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    Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers
    1.
    发明申请
    Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers 审中-公开
    化学机械抛光层间电介质层的组成和方法

    公开(公告)号：US20070176141A1

    公开(公告)日：2007-08-02

    申请号：US11342490

    申请日：2006-01-30

    申请人： Sarah Lane ,  Charles Yu

    发明人： Sarah Lane ,  Charles Yu

    IPC分类号： C09K13/00

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

    摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and boro-phosphate-silicate-glass on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrdidone, 0 to 5 cationic compound, 0 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has a average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上抛光二氧化硅和硼硅酸盐 - 硅酸盐玻璃的水性组合物，其包含重量百分数为0.01至5的羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0.01至10种聚乙烯吡啶酮，0至5种阳离子化合物， 0至5的两性离子化合物和余量的水，其中所述聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。

    Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
    2.
    发明申请
    Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride 审中-公开
    化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组成和方法

    公开(公告)号：US20060021972A1

    公开(公告)日：2006-02-02

    申请号：US10900703

    申请日：2004-07-28

    申请人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

    发明人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

    IPC分类号： C03C15/00 ,  C09K13/00

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625

    摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrolidone, 0 to 5 cationic compound, 0 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has a average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上研磨二氧化硅和氮化硅的水性组合物，其包含重量百分数为0.01至5的羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0.01至10种聚乙烯吡咯烷酮，0至5种阳离子化合物，0至5种两性离子化合物 和平衡水，其中所述聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。

    Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride
    3.
    发明申请
    Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride 审中-公开
    化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组成和方法

    公开(公告)号：US20070007248A1

    公开(公告)日：2007-01-11

    申请号：US11519282

    申请日：2006-09-12

    申请人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

    发明人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

    IPC分类号： C09K13/00 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00

    CPC分类号： C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76229

    摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 zwitterionic compound, 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0 to 5 cationic compound and balance water, wherein the zwitterionic compound has the following structure: in which n is an integer, Y comprises hydrogen or an alkyl group, Z comprises carboxyl, sulfate or oxygen, M comprises nitrogen, phosphorus or a sulfur atom, and X1, X2 and X3 independently comprise substituents selected from the group comprising, hydrogen, an alkyl group and an aryl group.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上抛光二氧化硅和氮化硅的水性组合物，其包含重量百分比为0.01至5种两性离子化合物，0.01至5种羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0至5种阳离子化合物和余量的水，其中 两性离子化合物具有以下结构：其中n为整数，Y为氢或烷基，Z为羧基，硫酸根或氧，M为氮，磷或硫原子，X为1 >，X 2和X 3独立地包含选自氢，烷基和芳基的取代基。

    Multi-step methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
    4.
    发明申请
    Multi-step methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride 失效
    化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步法

    公开(公告)号：US20060138086A1

    公开(公告)日：2006-06-29

    申请号：US11023862

    申请日：2004-12-28

    申请人： Sarah Lane ,  Andrew Lawing ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

    发明人： Sarah Lane ,  Andrew Lawing ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

    IPC分类号： C03C15/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L22/26

    摘要： The present invention provides a method for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising the steps of planarizing the silica with a first aqueous composition comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrolidone, 0 to 5 cationic compound, 0 to 1 phthalic acid and salts, 0 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has an average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole. The method further provides detecting an endpoint to the planarization, and clearing the silica with a second aqueous composition comprising by weight percent 0.001 to 1 quaternary ammonium compound, 0.001 to 1 phthalic acid and salts thereof, 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.01 to 5 abrasive and balance water.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上研磨二氧化硅和氮化硅的方法，包括以下步骤：用第一含水组合物对二氧化硅进行平面化，所述第一含水组合物包含0.01-5重量％的羧酸聚合物，0.02至6个研磨剂，0.01至10个聚乙烯吡咯烷酮，0 至5个阳离子化合物，0-1个邻苯二甲酸和盐，0-5个两性离子化合物和余量的水，其中聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。 该方法还提供了检测平面化的终点，并用第二含水组合物清除二氧化硅，所述第二含水组合物包含重量百分比为0.001至1的季铵化合物，0.001至1邻苯二甲酸及其盐，0.01至5羧酸聚合物，0.01至5 研磨和平衡水。

    Compositions for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
    5.
    发明申请
    Compositions for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride 审中-公开
    化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物

    公开(公告)号：US20070210278A1

    公开(公告)日：2007-09-13

    申请号：US11372321

    申请日：2006-03-08

    申请人： Sarah Lane ,  Charles Yu

    发明人： Sarah Lane ,  Charles Yu

    IPC分类号： C09K13/00 ,  H01L21/461

    CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053

    摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrolidone, 0.005 to 5 cationic compound, 0.005 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has a average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上抛光二氧化硅和氮化硅的水性组合物，其包含重量百分数为0.01至5的羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0.01至10种聚乙烯吡咯烷酮，0.005至5种阳离子化合物，0.005至5种两性离子化合物 和平衡水，其中所述聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。

    Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
    6.
    发明申请
    Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride 审中-公开
    化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组成和方法

    公开(公告)号：US20070045234A1

    公开(公告)日：2007-03-01

    申请号：US11591382

    申请日：2006-11-01

    申请人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

    发明人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

    IPC分类号： C03C15/00 ,  B44C1/22 ,  C23F1/00

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625

    摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrolidone, 0 to 5 cationic compound, 0 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has a average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上研磨二氧化硅和氮化硅的水性组合物，其包含重量百分数为0.01至5的羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0.01至10种聚乙烯吡咯烷酮，0至5种阳离子化合物，0至5种两性离子化合物 和平衡水，其中所述聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。

    Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride
    7.
    发明申请
    Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride 审中-公开
    化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组成和方法

    公开(公告)号：US20050189322A1

    公开(公告)日：2005-09-01

    申请号：US10788654

    申请日：2004-02-27

    申请人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

    发明人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

    IPC分类号： B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762 ,  B24D3/02 ,  B44C1/22 ,  C09K13/00 ,  H01L21/76

    CPC分类号： C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76229

    摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 zwitterionic compound, 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0 to 5 cationic compound and balance water, wherein the zwitterionic compound has the following structure: in which n is an integer, Y comprises hydrogen or an alkyl group, Z comprises carboxyl, sulfate or oxygen, M comprises nitrogen, phosphorus or a sulfur atom, and X1, X2 and X3 independently comprise substituents selected from the group comprising, hydrogen, an alkyl group and an aryl group.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上抛光二氧化硅和氮化硅的水性组合物，其包含重量百分比为0.01至5种两性离子化合物，0.01至5种羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0至5种阳离子化合物和余量的水，其中 两性离子化合物具有以下结构：其中n为整数，Y为氢或烷基，Z为羧基，硫酸根或氧，M为氮，磷或硫原子，X为1 >，X 2和X 3独立地包含选自氢，烷基和芳基的取代基。