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    Built-in self test for a thermal processing system
    1.
    发明授权
    Built-in self test for a thermal processing system 有权
    热处理系统内置自检

    公开(公告)号：US07165011B1

    公开(公告)日：2007-01-16

    申请号：US11217230

    申请日：2005-09-01

    申请人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima ,  Anthony Dip ,  David Smith ,  Raymond Joe ,  Sundar Gandhi

    发明人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima ,  Anthony Dip ,  David Smith ,  Raymond Joe ,  Sundar Gandhi

    IPC分类号： G06F11/30 ,  G06F15/00

    CPC分类号： H01L22/10 ,  G05B23/0254 ,  H01L21/67248

    摘要： A method of monitoring a thermal processing system in real-time using a built-in self test (BIST) table that includes positioning a plurality of wafers in a processing chamber in the thermal processing system; executing a real-time dynamic model to generate a predicted dynamic process response for the processing chamber during the processing time; creating a first measured dynamic process response; determining a dynamic estimation error using a difference between the predicted dynamic process response and the measured dynamic process response; and comparing the dynamic estimation error to operational thresholds established by one or more rules in the BIST table.

    摘要翻译： 一种使用内置自检（BIST）表实时监测热处理系统的方法，其包括将多个晶片定位在热处理系统中的处理室中; 执行实时动态模型以在处理时间期间为处理室生成预测的动态过程响应; 创建第一个测量动态过程响应; 使用预测的动态过程响应和测量的动态过程响应之间的差来确定动态估计误差; 以及将动态估计误差与由BIST表中的一个或多个规则建立的操作阈值进行比较。

    Monitoring a single-wafer processing system
    2.
    发明授权
    Monitoring a single-wafer processing system 有权
    监控单晶圆处理系统

    公开(公告)号：US07340377B2

    公开(公告)日：2008-03-04

    申请号：US11456020

    申请日：2006-07-06

    申请人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    发明人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    IPC分类号： G06F11/30

    CPC分类号： G05B19/41875 ,  C23C16/52 ,  G05B23/0254 ,  G05B2219/37514 ,  G05B2219/37533 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/26

    摘要： A method of monitoring a single-wafer processing system in real-time using low-pressure based modeling techniques that include processing a wafer in a processing chamber; determining a measured dynamic process response for a rate of change for a process parameter; executing a real-time dynamic model to generate a predicted dynamic process response; determining a dynamic estimation error using a difference between the predicted dynamic process response and the expected process response; and comparing the dynamic estimation error to operational limits.

    摘要翻译： 一种使用基于低压的建模技术来实时监测单晶片处理系统的方法，其包括在处理室中处理晶片; 确定针对过程参数的变化率的测量的动态过程响应; 执行实时动态模型以产生预测的动态过程响应; 使用预测的动态过程响应和预期过程响应之间的差来确定动态估计误差; 并将动态估计误差与运算极限进行比较。

    MONITORING A SYSTEM DURING LOW-PRESSURE PROCESSES
    3.
    发明申请
    MONITORING A SYSTEM DURING LOW-PRESSURE PROCESSES 有权
    在低压过程中监测系统

    公开(公告)号：US20070239375A1

    公开(公告)日：2007-10-11

    申请号：US11278379

    申请日：2006-03-31

    申请人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    发明人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： G05B19/41875 ,  C23C16/52 ,  G05B23/0254 ,  G05B2219/37514 ,  G05B2219/37533 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/26

    摘要： A method of monitoring a processing system in real-time using low-pressure based modeling techniques that include processing one or more of wafers in a processing chamber; determining a measured dynamic process response for a rate of change for a process parameter; executing a real-time dynamic model to generate a predicted dynamic process response; determining a dynamic estimation error using a difference between the predicted dynamic process response and the expected process response; and comparing the dynamic estimation error to operational limits.

    摘要翻译： 一种使用基于低压的建模技术实时监控处理系统的方法，所述技术包括处理处理室中的一个或多个晶片; 确定针对过程参数的变化率的测量的动态过程响应; 执行实时动态模型以产生预测的动态过程响应; 使用预测的动态过程响应和预期过程响应之间的差来确定动态估计误差; 并将动态估计误差与运算极限进行比较。

    Adaptive real time control of a reticle/mask system
    4.
    发明授权
    Adaptive real time control of a reticle/mask system 失效
    光罩/掩模系统的自适应实时控制

    公开(公告)号：US07025280B2

    公开(公告)日：2006-04-11

    申请号：US10769623

    申请日：2004-01-30

    申请人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    发明人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    IPC分类号： G06F7/66 ,  G06F17/50 ,  C23C16/00 ,  H05B3/02

    CPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/78 ,  H01L21/67248

    摘要： An adaptive real time thermal processing system is presented that includes a multivariable controller. Generally, the method includes creating a dynamic model of the thermal processing system; incorporating reticle/mask curvature in the dynamic model; coupling a diffusion-amplification model into the dynamic thermal model; creating a multivariable controller; parameterizing the nominal setpoints into a vector of intelligent setpoints; creating a process sensitivity matrix; creating intelligent setpoints using an efficient optimization method and process data; and establishing recipes that select appropriate models and setpoints during run-time.

    摘要翻译： 提出了一种包括多变量控制器的自适应实时热处理系统。 通常，该方法包括创建热处理系统的动态模型; 在动态模型中结合掩模/掩模曲率; 将扩散扩增模型耦合到动态热模型中; 创建一个多变量控制器; 将标称设定值参数化为智能设定点的向量; 创建一个过程敏感性矩阵; 使用有效的优化方法和过程数据创建智能设定点; 并建立在运行期间选择合适的模型和设定值的配方。

    Monitoring a thermal processing system
    7.
    发明授权
    Monitoring a thermal processing system 有权
    监控热处理系统

    公开(公告)号：US07406644B2

    公开(公告)日：2008-07-29

    申请号：US11278012

    申请日：2006-03-30

    申请人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    发明人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    IPC分类号： G01R31/28

    CPC分类号： H01L22/20

    摘要： A method of monitoring a thermal processing system in real-time using a built-in self test (BIST) table to detect, diagnose and/or predict fault conditions and/or degraded performance. The method includes positioning a plurality of wafers in a processing chamber in the thermal processing system, performing a self test process, determining a real-time transient error from a measured transient response and a baseline transient response determined by a BIST rule stored in the BIST table, and comparing the transient error to operational limits and warning limits established by the BIST rule for the self test process.

    摘要翻译： 使用内置自检（BIST）表来实时监测热处理系统的方法来检测，诊断和/或预测故障状况和/或降级的性能。 该方法包括将多个晶片定位在热处理系统中的处理室中，执行自测试过程，从测量的瞬态响应确定实时瞬态误差，以及由存储在BIST中的BIST规则确定的基线瞬态响应 表，并将瞬态误差与BIST规则为自检过程建立的运行极限和警告限制进行比较。

    MONITORING A THERMAL PROCESSING SYSTEM
    8.
    发明申请
    MONITORING A THERMAL PROCESSING SYSTEM 有权
    监测热处理系统

    公开(公告)号：US20070255991A1

    公开(公告)日：2007-11-01

    申请号：US11278012

    申请日：2006-03-30

    申请人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    发明人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    IPC分类号： G01R31/28

    CPC分类号： H01L22/20

    摘要： A method of monitoring a thermal processing system in real-time using a built-in self test (BIST) table to detect, diagnose and/or predict fault conditions and/or degraded performance. The method includes positioning a plurality of wafers in a processing chamber in the thermal processing system, performing a self test process, determining a real-time transient error from a measured transient response and a baseline transient response determined by a BIST rule stored in the BIST table, and comparing the transient error to operational limits and warning limits established by the BIST rule for the self test process.

    摘要翻译： 使用内置自检（BIST）表来实时监测热处理系统的方法来检测，诊断和/或预测故障状况和/或降级的性能。 该方法包括将多个晶片定位在热处理系统中的处理室中，执行自测试过程，从测量的瞬态响应确定实时瞬态误差，以及由存储在BIST中的BIST规则确定的基线瞬态响应 表，并将瞬态误差与BIST规则为自检过程建立的运行极限和警告限制进行比较。

    MONITORING A SINGLE-WAFER PROCESSING SYSTEM
    9.
    发明申请
    MONITORING A SINGLE-WAFER PROCESSING SYSTEM 有权
    监测单波加工系统

    公开(公告)号：US20070233427A1

    公开(公告)日：2007-10-04

    申请号：US11456020

    申请日：2006-07-06

    申请人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    发明人： Sanjeev Kaushal ,  Pradeep Pandey ,  Kenji Sugishima

    IPC分类号： G06F19/00 ,  B05C11/00 ,  G21C17/00 ,  H01L21/306

    CPC分类号： G05B19/41875 ,  C23C16/52 ,  G05B23/0254 ,  G05B2219/37514 ,  G05B2219/37533 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/26

    摘要： A method of monitoring a single-wafer processing system in real-time using low-pressure based modeling techniques that include processing a wafer in a processing chamber; determining a measured dynamic process response for a rate of change for a process parameter; executing a real-time dynamic model to generate a predicted dynamic process response; determining a dynamic estimation error using a difference between the predicted dynamic process response and the expected process response; and comparing the dynamic estimation error to operational limits.

    摘要翻译： 一种使用基于低压的建模技术来实时监测单晶片处理系统的方法，其包括在处理室中处理晶片; 确定针对过程参数的变化率的测量的动态过程响应; 执行实时动态模型以产生预测的动态过程响应; 使用预测的动态过程响应和预期过程响应之间的差来确定动态估计误差; 并将动态估计误差与运算极限进行比较。

    Wafer curvature estimation, monitoring, and compensation
    10.
    发明申请
    Wafer curvature estimation, monitoring, and compensation 失效
    晶圆曲率估计，监测和补偿

    公开(公告)号：US20060241891A1

    公开(公告)日：2006-10-26

    申请号：US11094715

    申请日：2005-03-30

    申请人： Sanjeev Kaushal ,  Kenji Sugishima ,  Pradeep Pandey

    发明人： Sanjeev Kaushal ,  Kenji Sugishima ,  Pradeep Pandey

    IPC分类号： G06F15/00

    CPC分类号： H01L21/67248 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12

    摘要： A method of determining wafer curvature in real-time is presented. The method includes establishing a first temperature profile for a hotplate surface, where the hotplate surface is divided into a plurality of temperature control zones. The method further includes positioning a wafer at a first height above the hotplate surface and determining a second temperature profile for the hotplate surface. The wafer curvature is then determined by using the second temperature profile. Also, a dynamic model of a processing system is presented and wafer curvature can be incorporated into the dynamic model.

    摘要翻译： 提出了一种实时确定晶片曲率的方法。 该方法包括建立热板表面的第一温度曲线，其中将热板表面分成多个温度控制区。 该方法还包括将晶片定位在加热板表面上方的第一高度处，并确定用于加热板表面的第二温度分布。 然后通过使用第二温度分布来确定晶片曲率。 此外，呈现处理系统的动态模型，并且可以将晶片曲率并入到动态模型中。