公开(公告)号：US09543300B2

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：US15054571

申请日：2016-02-26

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Hye-Lan Lee ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Jin Hyun ,  Yu-Gyun Shin ,  Sug-Hun Hong ,  Hoon-Joo Na ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L23/485 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0811 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a CMOS transistor, a semiconductor device having the transistor, and a semiconductor module having the device. The CMOS transistor may include first and second interconnection structures respectively disposed in first and second regions of a semiconductor substrate. The first and second regions of the semiconductor substrate may have different conductivity types. The first and second interconnection structures may be disposed on the semiconductor substrate. The first interconnection structure may have a different stacked structure from the second interconnection structure. The CMOS transistor may be disposed in the semiconductor device. The semiconductor device may be disposed in the semiconductor module.

摘要翻译： 提供了CMOS晶体管，具有晶体管的半导体器件和具有该器件的半导体模块。 CMOS晶体管可以包括分别设置在半导体衬底的第一和第二区域中的第一和第二互连结构。 半导体衬底的第一和第二区域可以具有不同的导电类型。 第一和第二互连结构可以设置在半导体衬底上。 第一互连结构可以具有与第二互连结构不同的堆叠结构。 CMOS晶体管可以设置在半导体器件中。 半导体器件可以设置在半导体模块中。

公开(公告)号：US08604551B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13842002

申请日：2013-03-15

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Sung-Woo Hyun ,  Yu-Gyun Shin ,  Sun-Ghil Lee ,  Hong-Sik Yoon

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a first region and a second region. Each of the first region and second region includes a trench, an epitaxial layer including a source/drain having a first part and a second part, the first part extending from a top surface of the substrate to a top surface of the source/drain and the second part extending from the top surface of the substrate to a bottom surface of the source/drain in the trench. The cross-sectional shape of the first part of the source/drain of the first region is the same as the cross-sectional shape of the first part of the source/drain of the second region. The cross-sectional shape of the second past of the source/drain of the find region is different from the cross-sectional shape of the second part of the source/drain of the second region.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，第一区域和第二区域。 第一区域和第二区域中的每一个包括沟槽，包括具有第一部分和第二部分的源极/漏极的外延层，第一部分从衬底的顶表面延伸到源极/漏极的顶表面， 第二部分从衬底的顶表面延伸到沟槽中的源极/漏极的底表面。 第一区域的源极/漏极的第一部分的截面形状与第二区域的源极/漏极的第一部分的横截面形状相同。 查找区域的源极/漏极的第二过去的截面形状与第二区域的源极/漏极的第二部分的截面形状不同。