公开(公告)号：US08357434B1

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US11304223

申请日：2005-12-13

申请人： Dae-han Choi ,  Jisoo Kim ,  Eric Hudson ,  Sangheon Lee ,  Conan Chiang ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Dae-han Choi ,  Jisoo Kim ,  Eric Hudson ,  Sangheon Lee ,  Conan Chiang ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834

摘要： A method for depositing a conformal film on a substrate in a plasma processing chamber of a plasma processing system, the substrate being disposed on a chuck, the chuck being coupled to a cooling apparatus, is disclosed. The method includes flowing a first gas mixture into the plasma processing chamber at a first pressure, wherein the first gas mixture includes at least carbon, and wherein the first gas mixture has a condensation temperature. The method also includes cooling the chuck below the condensation temperature using the cooling apparatus thereby allowing at least some of the first gas mixture to condense on a surface of the substrate. The method further includes venting the first gas mixture from the processing chamber; flowing a second gas mixture into the plasma processing chamber, the second gas mixture being different in composition from the first gas mixture; and striking a plasma to form the conformal film.

摘要翻译： 公开了一种在等离子体处理系统的等离子体处理室中的基板上沉积保形膜的方法，该基板设置在卡盘上，该卡盘与冷却装置连接。 该方法包括在第一压力下将第一气体混合物流入等离子体处理室，其中第一气体混合物至少包括碳，并且其中第一气体混合物具有冷凝温度。 该方法还包括使用冷却装置将夹盘冷却至冷凝温度以下，从而允许至少一些第一气体混合物在基板的表面上冷凝。 该方法还包括从处理室排出第一气体混合物; 将第二气体混合物流入等离子体处理室，第二气体混合物的组成与第一气体混合物不同; 并冲击等离子体以形成保形膜。

公开(公告)号：US08614149B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US13586571

申请日：2012-08-15

申请人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S438/947

摘要： A method for forming a feature in an etch layer is provided. A photoresist layer is formed over the etch layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A control layer is formed over the photoresist layer and bottoms of the photoresist features. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features and control layer to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Openings in the control layer are opened with a control layer breakthrough chemistry. Features are etched into the etch layer with an etch chemistry, which is different from the control layer break through chemistry, wherein the control layer is more etch resistant to the etch with the etch chemistry than the conformal layer.

摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 在光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂特征的底部上形成控制层。 在光致抗蚀剂特征和控制层的侧壁上沉积保形层以减少光刻胶特征的临界尺寸。 控制层的开口打开，控制层突破性化学。 特征被蚀刻到蚀刻层中，其蚀刻化学性质不同于控制层突破化学，其中控制层比蚀刻化学性质比保形层蚀刻更耐腐蚀。

公开(公告)号：US08268118B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12711420

申请日：2010-02-24

申请人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S438/947

摘要： A method for forming a feature in an etch layer is provided. A photoresist layer is formed over the etch layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A control layer is formed over the photoresist layer and bottoms of the photoresist features. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features and control layer to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Openings in the control layer are opened with a control layer breakthrough chemistry. Features are etched into the etch layer with an etch chemistry, which is different from the control layer break through chemistry, wherein the control layer is more etch resistant to the etch with the etch chemistry than the conformal layer.

摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 在光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂特征的底部上形成控制层。 在光致抗蚀剂特征和控制层的侧壁上沉积保形层以减少光刻胶特征的临界尺寸。 控制层的开口打开，控制层突破性化学。 特征被蚀刻到蚀刻层中，其蚀刻化学性质不同于控制层突破性化学，其中控制层比蚀刻化学性质比共形层更耐蚀刻蚀刻。

公开(公告)号：US08592318B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12742073

申请日：2008-11-07

申请人： Jisoo Kim ,  Conan Chiang ,  Jun Shinagawa ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Jisoo Kim ,  Conan Chiang ,  Jun Shinagawa ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/302 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/32139

摘要： A method for etching an etch layer disposed over a substrate and below an antireflective coating (ARC) layer and a patterned organic mask with mask features is provided. The substrate is placed in a process chamber. The ARC layer is opened. An oxide spacer deposition layer is formed. The oxide spacer deposition layer on the organic mask is partially removed, where at least the top portion of the oxide spacer deposition layer is removed. The organic mask and the ARC layer are removed by etching. The etch layer is etched through the sidewalls of the oxide spacer deposition layer. The substrate is removed from the process chamber.

摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻设置在基板上方并且在抗反射涂层（ARC）层下方的蚀刻层和具有掩模特征的图案化有机掩模的方法。 将基板放置在处理室中。 ARC层打开。 形成氧化物间隔物沉积层。 部分去除有机掩模上的氧化物间隔物沉积层，其中氧化物间隔物沉积层的至少顶部被去除。 通过蚀刻除去有机掩模和ARC层。 通过氧化物隔离层沉积层的侧壁蚀刻蚀刻层。 将衬底从处理室中取出。

公开(公告)号：US07560388B2

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US11291303

申请日：2005-11-30

申请人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0338

摘要： A method providing features in a dielectric layer is provided. A sacrificial layer is formed over the dielectric layer. A set of sacrificial layer features is etched into the sacrificial layer. A first set of dielectric layer features is etched into the dielectric layer through the sacrificial layer. The first set of dielectric layer features and the set of sacrificial layer features are filled with a filler material. The sacrificial layer is removed. The widths of the spaces between the parts of the filler material are shrunk with a shrink sidewall deposition. A second set of dielectric layer features is etched into the dielectric layer through the shrink sidewall deposition. The filler material and shrink sidewall deposition are removed.

摘要翻译： 提供了一种在电介质层中提供特征的方法。 在电介质层上形成牺牲层。 一组牺牲层特征被蚀刻到牺牲层中。 通过牺牲层将介电层特征的第一组蚀刻到介电层中。 第一组介电层特征和一组牺牲层特征用填充材料填充。 牺牲层被去除。 填充材料的各部分之间的间隙的宽度随收缩侧壁沉积而收缩。 通过收缩侧壁沉积将第二组介电层特征蚀刻到介电层中。 去除填充材料和收缩侧壁沉积。

公开(公告)号：US07476610B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11598242

申请日：2006-11-10

申请人： Ji Soo Kim ,  Conan Chiang ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi ,  Michael Goss

发明人： Ji Soo Kim ,  Conan Chiang ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi ,  Michael Goss

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A method for forming semiconductor devices is provided. A gate stack is formed over a surface of a substrate. A plurality of cycles for forming polymer spacers on sides of the gate stack is provided, where each cycle comprises providing a deposition phase that deposits material on the sides of the polymer spacer and over the surface of the substrate, and providing a cleaning phase that removes polymer over the surface of the substrate and shapes a profile of the deposited material. Dopant is implanted into the substrate using the polymer spacers as a dopant mask. The polymer spacers are removed.

摘要翻译： 提供了一种用于形成半导体器件的方法。 栅极堆叠形成在衬底的表面上。 提供了用于在栅极叠层的侧面上形成聚合物间隔物的多个循环，其中每个循环包括提供沉积相，其沉积材料在聚合物间隔物的侧面上并在基底的表面上，并提供清除相 聚合物在基材的表面上并且形成沉积材料的轮廓。 使用聚合物间隔物作为掺杂剂掩模将掺杂剂注入到衬底中。 去除聚合物间隔物。

公开(公告)号：US20080111166A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11598242

申请日：2006-11-10

申请人： Ji Soo Kim ,  Conan Chiang ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi ,  Michael Goss

发明人： Ji Soo Kim ,  Conan Chiang ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi ,  Michael Goss

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A method for forming semiconductor devices is provided. A gate stack is formed over a surface of a substrate. A plurality of cycles for forming polymer spacers on sides of the gate stack is provided, where each cycle comprises providing a deposition phase that deposits material on the sides of the polymer spacer and over the surface of the substrate, and providing a cleaning phase that removes polymer over the surface of the substrate and shapes a profile of the deposited material. Dopant is implanted into the substrate using the polymer spacers as a dopant mask. The polymer spacers are removed.

摘要翻译： 提供了一种用于形成半导体器件的方法。 栅极堆叠形成在衬底的表面上。 提供了用于在栅极叠层的侧面上形成聚合物间隔物的多个循环，其中每个循环包括提供沉积相，其沉积材料在聚合物间隔物的侧面上并在基底的表面上，并提供清除相 聚合物在基材的表面上并且形成沉积材料的轮廓。 使用聚合物间隔物作为掺杂剂掩模将掺杂剂注入到衬底中。 去除聚合物间隔物。

公开(公告)号：US07098130B1

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US11016304

申请日：2004-12-16

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76813

摘要： A method for forming dual damascene features in a dielectric layer. Vias are partially etched in the dielectric layer. A trench pattern mask is formed over the dielectric layer. Trenches are partially etched in the dielectric layer. The trench pattern mask is stripped. The dielectric layer is further etched to complete etch the vias and the trenches in the dielectric layer.

摘要翻译： 一种在介电层中形成双镶嵌特征的方法。 在电介质层中部分地蚀刻通孔。 在电介质层上形成沟槽图案掩模。 在介电层中部分蚀刻沟槽。 剥去沟槽图案掩模。 进一步蚀刻电介质层以完成蚀刻介电层中的通路和沟槽。

公开(公告)号：US07390749B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US11558238

申请日：2006-11-09

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

摘要： A method for providing features in an etch layer with a memory region and a peripheral region is provided. A memory patterned mask is formed over a first sacrificial layer. A first set of sacrificial layer features is etched into the first sacrificial layer and a second sacrificial layer. Features of the first set of sacrificial layer features are filled with filler material. The first sacrificial layer is removed. The spaces are shrunk with a shrink sidewall deposition. A second set of sacrificial layer features is etched into the second sacrificial layer. The filler material and shrink sidewall deposition are removed. A peripheral patterned mask is formed over the memory region and peripheral region. The second sacrificial layer is etched through the peripheral patterned mask. The peripheral patterned mask is removed. Features are etched into the etch layer from the second sacrificial layer.

摘要翻译： 提供了一种用于在具有存储区域和周边区域的蚀刻层中提供特征的方法。 存储器图案化掩模形成在第一牺牲层上。 第一组牺牲层特征被蚀刻到第一牺牲层和第二牺牲层中。 第一组牺牲层特征的特征填充有填充材料。 第一牺牲层被去除。 这些空间随着收缩侧壁沉积而收缩。 第二组牺牲层特征被蚀刻到第二牺牲层中。 去除填充材料和收缩侧壁沉积。 在存储器区域和外围区域上形成周边图案化掩模。 通过外围图案化掩模蚀刻第二牺牲层。 去除周边图案掩模。 特征从第二牺牲层蚀刻到蚀刻层中。

公开(公告)号：US20080146032A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11610953

申请日：2006-12-14

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Deepak K. Gupta ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Deepak K. Gupta ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/312

摘要： A method for etching features in an etch layer disposed below a mask on a process wafer is provided. A hydrocarbon based glue layer is deposited. The etch layer on the process wafer is etched with at least one cycle, wherein each cycle comprises depositing a hydrofluorocarbon layer over the mask and on the hydrocarbon based glue layer, wherein the hydrocarbon based glue layer increases adhesion of the hydrofluorocarbon layer and etching the etch layer.

摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻设置在处理晶片上的掩模下方的蚀刻层中的特征的方法。 沉积烃基胶层。 用至少一个循环蚀刻处理晶片上的蚀刻层，其中每个循环包括在掩模上和基于烃的胶层上沉积氢氟烃层，其中基于烃的胶层增加氢氟烃层的粘附和蚀刻蚀刻 层。