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    CRITICAL DIMENSION REDUCTION AND ROUGHNESS CONTROL
    2.
    发明申请
    CRITICAL DIMENSION REDUCTION AND ROUGHNESS CONTROL 有权
    关键尺寸减少和粗糙度控制

    公开(公告)号：US20120309201A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：US13586571

    申请日：2012-08-15

    申请人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S.M. Reza Sadjadi

    发明人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S.M. Reza Sadjadi

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S438/947

    摘要： A method for forming a feature in an etch layer is provided. A photoresist layer is formed over the etch layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A control layer is formed over the photoresist layer and bottoms of the photoresist features. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features and control layer to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Openings in the control layer are opened with a control layer breakthrough chemistry. Features are etched into the etch layer with an etch chemistry, which is different from the control layer break through chemistry, wherein the control layer is more etch resistant to the etch with the etch chemistry than the conformal layer.

    摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 在光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂特征的底部上形成控制层。 在光致抗蚀剂特征和控制层的侧壁上沉积保形层以减少光刻胶特征的临界尺寸。 控制层的开口打开，控制层突破性化学。 特征被蚀刻到蚀刻层中，其蚀刻化学性质不同于控制层突破性化学，其中控制层比蚀刻化学性质比共形层更耐蚀刻蚀刻。

    Critical dimension reduction and roughness control
    3.
    发明授权
    Critical dimension reduction and roughness control 失效
    关键尺寸减小和粗糙度控制

    公开(公告)号：US07695632B2

    公开(公告)日：2010-04-13

    申请号：US11142509

    申请日：2005-05-31

    申请人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S.M. Reza Sadjadi

    发明人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S.M. Reza Sadjadi

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S438/947

    摘要： A method for forming a feature in an etch layer is provided. A photoresist layer is formed over the etch layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A control layer is formed over the photoresist layer and bottoms of the photoresist features. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features and control layer to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Openings in the control layer are opened with a control layer breakthrough chemistry. Features are etched into the etch layer with an etch chemistry, which is different from the control layer break through chemistry, wherein the control layer is more etch resistant to the etch with the etch chemistry than the conformal layer.

    摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 在光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂特征的底部上形成控制层。 在光致抗蚀剂特征和控制层的侧壁上沉积保形层以减少光刻胶特征的临界尺寸。 控制层的开口打开，控制层突破性化学。 特征被蚀刻到蚀刻层中，其蚀刻化学性质不同于控制层突破性化学，其中控制层比蚀刻化学性质比共形层更耐蚀刻蚀刻。

    Critical dimension reduction and roughness control
    4.
    发明授权
    Critical dimension reduction and roughness control 有权
    关键尺寸减小和粗糙度控制

    公开(公告)号：US08268118B2

    公开(公告)日：2012-09-18

    申请号：US12711420

    申请日：2010-02-24

    申请人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

    发明人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S438/947

    摘要： A method for forming a feature in an etch layer is provided. A photoresist layer is formed over the etch layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A control layer is formed over the photoresist layer and bottoms of the photoresist features. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features and control layer to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Openings in the control layer are opened with a control layer breakthrough chemistry. Features are etched into the etch layer with an etch chemistry, which is different from the control layer break through chemistry, wherein the control layer is more etch resistant to the etch with the etch chemistry than the conformal layer.

    摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 在光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂特征的底部上形成控制层。 在光致抗蚀剂特征和控制层的侧壁上沉积保形层以减少光刻胶特征的临界尺寸。 控制层的开口打开，控制层突破性化学。 特征被蚀刻到蚀刻层中，其蚀刻化学性质不同于控制层突破性化学，其中控制层比蚀刻化学性质比共形层更耐蚀刻蚀刻。

    Critical dimension reduction and roughness control
    5.
    发明授权
    Critical dimension reduction and roughness control 有权
    关键尺寸减小和粗糙度控制

    公开(公告)号：US08614149B2

    公开(公告)日：2013-12-24

    申请号：US13586571

    申请日：2012-08-15

    申请人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

    发明人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S438/947

    摘要： A method for forming a feature in an etch layer is provided. A photoresist layer is formed over the etch layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A control layer is formed over the photoresist layer and bottoms of the photoresist features. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features and control layer to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Openings in the control layer are opened with a control layer breakthrough chemistry. Features are etched into the etch layer with an etch chemistry, which is different from the control layer break through chemistry, wherein the control layer is more etch resistant to the etch with the etch chemistry than the conformal layer.

    摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 在光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂特征的底部上形成控制层。 在光致抗蚀剂特征和控制层的侧壁上沉积保形层以减少光刻胶特征的临界尺寸。 控制层的开口打开，控制层突破性化学。 特征被蚀刻到蚀刻层中，其蚀刻化学性质不同于控制层突破化学，其中控制层比蚀刻化学性质比保形层蚀刻更耐腐蚀。

    Etch with photoresist mask
    6.
    发明授权
    Etch with photoresist mask 失效
    刻蚀光刻胶掩模

    公开(公告)号：US07442649B2

    公开(公告)日：2008-10-28

    申请号：US11094559

    申请日：2005-03-29

    申请人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Binet A. Worsham ,  Robert Charatan ,  S.M. Reza Sadjadi

    发明人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Binet A. Worsham ,  Robert Charatan ,  S.M. Reza Sadjadi

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/31116

    摘要： A method for etching a dielectric layer over a substrate is provided. A photoresist mask is formed over the dielectric layer. The substrate is placed in a plasma processing chamber. An etchant gas comprising NF3 is provided into the plasma chamber. A plasma is formed from the NF3 gas. The dielectric layer is etched through the photoresist mask with the plasma from the NF3 gas.

    摘要翻译： 提供了一种在衬底上蚀刻电介质层的方法。 在电介质层上形成光致抗蚀剂掩模。 将基板放置在等离子体处理室中。 包含NF 3 N的蚀刻剂气体被提供到等离子体室中。 从NF 3 N气体形成等离子体。 通过来自NF 3 N 3气体的等离子体通过光致抗蚀剂掩模蚀刻电介质层。

    Apparatus for the deposition of a conformal film on a substrate and methods therefor
    7.
    发明授权
    Apparatus for the deposition of a conformal film on a substrate and methods therefor 有权
    用于在基底上沉积保形膜的装置及其方法

    公开(公告)号：US08357434B1

    公开(公告)日：2013-01-22

    申请号：US11304223

    申请日：2005-12-13

    申请人： Dae-han Choi ,  Jisoo Kim ,  Eric Hudson ,  Sangheon Lee ,  Conan Chiang ,  S. M. Reza Sadjadi

    发明人： Dae-han Choi ,  Jisoo Kim ,  Eric Hudson ,  Sangheon Lee ,  Conan Chiang ,  S. M. Reza Sadjadi

    IPC分类号： H05H1/24

    CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834

    摘要： A method for depositing a conformal film on a substrate in a plasma processing chamber of a plasma processing system, the substrate being disposed on a chuck, the chuck being coupled to a cooling apparatus, is disclosed. The method includes flowing a first gas mixture into the plasma processing chamber at a first pressure, wherein the first gas mixture includes at least carbon, and wherein the first gas mixture has a condensation temperature. The method also includes cooling the chuck below the condensation temperature using the cooling apparatus thereby allowing at least some of the first gas mixture to condense on a surface of the substrate. The method further includes venting the first gas mixture from the processing chamber; flowing a second gas mixture into the plasma processing chamber, the second gas mixture being different in composition from the first gas mixture; and striking a plasma to form the conformal film.

    摘要翻译： 公开了一种在等离子体处理系统的等离子体处理室中的基板上沉积保形膜的方法，该基板设置在卡盘上，该卡盘与冷却装置连接。 该方法包括在第一压力下将第一气体混合物流入等离子体处理室，其中第一气体混合物至少包括碳，并且其中第一气体混合物具有冷凝温度。 该方法还包括使用冷却装置将夹盘冷却至冷凝温度以下，从而允许至少一些第一气体混合物在基板的表面上冷凝。 该方法还包括从处理室排出第一气体混合物; 将第二气体混合物流入等离子体处理室，第二气体混合物的组成与第一气体混合物不同; 并冲击等离子体以形成保形膜。

    Vertical profile fixing
    8.
    发明申请
    Vertical profile fixing 有权
    垂直型材固定

    公开(公告)号：US20070075038A1

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：US11244870

    申请日：2005-10-05

    申请人： S.M. Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Jisoo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric Hudson

    发明人： S.M. Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Jisoo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric Hudson

    IPC分类号： B44C1/22 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C03C15/00

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/31144

    摘要： A method for etching features in an etch layer is provided. A patterned photoresist mask is formed over the etch layer with photoresist features with sidewalls wherein the sidewalls of the photoresist features have irregular profiles along depths of the photoresist features. The irregular profiles along the depths of the photoresist features of the sidewalls of the photoresist features are corrected comprising at least one cycle, where each cycle comprises a sidewall deposition phase and a profile shaping phase. Feature is etched into the etch layer through the photoresist features. The mask is removed.

    摘要翻译： 提供了一种蚀刻蚀刻层中的特征的方法。 在具有侧壁的光致抗蚀剂特征的蚀刻层上形成图案化的光致抗蚀剂掩模，其中光致抗蚀剂特征的侧壁沿光致抗蚀剂特征的深度具有不规则的轮廓。 沿光致抗蚀剂特征的侧壁的光致抗蚀剂特征的深度的不规则轮廓被校正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和轮廓成形阶段。 通过光致抗蚀剂特征将特征蚀刻到蚀刻层中。 去除面具。

    Vertical profile fixing
    9.
    发明授权
    Vertical profile fixing 有权
    垂直型材固定

    公开(公告)号：US07682516B2

    公开(公告)日：2010-03-23

    申请号：US11244870

    申请日：2005-10-05

    申请人： S. M. Reza Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Jisoo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric A. Hudson

    发明人： S. M. Reza Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Jisoo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric A. Hudson

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/31144

    摘要： A method for etching features in an etch layer is provided. A patterned photoresist mask is formed over the etch layer with photoresist features with sidewalls wherein the sidewalls of the photoresist features have irregular profiles along depths of the photoresist features. The irregular profiles along the depths of the photoresist features of the sidewalls of the photoresist features are corrected comprising at least one cycle, where each cycle comprises a sidewall deposition phase and a profile shaping phase. Feature is etched into the etch layer through the photoresist features. The mask is removed.

    摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻蚀刻层中的特征的方法。 在具有侧壁的光致抗蚀剂特征的蚀刻层上形成图案化的光致抗蚀剂掩模，其中光致抗蚀剂特征的侧壁沿光致抗蚀剂特征的深度具有不规则的轮廓。 沿光致抗蚀剂特征的侧壁的光致抗蚀剂特征的深度的不规则轮廓被校正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和轮廓成形阶段。 通过光致抗蚀剂特征将特征蚀刻到蚀刻层中。 去除面具。

    Etch with photoresist mask
    10.
    发明申请
    Etch with photoresist mask 失效
    刻蚀光刻胶掩模

    公开(公告)号：US20060223327A1

    公开(公告)日：2006-10-05

    申请号：US11094559

    申请日：2005-03-29

    申请人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Binet Worsham ,  Robert Charatan ,  S.M. Sadjadi

    发明人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Binet Worsham ,  Robert Charatan ,  S.M. Sadjadi

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/31116

    摘要： A method for etching a dielectric layer over a substrate is provided. A photoresist mask is formed over the dielectric layer. The substrate is placed in a plasma processing chamber. An etchant gas comprising NF3 is provided into the plasma chamber. A plasma is formed from the NF3 gas. The dielectric layer is etched through the photoresist mask with the plasma from the NF3 gas.

    摘要翻译： 提供了一种在衬底上蚀刻电介质层的方法。 在电介质层上形成光致抗蚀剂掩模。 将基板放置在等离子体处理室中。 包含NF 3 N的蚀刻剂气体被提供到等离子体室中。 从NF 3 N气体形成等离子体。 通过来自NF 3 N 3气体的等离子体通过光致抗蚀剂掩模蚀刻电介质层。