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    MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT
    1.
    发明申请
    MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT 有权
    磁电元件

    公开(公告)号：US20090166322A1

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：US12361575

    申请日：2009-01-29

    申请人： Sumio IKEGAWA ,  Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Eiji Kitagawa ,  Hiroaki Yoda

    发明人： Sumio IKEGAWA ,  Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Eiji Kitagawa ,  Hiroaki Yoda

    IPC分类号： B44C1/22

    CPC分类号： G11C11/1657 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

    摘要： A magneto-resistive element according to an aspect of the present invention includes a free layer whose magnetized state changes and a pinned layer whose magnetized state is fixed. The free layer comprises first and second ferromagnetic layers and a non-magnetic layer which is arranged between the first and second ferromagnetic layers. An intensity of exchange coupling between the first and second ferromagnetic layers is set so that an astroid curve in a hard axis direction opens.

    摘要翻译： 根据本发明的一个方面的磁阻元件包括磁化状态改变的自由层和固定磁化状态的固定层。 自由层包括第一和第二铁磁层和布置在第一和第二铁磁层之间的非磁性层。 第一和第二铁磁层之间的交换耦合强度被设定为使得硬轴方向上的星形曲线打开。

    MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    3.
    发明申请
    MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 有权
    磁阻效应元件和磁性随机存取存储器

    公开(公告)号：US20090244792A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：US12396778

    申请日：2009-03-03

    申请人： Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Sumio IKEGAWA ,  Hiroaki YODA ,  Tatsuya KISHI

    发明人： Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Sumio IKEGAWA ,  Hiroaki YODA ,  Tatsuya KISHI

    IPC分类号： G11B5/33

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/226

    摘要： A magnetoresistance effect element includes: a first ferromagnetic layer having invariable magnetization perpendicular to a film plane; a second ferromagnetic layer having variable magnetization perpendicular to the film plane; a first nonmagnetic layer interposed between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer; a third ferromagnetic layer provided on an opposite side of the second ferromagnetic layer from the first nonmagnetic layer, and having variable magnetization parallel to the film plane; and a second nonmagnetic layer interposed between the second and third ferromagnetic layers. Spin-polarized electrons are injected into the second ferromagnetic layer by flowing a current in the direction perpendicular to the film planes between the first and third ferromagnetic layers, precession movement is induced in the magnetization of the third ferromagnetic layer by injecting the spin-polarized electrons, and a microwave magnetic field of a frequency corresponding to the precession movement is applied to the second ferromagnetic layer.

    摘要翻译： 磁阻效应元件包括：具有垂直于膜平面的不变磁化的第一铁磁层; 具有垂直于膜平面的可变磁化的第二铁磁层; 介于所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的第一非磁性层; 第三铁磁层，其设置在所述第二铁磁层的与所述第一非磁性层相反的一侧上，并且具有与所述膜平面平行的可变磁化强度; 以及插入在第二和第三铁磁层之间的第二非磁性层。 通过在垂直于第一和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动电流，将旋转极化电子注入到第二铁磁层中，通过注入自旋极化电子在第三铁磁层的磁化中引起进动运动 并且将对应于进动运动的频率的微波磁场施加到第二铁磁层。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND PRODUCING METHOD THEREOF
    4.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND PRODUCING METHOD THEREOF 有权
    磁电元件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130069184A1

    公开(公告)日：2013-03-21

    申请号：US13618410

    申请日：2012-09-14

    申请人： Hisanori AIKAWA ,  Hiroaki YODA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

    发明人： Hisanori AIKAWA ,  Hiroaki YODA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246

    CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element comprises a first magnetic layer, in which a magnetization direction is variable and is perpendicular to a film surface, a tunnel barrier layer that is formed on the first magnetic layer, and a second magnetic layer that is formed on the tunnel barrier layer, a magnetization direction of the second magnetic layer being variable and being perpendicular to the film surface. The second magnetic layer comprises a body layer that constitutes an origin of perpendicular magnetic anisotropy, and an interface layer that is formed between the body layer and the tunnel barrier layer. The interface layer has a permeability higher than that of the body layer and a planar size larger than that of the body layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括其中磁化方向可变并且垂直于膜表面的第一磁性层，形成在第一磁性层上的隧道势垒层和形成的第二磁性层 在隧道势垒层上，第二磁性层的磁化方向是可变的并垂直于膜表面。 第二磁性层包括构成垂直磁各向异性的原点的主体层以及形成在主体层与隧道势垒层之间的界面层。 界面层的透过率比体层高，平面尺寸比体层大。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
    5.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY 有权
    磁性元件和磁记忆

    公开(公告)号：US20080180859A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：US12014522

    申请日：2008-01-15

    申请人： Tomomasa UEDA ,  Hisanori AIKAWA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Sumio IKEGAWA ,  Keiji HOSOTANI ,  Makoto NAGAMINE

    发明人： Tomomasa UEDA ,  Hisanori AIKAWA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Sumio IKEGAWA ,  Keiji HOSOTANI ,  Makoto NAGAMINE

    IPC分类号： G11B5/33

    CPC分类号： G11C11/15 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetoresistive element includes: a magnetization free layer having a first plane and a second plane located on the opposite side from the first plane, and having a variable magnetization direction; a magnetization pinned layer provided on the first plane side of the magnetization free layer, and having a pinned magnetization direction; a first tunnel barrier layer provided between the magnetization free layer and the magnetization pinned layer; a second tunnel barrier layer provided on the second plane of the magnetization free layer; and a non-magnetic layer provided on a plane on the opposite side of the second tunnel barrier layer from the magnetization free layer. The magnetization direction of the magnetization free layer is variable by applying current between the magnetization pinned layer and the non-magnetic layer, and a resistance ratio between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer is in a range of 1:0.25 to 1:4.

    摘要翻译： 磁阻元件包括：无磁化层，其具有第一平面和位于与第一平面相反的一侧的第二平面，并且具有可变的磁化方向; 磁化固定层，设置在所述磁化自由层的所述第一平面侧上，并且具有钉扎磁化方向; 设置在所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的第一隧道势垒层; 设置在无磁化层的第二平面上的第二隧道势垒层; 以及设置在与磁化自由层相反的第二隧道势垒层的相对侧上的平面上的非磁性层。 磁化自由层的磁化方向通过在磁化被钉扎层和非磁性层之间施加电流而变化，并且第一隧道势垒层和第二隧道势垒层之间的电阻比在1:0.25至 1：4。

    MAGNETIC STORAGE DEVICE
    6.
    发明申请
    MAGNETIC STORAGE DEVICE 有权
    磁性存储器件

    公开(公告)号：US20140284743A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：US14015966

    申请日：2013-08-30

    申请人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA ,  Akiyuki MURAYAMA ,  Sumio IKEGAWA

    发明人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA ,  Akiyuki MURAYAMA ,  Sumio IKEGAWA

    IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08

    摘要： According to one embodiment, a magnetic storage device includes an insulating region, a lower electrode including a first portion formed in a hole provided in the insulating region and a second portion protruded from the insulating region, a spacer insulating film formed on a side surface of at least the second portion of the lower electrode, a magnetic tunneling junction portion formed on a top surface of the lower electrode, and an upper electrode formed on the magnetic tunneling junction portion.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储装置包括绝缘区域，下电极，包括形成在设置在绝缘区域中的孔中的第一部分和从绝缘区域突出的第二部分;隔离绝缘膜，形成在绝缘区域的侧表面上; 至少下电极的第二部分，形成在下电极的顶表面上的磁隧道连接部分和形成在磁隧道连接部分上的上电极。

    MAGNETIC MEMORY
    7.
    发明申请
    MAGNETIC MEMORY 审中-公开
    磁记忆

    公开(公告)号：US20160055891A1

    公开(公告)日：2016-02-25

    申请号：US14593678

    申请日：2015-01-09

    申请人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA ,  Akiyuki MURAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

    发明人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA ,  Akiyuki MURAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

    IPC分类号： G11C11/16

    CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1675

    摘要： According to one embodiment, a magnetic memory includes a memory cell array including magnetoresistive elements, a heater and a temperature sensor provided in the memory cell array, a heater driver which drives the heater, a temperature detector which detects a first temperature sensed by the temperature sensor, and a control circuit which controls the heater driver based on the first temperature.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器包括存储单元阵列，其包括磁阻元件，设置在存储单元阵列中的加热器和温度传感器，驱动加热器的加热器驱动器，检测由温度感测的第一温度的温度检测器 传感器，以及基于第一温度控制加热器驱动器的控制电路。

    TESTER FOR TESTING MAGNETIC MEMORY
    8.
    发明申请
    TESTER FOR TESTING MAGNETIC MEMORY 有权
    测试磁性记忆测试仪

    公开(公告)号：US20150260804A1

    公开(公告)日：2015-09-17

    申请号：US14478925

    申请日：2014-09-05

    申请人： Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

    发明人： Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

    IPC分类号： G01R33/12 ,  G11C29/08 ,  G11C11/16

    CPC分类号： G01R33/1207 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C29/56016 ,  G11C2029/5002 ,  G11C2029/5602

    摘要： According to one embodiment, a tester includes a magnetic shield portion having a space which is shielded from an external magnetic field, a controller generating a test signal for testing a magnetic memory having a magnetoresistive element provided in the space, an interface portion in the space, the interface portion which functions as an interface between the controller and the magnetic memory, and a magnetic field generating portion in the space, the magnetic field generating portion generating a test magnetic field while the magnetic memory is tested by the test signal.

    摘要翻译： 根据一个实施例，测试仪包括具有屏蔽外部磁场的空间的磁屏蔽部分，产生用于测试设置在该空间中的具有磁阻元件的磁存储器的测试信号的控制器，该空间中的接口部分 ，用作控制器和磁存储器之间的接口的接口部分和该空间中的磁场产生部分，在通过测试信号测试磁存储器的同时产生测试磁场的磁场产生部分。

    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    10.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
    半导体存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20150263264A1

    公开(公告)日：2015-09-17

    申请号：US14479163

    申请日：2014-09-05

    申请人： Keiji HOSOTANI ,  Sumio IKEGAWA ,  Tatsuya KISHI

    发明人： Keiji HOSOTANI ,  Sumio IKEGAWA ,  Tatsuya KISHI

    IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

    CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

    摘要： According to one embodiment, a semiconductor memory device comprises a memory cell array. The memory cell array has a plurality of magnetic tunnel junction (MTJ) elements. Each of the MTJ elements has a first magnetic layer, a second magnetic layer and a non-magnetic layer therebetween, and a hard mask layer is arranged above the second magnetic layer. The plurality of MTJ elements have a first MTJ element having a first hard mask layer and a second MTJ element having a second hard mask layer, and a dimension of, the first hard mask layer is greater than that of the second hard mask layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，半导体存储器件包括存储单元阵列。 存储单元阵列具有多个磁性隧道结（MTJ）元件。 MTJ元件中的每一个都具有第一磁性层，第二磁性层和非磁性层，硬掩模层设置在第二磁性层的上方。 多个MTJ元件具有具有第一硬掩模层的第一MTJ元件和具有第二硬掩模层的第二MTJ元件，第一硬掩模层的尺寸大于第二硬掩模层的尺寸。