利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

227 条记录 (耗时 0.03 秒)

    NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    7.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE 有权
    非易失性存储元件和非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20120327702A1

    公开(公告)日：2012-12-27

    申请号：US13599286

    申请日：2012-08-30

    申请人： Takeshi Takagi ,  Zhiqiang Wei ,  Takeki Ninomiya ,  Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa

    发明人： Takeshi Takagi ,  Zhiqiang Wei ,  Takeki Ninomiya ,  Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa

    IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C11/21

    CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： A nonvolatile memory element includes: a first electrode layer; a second electrode layer; and a variable resistance layer which is placed between the electrode layers, and whose resistance state reversibly changes between a high resistance state and a low resistance state based on a polarity of a voltage applied between the electrode layers. The variable resistance layer is formed by stacking a first oxide layer including an oxide of a first transition metal and a second oxide layer including an oxide of a second transition metal which is different from the first transition metal. At least one of the following conditions is satisfied: (1) a dielectric constant of the second oxide layer is larger than a dielectric constant of the first oxide layer; and (2) a band gap of the second oxide layer is smaller than a band gap of the first oxide layer.

    摘要翻译： 非易失性存储元件包括：第一电极层; 第二电极层; 以及可变电阻层，其设置在电极层之间，并且其电阻状态基于施加在电极层之间的电压的极性而在高电阻状态和低电阻状态之间可逆地变化。 可变电阻层通过堆叠包括第一过渡金属的氧化物的第一氧化物层和包含与第一过渡金属不同的第二过渡金属的氧化物的第二氧化物层而形成。 满足以下条件中的至少一个：（1）第二氧化物层的介电常数大于第一氧化物层的介电常数; 和（2）第二氧化物层的带隙小于第一氧化物层的带隙。