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    Non-Volatile Memory Cell with Ferroelectric Layer Configurations
    3.
    发明申请
    Non-Volatile Memory Cell with Ferroelectric Layer Configurations 审中-公开
    具有铁电层配置的非易失性存储单元

    公开(公告)号：US20100135061A1

    公开(公告)日：2010-06-03

    申请号：US12326714

    申请日：2008-12-02

    申请人： Shaoping Li ,  Kaizhong Gao ,  Insik Jin ,  Song Xue ,  Haiwen Xi ,  Zheng Gao ,  Eileen Yan

    发明人： Shaoping Li ,  Kaizhong Gao ,  Insik Jin ,  Song Xue ,  Haiwen Xi ,  Zheng Gao ,  Eileen Yan

    IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L29/68

    CPC分类号： G11C11/22 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147

    摘要： In some embodiments of the invention a non-volatile memory cell is provided with a first electrode, a second electrode, and one or more side layers of a ferroelectric metal oxide and a ferroelectric material layer between the first and second electrodes. The ferroelectric material layer may be provided between, e.g., adjacent, two side layers of a ferroelectric metal oxide or between a single layer of a ferroelectric metal oxide and an electrode. The ferroelectric metal oxide may in some cases include a uniform layered structure such as a bismuth layer-structured ferroelectric material like Bi4Ti3O12. In some embodiments, the ferroelectric material layer is formed at least partially from PbZrxTi1-xO3. A non-volatile memory array including such memory cells is also provided.

    摘要翻译： 在本发明的一些实施例中，非易失性存储单元在第一和第二电极之间设置有第一电极，第二电极以及铁电金属氧化物和铁电材料层的一个或多个侧层。 铁电材料层可以设置在例如铁电金属氧化物的相邻的两个侧层之间或者设置在单层铁电金属氧化物和电极之间。 在一些情况下，铁电金属氧化物可以包括均匀的层状结构，例如诸如Bi 4 Ti 3 O 12的铋层结构的铁电材料。 在一些实施例中，铁电材料层至少部分地由PbZrxTi1-xO3形成。 还提供了包括这种存储单元的非易失性存储器阵列。

    MAGNETIC STACK HAVING REFERENCE LAYERS WITH ORTHOGONAL MAGNETIZATION ORIENTATION DIRECTIONS
    10.
    发明申请
    MAGNETIC STACK HAVING REFERENCE LAYERS WITH ORTHOGONAL MAGNETIZATION ORIENTATION DIRECTIONS 有权
    具有正交磁化定向方向的参考层的磁性堆栈

    公开(公告)号：US20110260274A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：US13176029

    申请日：2011-07-05

    申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

    发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetic cell includes a ferromagnetic free layer having a free magnetization orientation direction and a first ferromagnetic pinned reference layer having a first reference magnetization orientation direction that is parallel or anti-parallel to the free magnetization orientation direction. A first oxide barrier layer is between the ferromagnetic free layer and the first ferromagnetic pinned reference layer. The magnetic cell further includes a second ferromagnetic pinned reference layer having a second reference magnetization orientation direction that is orthogonal to the first reference magnetization orientation direction. The ferromagnetic free layer is between the first ferromagnetic pinned reference layer and the second ferromagnetic pinned reference layer.

    摘要翻译： 磁性电池包括具有自由磁化取向方向的铁磁自由层和具有与自由磁化取向方向平行或反平行的第一参考磁化取向方向的第一铁磁性固定参考层。 第一氧化物阻挡层位于铁磁性自由层和第一铁磁性固定基准层之间。 磁性单元还包括具有与第一参考磁化取向方向正交的第二参考磁化定向方向的第二铁磁性固定参考层。 铁磁自由层在第一铁磁性钉扎参考层和第二铁磁性固定基准层之间。