公开(公告)号：US20060021972A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10900703

申请日：2004-07-28

申请人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

发明人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

IPC分类号： C03C15/00 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625

摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrolidone, 0 to 5 cationic compound, 0 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has a average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上研磨二氧化硅和氮化硅的水性组合物，其包含重量百分数为0.01至5的羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0.01至10种聚乙烯吡咯烷酮，0至5种阳离子化合物，0至5种两性离子化合物 和平衡水，其中所述聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。

公开(公告)号：US20070007248A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：US11519282

申请日：2006-09-12

申请人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

发明人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

IPC分类号： C09K13/00 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00

CPC分类号： C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76229

摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 zwitterionic compound, 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0 to 5 cationic compound and balance water, wherein the zwitterionic compound has the following structure: in which n is an integer, Y comprises hydrogen or an alkyl group, Z comprises carboxyl, sulfate or oxygen, M comprises nitrogen, phosphorus or a sulfur atom, and X1, X2 and X3 independently comprise substituents selected from the group comprising, hydrogen, an alkyl group and an aryl group.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上抛光二氧化硅和氮化硅的水性组合物，其包含重量百分比为0.01至5种两性离子化合物，0.01至5种羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0至5种阳离子化合物和余量的水，其中 两性离子化合物具有以下结构：其中n为整数，Y为氢或烷基，Z为羧基，硫酸根或氧，M为氮，磷或硫原子，X为1 >，X 2和X 3独立地包含选自氢，烷基和芳基的取代基。

公开(公告)号：US20060138086A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11023862

申请日：2004-12-28

申请人： Sarah Lane ,  Andrew Lawing ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

发明人： Sarah Lane ,  Andrew Lawing ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

IPC分类号： C03C15/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L22/26

摘要： The present invention provides a method for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising the steps of planarizing the silica with a first aqueous composition comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrolidone, 0 to 5 cationic compound, 0 to 1 phthalic acid and salts, 0 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has an average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole. The method further provides detecting an endpoint to the planarization, and clearing the silica with a second aqueous composition comprising by weight percent 0.001 to 1 quaternary ammonium compound, 0.001 to 1 phthalic acid and salts thereof, 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.01 to 5 abrasive and balance water.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上研磨二氧化硅和氮化硅的方法，包括以下步骤：用第一含水组合物对二氧化硅进行平面化，所述第一含水组合物包含0.01-5重量％的羧酸聚合物，0.02至6个研磨剂，0.01至10个聚乙烯吡咯烷酮，0 至5个阳离子化合物，0-1个邻苯二甲酸和盐，0-5个两性离子化合物和余量的水，其中聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。 该方法还提供了检测平面化的终点，并用第二含水组合物清除二氧化硅，所述第二含水组合物包含重量百分比为0.001至1的季铵化合物，0.001至1邻苯二甲酸及其盐，0.01至5羧酸聚合物，0.01至5 研磨和平衡水。

公开(公告)号：US20070045234A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11591382

申请日：2006-11-01

申请人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

发明人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

IPC分类号： C03C15/00 ,  B44C1/22 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625

摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrolidone, 0 to 5 cationic compound, 0 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has a average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上研磨二氧化硅和氮化硅的水性组合物，其包含重量百分数为0.01至5的羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0.01至10种聚乙烯吡咯烷酮，0至5种阳离子化合物，0至5种两性离子化合物 和平衡水，其中所述聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。

公开(公告)号：US20050189322A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：US10788654

申请日：2004-02-27

申请人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

发明人： Sarah Lane ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

IPC分类号： B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762 ,  B24D3/02 ,  B44C1/22 ,  C09K13/00 ,  H01L21/76

CPC分类号： C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76229

摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 zwitterionic compound, 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0 to 5 cationic compound and balance water, wherein the zwitterionic compound has the following structure: in which n is an integer, Y comprises hydrogen or an alkyl group, Z comprises carboxyl, sulfate or oxygen, M comprises nitrogen, phosphorus or a sulfur atom, and X1, X2 and X3 independently comprise substituents selected from the group comprising, hydrogen, an alkyl group and an aryl group.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上抛光二氧化硅和氮化硅的水性组合物，其包含重量百分比为0.01至5种两性离子化合物，0.01至5种羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0至5种阳离子化合物和余量的水，其中 两性离子化合物具有以下结构：其中n为整数，Y为氢或烷基，Z为羧基，硫酸根或氧，M为氮，磷或硫原子，X为1 >，X 2和X 3独立地包含选自氢，烷基和芳基的取代基。

公开(公告)号：US20070176141A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11342490

申请日：2006-01-30

申请人： Sarah Lane ,  Charles Yu

发明人： Sarah Lane ,  Charles Yu

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and boro-phosphate-silicate-glass on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrdidone, 0 to 5 cationic compound, 0 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has a average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上抛光二氧化硅和硼硅酸盐 - 硅酸盐玻璃的水性组合物，其包含重量百分数为0.01至5的羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0.01至10种聚乙烯吡啶酮，0至5种阳离子化合物， 0至5的两性离子化合物和余量的水，其中所述聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。

公开(公告)号：US20070210278A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11372321

申请日：2006-03-08

申请人： Sarah Lane ,  Charles Yu

发明人： Sarah Lane ,  Charles Yu

IPC分类号： C09K13/00 ,  H01L21/461

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrolidone, 0.005 to 5 cationic compound, 0.005 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has a average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上抛光二氧化硅和氮化硅的水性组合物，其包含重量百分数为0.01至5的羧酸聚合物，0.02至6种研磨剂，0.01至10种聚乙烯吡咯烷酮，0.005至5种阳离子化合物，0.005至5种两性离子化合物 和平衡水，其中所述聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。

公开(公告)号：US20060205219A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11357538

申请日：2006-02-16

申请人： Arthur Baker ,  Sarah Lane ,  Zhendong Liu

发明人： Arthur Baker ,  Sarah Lane ,  Zhendong Liu

IPC分类号： C09K13/00 ,  B44C1/22 ,  H01L21/302

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing dielectric layers on a semiconductor wafer in interlevel dielectric processes comprising by weight percent 0.001 to 1 quaternary ammonium compound, 0.01 to 20 colloidal silica, 0 to 5 surfactant, 0 to 5 carboxylic acid polymer, and balance water.

摘要翻译： 本发明提供一种水性组合物，其用于在层间电介质方法中在半导体晶片上抛光电介质层，其包含重量百分比为0.001至1的季铵化合物，0.01至20种胶体二氧化硅，0至5种表面活性剂，0至5种羧酸聚合物和 平衡水。

公开(公告)号：US06616717B2

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US09859147

申请日：2001-05-16

申请人： Vikas Sachan ,  Elizabeth A. (Kegerise) Langlois ,  Qianqiu (Christine) Ye ,  Keith G. Pierce ,  Craig D. Lack ,  Terence M. Thomas ,  Peter A. Burke ,  David Gettman ,  Sarah Lane

发明人： Vikas Sachan ,  Elizabeth A. (Kegerise) Langlois ,  Qianqiu (Christine) Ye ,  Keith G. Pierce ,  Craig D. Lack ,  Terence M. Thomas ,  Peter A. Burke ,  David Gettman ,  Sarah Lane

IPC分类号： C09G102

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： A composition is provided in the present invention for polishing a composite semiconductor structure containing a metal layer (such as tungsten, aluminum, or copper), a barrier layer (such as tantalum, tantalum nitride, titanium, or titanium nitride), and an insulating layer (such as SiO2). The composition comprises an aqueous medium, an oxidant, an organic polymer that attenuates removal of the oxide film. The composition may optionally comprise a complexing agent and/or a dispersant.

摘要翻译： 在本发明中提供一种组合物，用于研磨包含金属层（例如钨，铝或铜），阻挡层（例如钽，氮化钽，钛或氮化钛）的绝缘体的复合半导体结构 层（如SiO2）。 组合物包含水性介质，氧化剂，有机聚合物，其减弱氧化膜的去除。 组合物可任选地包含络合剂和/或分散剂。

公开(公告)号：US20070128882A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11671022

申请日：2007-02-05

申请人： Son Nguyen ,  Sarah Lane ,  Jia Lee ,  Kensaku Ida ,  Darryl Restaino ,  Takeshi Nogami

发明人： Son Nguyen ,  Sarah Lane ,  Jia Lee ,  Kensaku Ida ,  Darryl Restaino ,  Takeshi Nogami

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L2221/1047

摘要： A porous low k or ultra low k dielectric film comprising atoms of Si, C, O and H (hereinafter “SiCOH”) in a covalently bonded tri-dimensional network structure having a dielectric constant of less than about 3.0, a higher degree of crystalline bonding interactions, more carbon as methyl termination groups and fewer methylene, —CH2— crosslinking groups than prior art SiCOH dielectrics is provided. The SiCOH dielectric is characterized as having a FTIR spectrum comprising a peak area for CH3+CH2 stretching of less than about 1.40, a peak area for SiH stretching of less than about 0.20, a peak area for SiCH3 bonding of greater than about 2.0, and a peak area for Si—O—Si bonding of greater than about 60%, and a porosity of greater than about 20%.

摘要翻译： 在介电常数小于约3.0的共价键合的三维网络结构中，包含Si，C，O和H原子（以下称为“SiCOH”）的多孔低k或超低k电介质膜，结晶度更高 键合相互作用，提供比现有技术的SiCOH电介质更多的碳作为甲基端基和较少的亚甲基-CH 2 - 2交联基团。 SiCOH电介质的特征在于具有小于约1.40的CH 3/3 CH 2拉伸的峰面积的FTIR光谱，SiH拉伸的峰面积小于 约0.20，SiCH 3键的峰面积大于约2.0，Si-O-Si键合的峰面积大于约60％，孔隙率大于约20％ 。