公开(公告)号：US20110198758A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12941331

申请日：2010-11-08

申请人： Taek-soo Jeon ,  Bong-hyun Kim ,  Won-seok Yoo ,  Jae-hong Seo ,  Ho-kyun An ,  Dae-hyun Kim

发明人： Taek-soo Jeon ,  Bong-hyun Kim ,  Won-seok Yoo ,  Jae-hong Seo ,  Ho-kyun An ,  Dae-hyun Kim

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a conductive area, a first pattern formed on the substrate and having a contact hole through which the conductive area is exposed, and a contact plug in the contact hole. The contact plug includes first and second silicon layers. The first silicon layer, formed from a first compound including at least two silicon atoms, is formed in the contact hole to contact a top surface of the conductive area and a side wall of the first pattern. The second silicon layer, formed from a second compound including a number of silicon atoms less than the number of the silicon atoms of the first compound, is formed on the first silicon layer and fills a remaining space of the contact hole, the second silicon layer being spaced apart from the first pattern at an entrance of the contact hole.

摘要翻译： 半导体器件包括具有导电区域的基板，形成在基板上的第一图案，具有导电区域露出的接触孔和接触孔中的接触插塞。 接触插塞包括第一和第二硅层。 在包括至少两个硅原子的第一化合物形成的第一硅层形成在接触孔中以接触导电区域的顶表面和第一图案的侧壁。 在第一硅层上形成由第二化合物构成的第二硅层，该第二化合物包含少于第一化合物的硅原子数的硅原子数，并填充接触孔的剩余空间，第二硅层 在接触孔的入口处与第一图案间隔开。

公开(公告)号：US08697570B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US12941331

申请日：2010-11-08

申请人： Taek-soo Jeon ,  Bong-hyun Kim ,  Won-seok Yoo ,  Jae-hong Seo ,  Ho-kyun An ,  Dae-hyun Kim

发明人： Taek-soo Jeon ,  Bong-hyun Kim ,  Won-seok Yoo ,  Jae-hong Seo ,  Ho-kyun An ,  Dae-hyun Kim

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a conductive area, a first pattern formed on the substrate and having a contact hole through which the conductive area is exposed, and a contact plug in the contact hole. The contact plug includes first and second silicon layers. The first silicon layer, formed from a first compound including at least two silicon atoms, is formed in the contact hole to contact a top surface of the conductive area and a side wall of the first pattern. The second silicon layer, formed from a second compound including a number of silicon atoms less than the number of the silicon atoms of the first compound, is formed on the first silicon layer and fills a remaining space of the contact hole, the second silicon layer being spaced apart from the first pattern at an entrance of the contact hole.

摘要翻译： 半导体器件包括具有导电区域的基板，形成在基板上的第一图案，具有导电区域露出的接触孔和接触孔中的接触插塞。 接触插塞包括第一和第二硅层。 在包括至少两个硅原子的第一化合物形成的第一硅层形成在接触孔中以接触导电区域的顶表面和第一图案的侧壁。 在第一硅层上形成由第二化合物构成的第二硅层，该第二化合物包含少于第一化合物的硅原子数的硅原子数，并填充接触孔的剩余空间，第二硅层 在接触孔的入口处与第一图案间隔开。

公开(公告)号：US20160071946A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14940785

申请日：2015-11-13

申请人： Dong-Kak Lee ,  Joon Kim ,  Bong-hyun Kim ,  Han-Jin Lim

发明人： Dong-Kak Lee ,  Joon Kim ,  Bong-hyun Kim ,  Han-Jin Lim

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L27/108 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： An electrode structure is disclosed. The electrode structure includes a first polysilicon layer doped with resistance adjustment impurities; a second polysilicon layer for adjusting grains, formed in the first polysilicon layer and doped with grain adjustment impurities; an ohmic metal layer formed on the first and second polysilicon layers; a barrier metal layer formed on the ohmic metal layer; and a metal layer formed on the barrier metal layer.

摘要翻译： 公开了电极结构。 电极结构包括掺杂有电阻调节杂质的第一多晶硅层; 用于调节晶粒的第二多晶硅层，形成在第一多晶硅层中并掺杂有晶粒调节杂质; 在第一和第二多晶硅层上形成的欧姆金属层; 形成在欧姆金属层上的阻挡金属层; 以及形成在阻挡金属层上的金属层。

公开(公告)号：US20100009508A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12453582

申请日：2009-05-15

申请人： Han-jin Lim ,  Jae-young Park ,  Young-jin Kim ,  Seok-woo Nam ,  Bong-hyun Kim ,  Kyoung-ryul Yoon ,  Jae-hyoung Chol ,  Beom-jong Kim

发明人： Han-jin Lim ,  Jae-young Park ,  Young-jin Kim ,  Seok-woo Nam ,  Bong-hyun Kim ,  Kyoung-ryul Yoon ,  Jae-hyoung Chol ,  Beom-jong Kim

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641

摘要： Provided are methods of fabricating capacitors of semiconductor devices, the methods including: forming a lower electrode on a semiconductor substrate, performing a pre-process operation on the lower electrode for suppressing deterioration of the lower electrode during a process, forming a dielectric layer on the lower electrode using a source gas and an ozone gas, and forming an upper electrode on the dielectric layer, wherein the pre-process operation and the forming of the dielectric layer may be performed in one device capable of atomic layer deposition.

摘要翻译： 提供制造半导体器件的电容器的方法，其方法包括：在半导体衬底上形成下电极，在下电极上执行预处理操作，以抑制在工艺期间下电极的劣化，在电极上形成电介质层 使用源气体和臭氧气体的下电极，以及在所述电介质层上形成上电极，其中所述电介质层的预处理操作和形成可以在能够进行原子层沉积的一个器件中进行。

公开(公告)号：US09349821B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：US14940785

申请日：2015-11-13

申请人： Dong-Kak Lee ,  Joon Kim ,  Bong-hyun Kim ,  Han-Jin Lim

发明人： Dong-Kak Lee ,  Joon Kim ,  Bong-hyun Kim ,  Han-Jin Lim

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： An electrode structure is disclosed. The electrode structure includes a first polysilicon layer doped with resistance adjustment impurities; a second polysilicon layer for adjusting grains, formed in the first polysilicon layer and doped with grain adjustment impurities; an ohmic metal layer formed on the first and second polysilicon layers; a barrier metal layer formed on the ohmic metal layer; and a metal layer formed on the barrier metal layer.

公开(公告)号：US07396719B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US10873256

申请日：2004-06-23

申请人： Kyoung-seok Kim ,  Hong-bae Park ,  Bong-hyun Kim ,  Sung-tae Kim ,  Jong-wan Kwon ,  Jung-hyun Lee ,  Ki-chul Kim ,  Jae-soon Lim ,  Gab-jin Nam ,  Young-sun Kim

发明人： Kyoung-seok Kim ,  Hong-bae Park ,  Bong-hyun Kim ,  Sung-tae Kim ,  Jong-wan Kwon ,  Jung-hyun Lee ,  Ki-chul Kim ,  Jae-soon Lim ,  Gab-jin Nam ,  Young-sun Kim

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31645

摘要： A method of forming a high dielectric film using atomic layer deposition (ALD), and a method of manufacturing a capacitor having the high dielectric film, include supplying a precursor containing a metal element to a semiconductor substrate and purging a reactor; supplying an oxidizer and purging the reactor; and supplying a reaction source containing nitrogen and purging the reactor.

摘要翻译： 使用原子层沉积（ALD）形成高电介质膜的方法以及制造具有高电介质膜的电容器的方法包括将含有金属元素的前体供应到半导体衬底并清洗反应器; 供应氧化剂并清洗反应器; 并供应含氮的反应源并清洗反应器。

公开(公告)号：US09202813B2

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：US13169348

申请日：2011-06-27

申请人： Dong-kak Lee ,  Joon Kim ,  Bong-hyun Kim ,  Han-Jin Lim

发明人： Dong-kak Lee ,  Joon Kim ,  Bong-hyun Kim ,  Han-Jin Lim

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： An electrode structure is disclosed. The electrode structure includes a first polysilicon layer doped with resistance adjustment impurities; a second polysilicon layer for adjusting grains, formed in the first polysilicon layer and doped with grain adjustment impurities; an ohmic metal layer formed on the first and second polysilicon layers; a barrier metal layer formed on the ohmic metal layer; and a metal layer formed on the barrier metal layer.

摘要翻译： 公开了电极结构。 电极结构包括掺杂有电阻调节杂质的第一多晶硅层; 用于调节晶粒的第二多晶硅层，形成在第一多晶硅层中并掺杂有晶粒调节杂质; 在第一和第二多晶硅层上形成的欧姆金属层; 形成在欧姆金属层上的阻挡金属层; 以及形成在阻挡金属层上的金属层。

公开(公告)号：US20120001267A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13169348

申请日：2011-06-27

申请人： Dong-kak Lee ,  Joon Kim ,  Bong-hyun Kim ,  Han-Jin Lim

发明人： Dong-kak Lee ,  Joon Kim ,  Bong-hyun Kim ,  Han-Jin Lim

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： An electrode structure is disclosed. The electrode structure includes a first polysilicon layer doped with resistance adjustment impurities; a second polysilicon layer for adjusting grains, formed in the first polysilicon layer and doped with grain adjustment impurities; an ohmic metal layer formed on the first and second polysilicon layers; a barrier metal layer formed on the ohmic metal layer; and a metal layer formed on the barrier metal layer.

摘要翻译： 公开了电极结构。 电极结构包括掺杂有电阻调节杂质的第一多晶硅层; 用于调节晶粒的第二多晶硅层，形成在第一多晶硅层中并掺杂有晶粒调节杂质; 在第一和第二多晶硅层上形成的欧姆金属层; 形成在欧姆金属层上的阻挡金属层; 以及形成在阻挡金属层上的金属层。

公开(公告)号：US08012823B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12453582

申请日：2009-05-15

申请人： Han-jin Lim ,  Jae-young Park ,  Young-jin Kim ,  Seok-woo Nam ,  Bong-hyun Kim ,  Kyoung-ryul Yoon ,  Jae-hyoung Choi ,  Beom-jong Kim

发明人： Han-jin Lim ,  Jae-young Park ,  Young-jin Kim ,  Seok-woo Nam ,  Bong-hyun Kim ,  Kyoung-ryul Yoon ,  Jae-hyoung Choi ,  Beom-jong Kim

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641

摘要： Provided are methods of fabricating capacitors of semiconductor devices, the methods including: forming a lower electrode on a semiconductor substrate, performing a pre-process operation on the lower electrode for suppressing deterioration of the lower electrode during a process, forming a dielectric layer on the lower electrode using a source gas and an ozone gas, and forming an upper electrode on the dielectric layer, wherein the pre-process operation and the forming of the dielectric layer may be performed in one device capable of atomic layer deposition.

摘要翻译： 提供制造半导体器件的电容器的方法，其方法包括：在半导体衬底上形成下电极，在下电极上执行预处理操作，以抑制在工艺期间下电极的劣化，在电极上形成电介质层 使用源气体和臭氧气体的下电极，以及在所述电介质层上形成上电极，其中所述电介质层的预处理操作和形成可以在能够进行原子层沉积的一个器件中进行。