公开(公告)号：US20130048994A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13590845

申请日：2012-08-21

申请人： Shin-Il CHOI ,  Yong-Hwan RYU ,  Hong-Sick PARK ,  Seung-Ha CHOI

发明人： Shin-Il CHOI ,  Yong-Hwan RYU ,  Hong-Sick PARK ,  Seung-Ha CHOI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L23/48 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： A Thin Film Transistor (TFT) has a capping layer disposed on the surface of at least one of source and drain electrodes on a substrate, a protective film disposed on the capping layer, and a conductive layer electrically connected to the capping layer via a contact hole formed in the protective layer film.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）具有设置在基板上的源电极和漏电极中的至少一个的表面上的覆盖层，设置在覆盖层上的保护膜，以及通过触点电连接到覆盖层的导电层 孔形成在保护层膜中。

公开(公告)号：US20130252384A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13556396

申请日：2012-07-24

申请人： Yong-Hwan RYU ,  Dae Ho KIM ,  Hong Sick PARK ,  Shin Il CHOI

发明人： Yong-Hwan RYU ,  Dae Ho KIM ,  Hong Sick PARK ,  Shin Il CHOI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1288

摘要： A method of forming a thin film transistor array panel includes: forming a first insulating layer on a substrate; forming an amorphous carbon layer on the first insulating layer; forming a second insulating layer on the amorphous carbon layer; forming an opening in the amorphous carbon layer by patterning the second insulating layer and the amorphous carbon layer; and forming a trench in the first insulating layer by etching the first insulating layer, the etching the first insulating layer using the amorphous carbon layer including the opening as a mask.

公开(公告)号：US20130183822A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13480242

申请日：2012-05-24

申请人： Dae Ho KIM ,  Bong-Kyun KIM ,  Yong-Hwan RYU ,  Hong Sick PARK ,  Wang Woo LEE ,  Shin Il CHOI

发明人： Dae Ho KIM ,  Bong-Kyun KIM ,  Yong-Hwan RYU ,  Hong Sick PARK ,  Wang Woo LEE ,  Shin Il CHOI

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384

摘要： The present invention relates to a method for forming a trench that can remove residual particles in a trench using a metal mask, a method for forming a metal wire, and a method for manufacturing a thin film transistor array panel. The method for forming a trench includes: forming a first insulating layer on a substrate; forming a first metal layer on the first insulating layer; forming an opening by patterning the first metal layer; forming a trench by dry-etching the first insulating layer using the patterned first metal layer as a mask; and wet-etching the substrate. The dry-etching is performed using a main etching gas and a first auxiliary etching gas, and the first auxiliary etching gas includes argon.

摘要翻译： 本发明涉及使用金属掩模形成沟槽中的残留颗粒的形成方法，金属线形成方法以及薄膜晶体管阵列板的制造方法。 形成沟槽的方法包括：在衬底上形成第一绝缘层; 在所述第一绝缘层上形成第一金属层; 通过图案化第一金属层形成开口; 通过使用图案化的第一金属层作为掩模对第一绝缘层进行干蚀刻来形成沟槽; 并湿法蚀刻基板。 使用主蚀刻气体和第一辅助蚀刻气体进行干蚀刻，并且第一辅助蚀刻气体包括氩。

公开(公告)号：US20130146902A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13530743

申请日：2012-06-22

申请人： Yong-Hwan RYU ,  Shin-Il CHOI ,  Hong-Sick PARK

发明人： Yong-Hwan RYU ,  Shin-Il CHOI ,  Hong-Sick PARK

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/133528 ,  G02F2001/133545 ,  G02F2001/133548

摘要： A display substrate includes a metal pattern, a first insulation layer pattern and a second insulation layer pattern. The metal pattern is on a base substrate. The first insulation pattern is on the metal pattern and includes one of a silicon nitride (SiNx) and a silicon oxide (SiOx). The second insulation pattern is on the first insulation pattern and includes a remaining one of the silicon nitride (SiNx) and the silicon oxide (SiOx).

摘要翻译： 显示基板包括金属图案，第一绝缘层图案和第二绝缘层图案。 金属图案在基底上。 第一绝缘图案在金属图案上，并且包括氮化硅（SiNx）和氧化硅（SiO x）之一。 第二绝缘图案在第一绝缘图案上，并且包括氮化硅（SiNx）和氧化硅（SiOx）中的剩余部分。

公开(公告)号：US20090011590A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12136626

申请日：2008-06-10

申请人： Yong-Hwan RYU ,  Jun SEO ,  Eun-Young KANG ,  Jae-Seung HWANG ,  Sung-Un KWON

发明人： Yong-Hwan RYU ,  Jun SEO ,  Eun-Young KANG ,  Jae-Seung HWANG ,  Sung-Un KWON

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/743 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11531 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of fabricating a semiconductor device in which a plurality of conductive lines having a fine pitch and a uniform thickness can be formed is provided. The method includes forming a plurality of first conductive patterns in a insulation layer as closed curves, forming a plurality of mask patterns on the insulation layer, the mask patterns exposing end portions of each of the first conductive patterns, and forming a plurality of second conductive patterns in the insulation layer as lines by removing the end portions of each of the first conductive patterns.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，其中可以形成具有细间距和均匀厚度的多条导线。 该方法包括在绝缘层中形成多个第一导电图案作为闭合曲线，在绝缘层上形成多个掩模图案，掩模图案暴露出每个第一导电图案的端部，并且形成多个第二导电 通过去除每个第一导电图案的端部，将绝缘层中的图案作为线。

公开(公告)号：US20110111532A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12940535

申请日：2010-11-05

申请人： Yong-Hwan RYU ,  Jae-Seung HWANG ,  Sung-Un KWON ,  Kyoung-Ha EOM

发明人： Yong-Hwan RYU ,  Jae-Seung HWANG ,  Sung-Un KWON ,  Kyoung-Ha EOM

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： Methods of forming pattern structures and methods of manufacturing memory devices using the same are provided, the methods of forming pattern structures include forming an etching object layer on a substrate and performing a plasma reactive etching process on the etching object layer using an etching gas including at least ammonia (NH3) gas. The etching object layer includes a magnetic material or a phase change material.

摘要翻译： 提供了形成图案结构的方法和使用其制造存储器件的方法，形成图案结构的方法包括在衬底上形成蚀刻对象层，并使用包括在蚀刻对象层上的蚀刻气体对蚀刻对象层进行等离子体反应蚀刻处理 最少氨（NH 3）气。 蚀刻对象层包含磁性材料或相变材料。