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    Non-volatile memory devices and programming methods thereof including moving electrons through pad oxide layers between charge trap layers
    3.
    发明授权
    Non-volatile memory devices and programming methods thereof including moving electrons through pad oxide layers between charge trap layers 失效
    非易失性存储器件及其编程方法，包括通过电荷陷阱层之间的衬垫氧化物层移动电子

    公开(公告)号：US07668016B2

    公开(公告)日：2010-02-23

    申请号：US12078141

    申请日：2008-03-27

    申请人： Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Sang-moo Choi

    发明人： Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Sang-moo Choi

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C16/10 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7923

    摘要： Non-volatile memory devices and methods of programming a non-volatile memory device in which electrons are moved between charge trap layers through a pad oxide layer are provided. The non-volatile memory devices include a charge trap layer on a semiconductor substrate and storing electrons, a pad oxide layer on the first charge trap layer, and a second trap layer on the pad oxide layer and storing electrons. In a programming mode in which data is written, the stored electrons are moved between a first position of the first charge trap layer and a first position of the second charge trap layer through the pad oxide layer or between a second position of the first charge trap layer and a second position of the second charge trap layer through the pad oxide layer.

    摘要翻译： 提供非易失性存储器件以及通过衬垫氧化物层对电子在电荷陷阱层之间移动的非易失性存储器件进行编程的方法。 非易失性存储器件包括半导体衬底上的电荷陷阱层，并且存储电子，在第一电荷陷阱层上形成焊盘氧化物层，并且在焊盘氧化物层上存储第二陷阱层并存储电子。 在写入数据的编程模式中，所存储的电子在第一电荷陷阱层的第一位置和第二电荷陷阱层的第一位置之间通过焊盘氧化物层或第一电荷陷阱的第二位置之间移动 层和第二电荷陷阱层的第二位置穿过衬垫氧化物层。

    Non-volatile memory devices and programming methods thereof including moving electrons through pad oxide layers between charge trap layers
    4.
    发明申请
    Non-volatile memory devices and programming methods thereof including moving electrons through pad oxide layers between charge trap layers 失效
    非易失性存储器件及其编程方法，包括通过电荷陷阱层之间的衬垫氧化物层移动电子

    公开(公告)号：US20090034341A1

    公开(公告)日：2009-02-05

    申请号：US12078141

    申请日：2008-03-27

    申请人： Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Sang-moo Choi

    发明人： Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Sang-moo Choi

    IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L29/792

    CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C16/10 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7923

    摘要： Non-volatile memory devices and methods of programming a non-volatile memory device in which electrons are moved between charge trap layers through a pad oxide layer are provided. The non-volatile memory devices include a charge trap layer on a semiconductor substrate and storing electrons, a pad oxide layer on the first charge trap layer, and a second trap layer on the pad oxide layer and storing electrons. In a programming mode in which data is written, the stored electrons are moved between a first position of the first charge trap layer and a first position of the second charge trap layer through the pad oxide layer or between a second position of the first charge trap layer and a second position of the second charge trap layer through the pad oxide layer.

    摘要翻译： 提供非易失性存储器件以及通过衬垫氧化物层对电子在电荷陷阱层之间移动的非易失性存储器件进行编程的方法。 非易失性存储器件包括半导体衬底上的电荷陷阱层，并且存储电子，在第一电荷陷阱层上形成焊盘氧化物层，并且在焊盘氧化物层上存储第二陷阱层并存储电子。 在写入数据的编程模式中，所存储的电子在第一电荷陷阱层的第一位置和第二电荷陷阱层的第一位置之间通过焊盘氧化物层或第一电荷陷阱的第二位置之间移动 层和第二电荷陷阱层的第二位置穿过衬垫氧化物层。

    Gate stack, capacitorless dynamic random access memory including the gate stack and methods of manufacturing and operating the same
    7.
    发明申请
    Gate stack, capacitorless dynamic random access memory including the gate stack and methods of manufacturing and operating the same 审中-公开
    门堆叠，无电容动态随机存取存储器，包括栅极堆栈及其制造和操作方法

    公开(公告)号：US20090021979A1

    公开(公告)日：2009-01-22

    申请号：US12007012

    申请日：2008-01-04

    申请人： Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Sang-moo Choi

    发明人： Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Sang-moo Choi

    IPC分类号： G11C11/40 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

    CPC分类号： H01L27/108 ,  G11C11/404 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/792

    摘要： Provided are a gate stack, a capacitorless dynamic random access memory (DRAM) including the gate stack and methods of manufacturing and operating the same. The gate stack for a capacitorless DRAM may include a tunnel insulating layer on a substrate, a first charge trapping layer on the tunnel insulating layer, an interlayer insulating layer on the first charge trapping layer, a second charge trapping layer on the interlayer insulating layer, a blocking insulating layer on the second charge trapping layer, and a gate electrode on the blocking insulating layer. The capacitorless DRAM may include the gate stack on the substrate, and a source and a drain in the substrate on both sides of the gate stack.

    摘要翻译： 提供了一种栅极堆叠，包括栅极堆叠的无电容动态随机存取存储器（DRAM）及其制造和操作的方法。 用于无电容器DRAM的栅极堆叠可以包括衬底上的隧道绝缘层，隧道绝缘层上的第一电荷俘获层，第一电荷俘获层上的层间绝缘层，层间绝缘层上的第二电荷俘获层， 第二电荷俘获层上的阻挡绝缘层，以及阻挡绝缘层上的栅电极。 无电容器DRAM可以包括衬底上的栅极堆叠，以及栅极叠层两侧的衬底中的源极和漏极。

    Phase change memory devices including phase change layer formed by selective growth methods and methods of manufacturing the same
    8.
    发明申请
    Phase change memory devices including phase change layer formed by selective growth methods and methods of manufacturing the same 有权
    相变存储器件包括通过选择性生长方法形成的相变层及其制造方法

    公开(公告)号：US20110212568A1

    公开(公告)日：2011-09-01

    申请号：US13064410

    申请日：2011-03-23

    申请人： Woong-chul Shin

    发明人： Woong-chul Shin

    IPC分类号： H01L21/12

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase change memory device including a phase change layer includes a storage node and a switching device. The switching device is connected to the storage node. The storage node includes a phase change layer selectively grown on a lower electrode. In a method of manufacturing a phase change memory device, an insulating interlayer is formed on a semiconductor substrate to cover a switching device. A lower electrode connected to the switching device is formed, and a phase change layer is selectively grown on the lower electrode.

    摘要翻译： 包括相变层的相变存储器件包括存储节点和开关器件。 交换设备连接到存储节点。 存储节点包括选择性地生长在下电极上的相变层。 在制造相变存储器件的方法中，在半导体衬底上形成绝缘中间层以覆盖开关器件。 形成与开关元件连接的下电极，在下电极上选择性地生长相变层。

    Method of forming phase change layer using a germanium precursor and method of manufacturing phase change memory device using the same
    9.
    发明授权
    Method of forming phase change layer using a germanium precursor and method of manufacturing phase change memory device using the same 失效
    使用锗前体形成相变层的方法和使用其制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US08003162B2

    公开(公告)日：2011-08-23

    申请号：US11979778

    申请日：2007-11-08

    申请人： Woong-chul Shin ,  Jae-ho Lee ,  Youn-seon Kang

    发明人： Woong-chul Shin ,  Jae-ho Lee ,  Youn-seon Kang

    IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/22 ,  H01L21/20

    CPC分类号： G11C11/5678 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/31678

    摘要： A method of forming a phase change layer using a Ge compound and a method of manufacturing a phase change memory device using the same are provided. The method of manufacturing a phase change memory device included supplying a first precursor on a lower layer on which the phase change layer is to be formed, wherein the first precursor is a bivalent precursor including germanium (Ge) and having a cyclic structure. The first precursor may be a cyclic germylenes Ge-based compound or a macrocyclic germylenes Ge-based, having a Ge—N bond. The phase change layer may be formed using a MOCVD method, cyclic-CVD method or an ALD method. The composition of the phase change layer may be controlled by a deposition pressure in a range of 0.001 torr-10 torr, a deposition temperature in a range of 150° C. to 350° C. and/or a flow rate of a reaction gas in the range of 0-1 slm.

    摘要翻译： 提供了使用Ge化合物形成相变层的方法以及使用该化合物的相变存储器件的制造方法。 制造相变存储器件的方法包括在其上形成相变层的下层上提供第一前体，其中第一前体是包含锗（Ge）并具有环状结构的二价前体。 第一前体可以是具有Ge-N键的环状锗烷Ge基化合物或大环锗基Ge。 相变层可以使用MOCVD法，循环CVD法或ALD法形成。 相变层的组成可以通过在0.001托-10托的范围内的沉积压力，150℃至350℃的沉积温度和/或反应气体的流量来控制 在0-1 slm的范围内。