公开(公告)号：US20160172241A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：US15040148

申请日：2016-02-10

申请人： SILEX MICROSYSTEMS AB

发明人： Thorbjorn EBEFORS ,  Henrik KNUTSSON

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making a substrate-through metal via having a high aspect ratio, in a semiconductor substrate, and a metal pattern on the substrate surface, includes providing a semiconductor substrate (wafer) and depositing poly-silicon on the substrate. The poly-silicon on the substrate surface is patterned by etching away unwanted portions. Then, Ni is selectiveley deposited on the poly-silicon by an electroless process. A via hole is made through the substrate, wherein the walls in the hole is subjected to the same processing as above. Cu is deposited on the Ni by a plating process. Line widths and spacings

摘要翻译： 在半导体衬底和衬底表面上的金属图案中制造具有高纵横比的衬底通过金属通孔的方法包括在衬底上提供半导体衬底（晶片）并沉积多晶硅。 通过蚀刻掉不需要的部分来图案化衬底表面上的多晶硅。 然后，Ni通过无电解方法选择性地沉积在多晶硅上。 通孔穿过基底，其中孔中的壁经受与上述相同的处理。 Cu通过电镀工艺沉积在Ni上。 线宽度和间距<10μm位于晶片的两侧。

公开(公告)号：US20160207758A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：US14914015

申请日：2014-08-26

申请人： SILEX MICROSYSTEMS AB

发明人： Edvard KALVESTEN ,  Thorbjorn EBEFORS ,  Niklas SVEDIN

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0153 ,  B81C2201/036 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/50 ,  H01L23/08 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/16235

摘要： A device includes a base substrate (700) with a micro component (702) attached thereto. Suitably it is provided with routing elements (704) for conducting signals to and from the component (702). It also includes spacer members (706) which also can act as conducting structures for routing signals vertically. There is a capping structure (708) of a glass material, provided above the base substrate (700), bonded via the spacer members (706), preferably by eutectic bonding, wherein the capping structure (708) includes vias (710) including metal for providing electrical connection through the capping structure. The vias can be made by a stamping/pressing method entailing pressing needles under heating to soften the glass and applying pressure, to a predetermined depth in the glass. However, other methods are possible, e-g- drilling, etching, blasting.

摘要翻译： 一种装置包括具有附接到其上的微型部件（702）的基底（700）。 适当地，它设置有用于向组件（702）进行信号的路由选择元件（704）。 它还包括间隔件（706），其也可以用作垂直路线信号的导电结构。 优选地通过共晶接合，通过间隔件（706），设置在基底基板（700）上方的玻璃材料的封盖结构（708），其中封盖结构（708）包括通孔（710），包括金属 用于提供通过封盖结构的电连接。 通孔可以通过冲压/压制方法制成，在加热下需要加压针，使玻璃软化并施加压力至玻璃中预定的深度。 然而，其他方法是可行的，例如钻孔，蚀刻，爆破。