）表示的萤石结构的立方体化合物：Ln3NbO7的热障涂层材料，其中Ln表示选自Sc，Y和镧系元素中的一种或多种元素。

    HEAT TREATMENT METHOD
    10.
    发明申请
    HEAT TREATMENT METHOD 有权
    热处理方法

    公开(公告)号：US20100221441A1

    公开(公告)日：2010-09-02

    申请号：US12377408

    申请日：2007-09-14

    申请人： Hitoshi Morimoto ,  Hidenobu Tamai ,  Yuya Fujii ,  Kazutaka Mori ,  Taiji Torigoe ,  Yasuhiko Tsuru

    发明人： Hitoshi Morimoto ,  Hidenobu Tamai ,  Yuya Fujii ,  Kazutaka Mori ,  Taiji Torigoe ,  Yasuhiko Tsuru

    IPC分类号： B05D3/02

    CPC分类号： C23C26/00 ,  C21D1/70 ,  C23C4/01 ,  C23C8/04 ,  C23C8/10

    摘要： A silicon resin (7) is applied to the outer wall (1b) of the transition piece (1) subjected to the thermal barrier coating by caulking the cooling holes (2a) provided in the inner wall (1a) by a resin (4). Then, the transition piece (1) is heated in an atmosphere furnace in order to burn or decompose the resin (4). A part of the silicon resin (7) applied to the outer wall (1b) of the transition piece (1) is decomposed or evaporated by the heating to be discharged to the atmosphere in the furnace, but a part of the silicon resin (7) remains and protects the outer wall (1b). Then, since the remaining silicon resin (7) protects the outer wall (1b), it is possible to reduce oxidization of the outer wall (1b) or an unevenness in color caused by the oxidization. Accordingly, it is possible to remarkably reduce the time required to improve an external appearance of the transition piece (1) after the ashing process for the transition piece (1). Moreover, the heat treatment method according to the present invention is not limited to the application to the ashing process for the transition piece (1), but can be applied to the whole product required to be subjected to the heat treatment.

    摘要翻译： 通过用树脂（4）铆接设置在内壁（1a）中的冷却孔（2a），将硅树脂（7）施加到经过隔热涂层的过渡件（1）的外壁（1b） 。 然后，将过渡件（1）在气氛炉中加热，以使树脂（4）燃烧或分解。 施加到过渡件（1）的外壁（1b）上的硅树脂（7）的一部分通过加热分解或蒸发，以排放到炉中的大气中，但是部分硅树脂（7） ）保留并保护外壁（1b）。 然后，由于剩余的硅树脂（7）保护外壁（1b），所以可以减少外壁（1b）的氧化或氧化引起的不均匀性。 因此，可以显着地减少在过渡件（1）的灰化处理之后改善过渡件（1）的外观所需的时间。 此外，本发明的热处理方法不限于对过渡件（1）的灰化处理的应用，而是可以应用于要进行热处理的整个产品。