公开(公告)号：US09159580B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13714756

申请日：2012-12-14

申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.

发明人： Bi-Ming Yen ,  Tsai-Chun Li ,  Chun-Ming Hu

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76816

摘要： A mechanism for forming a semiconductor device is described. The semiconductor device includes a substrate and an inter-layer dielectric (ILD) layer over the substrate. The intermediate semiconductor device further includes a first layer set over the ILD layer and a second layer set over the first layer set. The intermediate semiconductor device further includes a photoresist layer over the second layer set. The method further includes etching the second layer set to form a tapered opening in the second layer set, the tapered opening having sidewalls at an angle with respect to a top surface of the ILD layer ranging from about 85-degrees to about 90-degrees, but less than 90-degrees. The method further includes etching the first layer set to form an opening in the first layer set and etching the ILD layer using the first layer set as a mask to form an opening in the ILD layer.

摘要翻译： 描述了用于形成半导体器件的机构。 半导体器件包括衬底和衬底上的层间电介质（ILD）层。 中间半导体器件还包括设置在ILD层上的第一层和设置在第一层组上的第二层。 中间半导体器件还包括在第二层组上的光致抗蚀剂层。 该方法还包括蚀刻第二层组以在第二层组中形成锥形开口，锥形开口具有相对于ILD层的顶表面成角度约为85度至约90度的侧壁， 但小于90度。 该方法还包括蚀刻第一层组以在第一层组中形成开口，并使用第一层组作为掩模蚀刻ILD层，以在ILD层中形成开口。

公开(公告)号：US09070622B2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US14026753

申请日：2013-09-13

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Chih-Ming Ke ,  Ching-Pin Kao ,  Yang-Hung Chang ,  Kai-Hsiung Chen ,  Chun-Ming Hu

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06F19/00 ,  G21K5/00 ,  G01R31/26 ,  G06K9/00 ,  H01L21/66 ,  G03F1/36 ,  G03F1/00 ,  G03F1/70 ,  G03F1/68

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/144 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70508 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70633 ,  G05B13/042 ,  G05B19/41835 ,  G05B2219/45029 ,  G05B2219/45031 ,  G06F17/5068 ,  H01L22/20 ,  Y02P90/12

摘要： The present disclosure provides methods and systems for providing a similarity index in semiconductor process control. One of the methods disclosed herein is a method for semiconductor fabrication process control. The method includes steps of receiving a first semiconductor device wafer and receiving a second semiconductor device wafer. The method also includes a step of collecting metrology data from the first and second semiconductor device wafers. The metrology data includes a first set of vectors associated with the first semiconductor device wafer and a second set of vectors associated with the second semiconductor device wafer. The method includes determining a similarity index based in part on a similarity index value between a first vector from the first set of vectors and a second vector from the second set of vectors and continuing to process additional wafers under current parameters when the similarity index is above a threshold value.

摘要翻译： 本公开提供了用于在半导体过程控制中提供相似性指数的方法和系统。 本文公开的方法之一是用于半导体制造过程控制的方法。 该方法包括接收第一半导体器件晶片和接收第二半导体器件晶片的步骤。 该方法还包括从第一和第二半导体器件晶片收集测量数据的步骤。 测量数据包括与第一半导体器件晶片相关联的第一组向量和与第二半导体器件晶片相关联的第二组向量。 该方法包括部分地基于来自第一组向量的第一向量和来自第二组向量的第二向量之间的相似性指数值来确定相似性指数，并且当相似性指数高于当前参数时，继续处理当前参数下的附加晶圆 一个阈值。

公开(公告)号：US09455156B2

公开(公告)日：2016-09-27

申请号：US14863904

申请日：2015-09-24

申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.

发明人： Bi-Ming Yen ,  Tsai-Chun Li ,  Chun-Ming Hu

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76816

摘要： A method of making a semiconductor device includes forming an intermediate semiconductor device. The intermediate device includes a substrate; and a dielectric layer over the substrate. The intermediate device includes a first layer set, including a silicon-rich photoresist material, over the dielectric layer. The intermediate device includes a second layer set, including a carbon-rich organic material layer, over the first layer set. The method further includes etching the second layer set to form a tapered opening in the second layer set. The method further includes etching the first layer set to form an opening in the first layer set, wherein etching the first layer set comprises removing the carbon-rich organic material layer. The method further includes etching the dielectric layer using the first layer set as a mask to form an opening in the dielectric layer, wherein etching the dielectric layer comprises reducing a thickness of the first layer set.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括形成中间半导体器件。 中间装置包括基板; 以及在该衬底上的电介质层。 中间装置包括在电介质层上的包括富硅光致抗蚀剂材料的第一层组。 中间装置包括在第一层组上的包含富碳的有机材料层的第二层组。 该方法还包括蚀刻第二层组以在第二层组中形成锥形开口。 该方法还包括蚀刻第一层组以在第一层组中形成开口，其中蚀刻第一层组包括去除富含碳的有机材料层。 该方法还包括使用第一层作为掩模来蚀刻介电层，以在电介质层中形成开口，其中蚀刻介电层包括减小第一层组的厚度。

公开(公告)号：US20150079700A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：US14026753

申请日：2013-09-13

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Chih-Ming Ke ,  Ching-Pin Kao ,  Yang-Hung Chang ,  Kai-Hsiung Chen ,  Chun-Ming Hu

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/144 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70508 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70633 ,  G05B13/042 ,  G05B19/41835 ,  G05B2219/45029 ,  G05B2219/45031 ,  G06F17/5068 ,  H01L22/20 ,  Y02P90/12

摘要： The present disclosure provides methods and systems for providing a similarity index in semiconductor process control. One of the methods disclosed herein is a method for semiconductor fabrication process control. The method includes steps of receiving a first semiconductor device wafer and receiving a second semiconductor device wafer. The method also includes a step of collecting metrology data from the first and second semiconductor device wafers. The metrology data includes a first set of vectors associated with the first semiconductor device wafer and a second set of vectors associated with the second semiconductor device wafer. The method includes determining a similarity index based in part on a similarity index value between a first vector from the first set of vectors and a second vector from the second set of vectors and continuing to process additional wafers under current parameters when the similarity index is above a threshold value.

摘要翻译： 本公开提供了用于在半导体过程控制中提供相似性指数的方法和系统。 本文公开的方法之一是用于半导体制造过程控制的方法。 该方法包括接收第一半导体器件晶片和接收第二半导体器件晶片的步骤。 该方法还包括从第一和第二半导体器件晶片收集测量数据的步骤。 测量数据包括与第一半导体器件晶片相关联的第一组向量和与第二半导体器件晶片相关联的第二组向量。 该方法包括部分地基于来自第一组向量的第一向量和来自第二组向量的第二向量之间的相似性指数值来确定相似性指数，并且当相似性指数高于当前参数时，继续处理当前参数下的附加晶圆 一个阈值。