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    METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
    2.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR 有权
    薄膜晶体管的制作方法

    公开(公告)号：US20090093093A1

    公开(公告)日：2009-04-09

    申请号：US11954082

    申请日：2007-12-11

    申请人： Sai-Chang Liu ,  Cheng-Tzu Yang ,  Chien-Wei Wu

    发明人： Sai-Chang Liu ,  Cheng-Tzu Yang ,  Chien-Wei Wu

    IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458

    摘要： A method for fabricating a thin film transistor (TFT) is provided. A substrate having a gate, a dielectric layer, a channel layer and an ohmic contact layer formed thereon is provided. Next, a metal layer is formed over the substrate covering the ohmic contact layer. Next, the metal layer and the ohmic contact layer are simultaneously etched by a wet etching process to form a source/drain and expose the channel layer. Because the wet etching process can be used to selectively etch the ohmic contact layer, damage to the underlying channel layer may be negligible. Thus, the reliability of the device may be promoted. Furthermore, the process may be simplified, the production yield and the throughput of TFT may be increased.

    摘要翻译： 提供一种制造薄膜晶体管（TFT）的方法。 提供了具有形成在其上的栅极，电介质层，沟道层和欧姆接触层的衬底。 接下来，在覆盖欧姆接触层的基板上形成金属层。 接下来，通过湿蚀刻工艺同时蚀刻金属层和欧姆接触层，以形成源极/漏极并暴露沟道层。 因为湿蚀刻工艺可以用于选择性地蚀刻欧姆接触层，所以对下面的通道层的损坏可以忽略不计。 因此，可以提高装置的可靠性。 此外，可以简化该过程，可以提高TFT的产量和产量。

    Method of fabricating thin film transistor
    3.
    发明授权
    Method of fabricating thin film transistor 有权
    制造薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：US07785941B2

    公开(公告)日：2010-08-31

    申请号：US11954082

    申请日：2007-12-11

    申请人： Sai-Chang Liu ,  Cheng-Tzu Yang ,  Chien-Wei Wu

    发明人： Sai-Chang Liu ,  Cheng-Tzu Yang ,  Chien-Wei Wu

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458

    摘要： A method for fabricating a thin film transistor (TFT) is provided. A substrate having a gate, a dielectric layer, a channel layer and an ohmic contact layer formed thereon is provided. Next, a metal layer is formed over the substrate covering the ohmic contact layer. Next, the metal layer and the ohmic contact layer are simultaneously etched by a wet etching process to form a source/drain and expose the channel layer. Because the wet etching process can be used to selectively etch the ohmic contact layer, damage to the underlying channel layer may be negligible. Thus, the reliability of the device may be promoted. Furthermore, the process may be simplified, the production yield and the throughput of TFT may be increased.

    摘要翻译： 提供一种制造薄膜晶体管（TFT）的方法。 提供了具有形成在其上的栅极，电介质层，沟道层和欧姆接触层的衬底。 接下来，在覆盖欧姆接触层的基板上形成金属层。 接下来，通过湿蚀刻工艺同时蚀刻金属层和欧姆接触层，以形成源极/漏极并暴露沟道层。 因为湿蚀刻工艺可以用于选择性地蚀刻欧姆接触层，所以对下面的通道层的损坏可以忽略不计。 因此，可以提高装置的可靠性。 此外，可以简化该过程，可以提高TFT的产量和产量。

    Method of fabricating a thin film transistor
    4.
    发明授权
    Method of fabricating a thin film transistor 有权
    制造薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：US07566404B2

    公开(公告)日：2009-07-28

    申请号：US11670424

    申请日：2007-02-02

    申请人： Sai-Chang Liu ,  Cheng-Tzu Yang ,  Chien-Wei Wu ,  Shuo-Wei Liang

    发明人： Sai-Chang Liu ,  Cheng-Tzu Yang ,  Chien-Wei Wu ,  Shuo-Wei Liang

    IPC分类号： C03C15/00

    CPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

    摘要： An etchant for patterning composite layer containing copper is provided. The etchant includes peracetic acid being about 5% to 40% by weight and serving as a major component, a peracetic acid stabilizer being about 5% to 15% by weight, an organic acid being about 5% to 10% by weight, an inorganic acid being about 5% to 15% by weight, a salt being about 8% to 15% by weight, which are based on the total weight of the etchant.

    摘要翻译： 提供了一种用于图案化复合层含有铜的蚀刻剂。 蚀刻剂包括约5重量％至40重量％的过乙酸和用作主要组分，过乙酸稳定剂为约5重量％至15重量％，有机酸为约5重量％至10重量％，无机 酸为约5重量％至15重量％，盐为约8重量％至15重量％，基于蚀刻剂的总重量计。

    MAGNETIC VALVE AND FLUID SUPPLY SYSTEM USING THE SAME
    5.
    发明申请
    MAGNETIC VALVE AND FLUID SUPPLY SYSTEM USING THE SAME 有权
    磁阀和使用其的流体供应系统

    公开(公告)号：US20130146794A1

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：US13404567

    申请日：2012-02-24

    申请人： Chien-An Chen ,  Chien-Wei Wu

    发明人： Chien-An Chen ,  Chien-Wei Wu

    IPC分类号： F16K31/06 ,  F16K11/07

    CPC分类号： F16K31/088 ,  F16K3/26 ,  F16K5/0414 ,  F16K5/0442 ,  Y10T137/8671

    摘要： A magnetic valve and a fluid supply system using the same are provided. The fluid supply system includes a flow channel and the magnetic valve. The magnetic valve penetrates through a pipe wall of the flow channel, and includes a driving unit, a first magnet and a second magnet, a cover plate, a first and second spools. A first leaning portion of the first spool is disposed at one end of a first sheath portion. The first sheath portion has a first outlet opening. The second magnet is disposed on a surface of the first leaning portion facing to the cover plate. The second spool sleeves the first spool and has a second outlet opening. The first spool rotates relative to the second spool through a magnetic force to control an overlapping area of the first and second outlet openings, so as to control a flow rate.

    摘要翻译： 提供一种电磁阀和使用其的流体供给系统。 流体供应系统包括流动通道和电磁阀。 磁阀穿过流道的管壁，并包括驱动单元，第一磁体和第二磁体，盖板，第一和第二线轴。 第一线轴的第一倾斜部分设置在第一护套部分的一端。 第一护套部分具有第一出口开口。 第二磁体设置在面向盖板的第一倾斜部分的表面上。 第二卷轴套在第一卷轴上并具有第二出口开口。 第一卷轴通过磁力相对于第二卷轴旋转，以控制第一和第二出口的重叠区域，以便控制流速。

    Magnetic valve and fluid supply system using the same
    9.
    发明授权
    Magnetic valve and fluid supply system using the same 有权
    磁阀和流体供应系统使用相同

    公开(公告)号：US09273793B2

    公开(公告)日：2016-03-01

    申请号：US13404567

    申请日：2012-02-24

    申请人： Chien-An Chen ,  Chien-Wei Wu

    发明人： Chien-An Chen ,  Chien-Wei Wu

    IPC分类号： F16K3/26 ,  F16K5/04 ,  F16K31/08

    CPC分类号： F16K31/088 ,  F16K3/26 ,  F16K5/0414 ,  F16K5/0442 ,  Y10T137/8671

    摘要： A magnetic valve and a fluid supply system using the same are provided. The fluid supply system includes a flow channel and the magnetic valve. The magnetic valve penetrates through a pipe wall of the flow channel, and includes a driving unit, a first magnet and a second magnet, a cover plate, a first and second spools. A first leaning portion of the first spool is disposed at one end of a first sheath portion. The first sheath portion has a first outlet opening. The second magnet is disposed on a surface of the first leaning portion facing to the cover plate. The second spool sleeves the first spool and has a second outlet opening. The first spool rotates relative to the second spool through a magnetic force to control an overlapping area of the first and second outlet openings, so as to control a flow rate.

    摘要翻译： 提供一种电磁阀和使用其的流体供给系统。 流体供应系统包括流动通道和电磁阀。 磁阀穿过流道的管壁，并包括驱动单元，第一磁体和第二磁体，盖板，第一和第二线轴。 第一线轴的第一倾斜部分设置在第一护套部分的一端。 第一护套部分具有第一出口开口。 第二磁体设置在面向盖板的第一倾斜部分的表面上。 第二卷轴套在第一卷轴上并具有第二出口开口。 第一卷轴通过磁力相对于第二卷轴旋转，以控制第一和第二出口的重叠区域，以便控制流速。

    Manufacturing method for a TFT electrode for preventing metal layer diffusion
    10.
    发明授权
    Manufacturing method for a TFT electrode for preventing metal layer diffusion 有权
    用于防止金属层扩散的TFT电极的制造方法

    公开(公告)号：US07632694B2

    公开(公告)日：2009-12-15

    申请号：US11375336

    申请日：2006-03-15

    申请人： Cheng-Chung Chen ,  Yu-Chang Sun ,  Yi-Hsun Huang ,  Chien-Wei Wu ,  Shuo-Wei Liang ,  Chia-Hsiang Chen ,  Chi-Shen Lee ,  Chai-Yuan Sheu ,  Yu-Chi Lee ,  Te-Ming Chu ,  Cheng-Hsing Chen

    发明人： Cheng-Chung Chen ,  Yu-Chang Sun ,  Yi-Hsun Huang ,  Chien-Wei Wu ,  Shuo-Wei Liang ,  Chia-Hsiang Chen ,  Chi-Shen Lee ,  Chai-Yuan Sheu ,  Yu-Chi Lee ,  Te-Ming Chu ,  Cheng-Hsing Chen

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L29/78669 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

    摘要： A manufacturing method for a TFT electrode which is implemented to prevent metal ion diffusion to an adjacent insulating layer during fabrication. The method includes, in the order recited, providing a substrate; forming a first metal layer on the substrate which is comprised of one of a single metal layer structure or a multiple metal layer structure; performing a photolithography and etching process on the first metal layer to form a gate electrode of the TFT electrode; forming a transparent conducting electrode on the first metal layer to cover at least the gate electrode and prevent metal ion diffusion during fabrication, the transparent conducting electrode being comprised of one of indium tin oxide, indium zinc oxide, ZnO or an organic material; and forming a pixel electrode which functions as a barrier to prevent metal ion diffusion during fabrication by performing a photolithography and etching process on the transparent conducting electrode.

    摘要翻译： 一种用于在制造期间防止金属离子扩散到相邻绝缘层的TFT电极的制造方法。 该方法按照所述的顺序包括提供衬底; 在所述基板上形成由单金属层结构或多金属层结构中的一个构成的第一金属层; 对所述第一金属层进行光刻和蚀刻处理以形成所述TFT电极的栅电极; 在所述第一金属层上形成透明导电电极以至少覆盖所述栅电极，并且在制造期间防止金属离子扩散，所述透明导电电极由铟锡氧化物，氧化铟锌，Zn​​O或有机材料中的一种构成; 并且通过对透明导电电极进行光刻和蚀刻处理，形成用作阻挡层的像素电极，以防止在制造期间的金属离子扩散。