公开(公告)号：US6156481A

公开(公告)日：2000-12-05

申请号：US428911

申请日：1999-10-28

申请人： Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe ,  Jun Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe ,  Jun Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/111

摘要： A hydroxystyrene-(meth)acrylate copolymer in which some phenolic hydroxyl groups are crosslinked with acid labile groups is blended as a base resin in a positive resist composition, which has the advantages of enhanced dissolution inhibition and an increased dissolution contrast after exposure.

摘要翻译： 将一些酚羟基与酸不稳定基团交联的羟基苯乙烯 - （甲基）丙烯酸酯共聚物作为基础树脂掺入正性抗蚀剂组合物中，其具有增强的溶解抑制和暴露后溶解度增加的优点。

公开(公告)号：US06455223B1

公开(公告)日：2002-09-24

申请号：US09534351

申请日：2000-03-24

申请人： Jun Hatakeyama ,  Tomohiro Kobayashi ,  Osamu Watanabe ,  Takanobu Takeda ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe

发明人： Jun Hatakeyama ,  Tomohiro Kobayashi ,  Osamu Watanabe ,  Takanobu Takeda ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe

IPC分类号： G03F7039

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106

摘要： A resist composition comprising a dendritic or hyperbranched polymer of a phenol derivative having a weight average molecular weight of 500-10,000,000 has an excellent resolution, reduced line edge roughness, and dry etching resistance and is useful as a chemical amplification type resist composition which may be either positive or negative working.

摘要翻译： 包含重均分子量为500-10,000,000的苯酚衍生物的树枝状或超支化聚合物的抗蚀剂组合物具有优异的分辨率，线边缘粗糙度和耐干蚀刻性，并且可用作化学放大型抗蚀剂组合物，其可以是 正面或负面工作。

公开(公告)号：US06414101B1

公开(公告)日：2002-07-02

申请号：US09535166

申请日：2000-03-24

申请人： Osamu Watanabe ,  Takanobu Takeda ,  Jun Hatakeyama ,  Tomohiro Kobayashi ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe

发明人： Osamu Watanabe ,  Takanobu Takeda ,  Jun Hatakeyama ,  Tomohiro Kobayashi ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe

IPC分类号： C08F21214

CPC分类号： C08F257/02 ,  C08F290/04 ,  C08F297/02

摘要： A dendritic or hyperbranched polymer having a weight average molecular weight of 500-10,000,000 is prepared by polymerizing a hydroxystyrene derivative, adding a branching monomer midway in the polymerization step to introduce branch chains, and repeating the polymerizing and branching steps. The polymer is advantageously used as the base resin of resist material because the size of the polymer can be reduced while maintaining strength.

摘要翻译： 通过聚合羟基苯乙烯衍生物，在聚合步骤中途加入支化单体以引入支链并重复聚合和分支步骤，制备重均分子量为500-10,000,000的树枝状或超支化聚合物。 聚合物有利地用作抗蚀剂材料的基础树脂，因为可以在保持强度的同时降低聚合物的尺寸。

公开(公告)号：US06653044B2

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09760716

申请日：2001-01-17

申请人： Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe ,  Jun Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe ,  Jun Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： C07C6974

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11

摘要： A chemical amplification type resist composition uses as the base resin a polymer having a molecular weight dispersity of 1.0 to 1.5 which is a polymer comprising recurring units of formula (1) and recurring units of formula (2) or a polymer comprising recurring units of formula (2) wherein R1 is alkyl, alkoxyalkyl, acetyl or carbonylalkoxy, 0

摘要翻译： 化学放大型抗蚀剂组合物使用分子量分布为1.0〜1.5的聚合物作为基础树脂，其为包含式（1）的重复单元和式（2）的重复单元的聚合物或包含式 （2）其中R 1是烷基，烷氧基烷基，乙酰基或羰基烷氧基，0

公开(公告)号：US06994945B2

公开(公告)日：2006-02-07

申请号：US10085935

申请日：2002-03-01

申请人： Takanobu Takeda ,  Jun Hatakeyama ,  Toshinobu Ishihara ,  Tohru Kubota ,  Yasufumi Kubota

发明人： Takanobu Takeda ,  Jun Hatakeyama ,  Toshinobu Ishihara ,  Tohru Kubota ,  Yasufumi Kubota

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03F7/039 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  C08F30/08

CPC分类号： C08G77/04 ,  C08F230/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  C08F222/06 ,  C08F2220/185 ,  C08F214/06 ,  C08F220/18 ,  C08F222/40 ,  C08F214/26

摘要： Novel silicon-containing polymers are obtained by copolymerizing a vinylsilane monomer with a compound having a low electron density unsaturated bond such as maleic anhydride, maleimide derivatives or tetrafluoroethylene. Using the polymers, chemical amplification positive resist compositions sensitive to high-energy radiation and having a high sensitivity and resolution at a wavelength of less than 300 nm and improved resistance to oxygen plasma etching are obtained.

公开(公告)号：US06919161B2

公开(公告)日：2005-07-19

申请号：US10611261

申请日：2003-07-02

申请人： Jun Hatakeyama ,  Takanobu Takeda ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Jun Hatakeyama ,  Takanobu Takeda ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： C08F230/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075

CPC分类号： C08F230/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0758

摘要： Silicon-containing polymers comprising recurring units of formula (1) are novel wherein R1 is a single bond or alkylene, R2 is hydrogen or alkyl, R3, R4 and R5 are alkyl, haloalkyl, aryl or silicon-containing group, R6 is hydrogen, methyl, cyano or —C(═O)OR8 wherein R8 is hydrogen, alkyl or acid labile group, R7 is alkyl, —NR9R10 or —OR11 wherein R9, R10 and R11 are hydrogen or alkyl, a and b are positive numbers satisfying 0

摘要翻译： 包含式（1）的重复单元的含硅聚合物是新的，其中R 1是单键或亚烷基，R 2是氢或烷基，R 3 R 4，R 4和R 5是烷基，卤代烷基，芳基或含硅基团，R 6是氢，甲基， 氰基或-C（-O）OR 8，其中R 8为氢，烷基或酸不稳定基团，R 7为烷基，-NR 其中R 9，R 10和R 10和R 11和R 11独立地选自氢， α是氢或烷基，a和b是满足0

公开(公告)号：US06902772B2

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：US10611014

申请日：2003-07-02

申请人： Takanobu Takeda ,  Jun Hatakeyama ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Takanobu Takeda ,  Jun Hatakeyama ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： C08F222/06 ,  C08F230/08 ,  C08F232/08 ,  C08G77/442 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027 ,  C08J7/04

CPC分类号： C08F230/08 ,  C08G77/442 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0758

摘要： Silicon-containing polymers comprising recurring units of three components represented by the general formula (1) are novel wherein R1, R2 and R3 are hydrogen or C1-10 alkyl, R4, R5 and R6 are hydrogen, C1-20 alkyl or haloalkyl, or C6-20 aryl, R7 is C4-20 alkyl, n is 1 to 5, p, q and r are positive numbers. Resist compositions comprising the polymers are sensitive to high-energy radiation and have a high sensitivity and resolution at a wavelength of less than 300 nm and improved resistance to oxygen plasma etching

摘要翻译： 包含由通式（1）表示的三个组分的重复单元的含硅聚合物是新的，其中R 1，R 2和R 3， 是氢或C 1-10烷基，R 4，R 5和R 6是氢，C 1〜 C 1-20烷基或卤代烷基，或C 6-20芳基，R 7是C 1-4-20烃基， n为1〜5，p，q，r为正数。 包含聚合物的抗蚀剂组合物对高能辐射敏感，并且在小于300nm的波长下具有高灵敏度和分辨率，并改善了对氧等离子体蚀刻的耐受性

公开(公告)号：US06541179B2

公开(公告)日：2003-04-01

申请号：US09811695

申请日：2001-03-20

申请人： Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Watanabe

发明人： Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Watanabe

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/122

摘要： A resist composition contains a base resin, a photoacid generator, and a solvent. The photoacid generator is a sulfonium salt of formula (1). R1 is a monovalent cyclic or bridgedring C3-20, hydrocarbon group, R2 is hydroxyl, nitro, halogen, or a straight, branched or cyclic monovalent C1-15 hydrocarbon group which may contain O, N, S or halogen atom, K− is a non-nucleophilic counter ion, x is equal to 1 or 2, and y is an integer of 0-3. The resist composition is sensitive to ArF excimer laser light, has good sensitivity and resolution, and forms a thick film which is advantageous in etching.

摘要翻译： 抗蚀剂组合物含有基础树脂，光致酸产生剂和溶剂。 光致酸产生剂是式（1）的锍盐，R1是一价环状或桥连的C3-20，烃基，R2是羟基，硝基，卤素或直链，支链或环状的一价C1-15烃基，其可以 含有O，N，S或卤原子，K-是非亲核反离子，x等于1或2，y是0-3的整数。 抗蚀剂组合物对ArF准分子激光敏感，具有良好的灵敏度和分辨率，并形成有利于蚀刻的厚膜。

公开(公告)号：US06623909B2

公开(公告)日：2003-09-23

申请号：US09870745

申请日：2001-06-01

申请人： Jun Hatakeyama ,  Toshiaki Takahashi ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe ,  Tohru Kubota ,  Yoshio Kawai

发明人： Jun Hatakeyama ,  Toshiaki Takahashi ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe ,  Tohru Kubota ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7038

CPC分类号： C08G77/24 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108

摘要： Polymers comprising recurring units of formula (1) are provided wherein R1 is a straight, branched or cyclic divalent C1-20 hydrocarbon group or a bridged cyclic hydrocarbon group, R is hydrogen atom or an acid labile group, 0≦m≦3, 0≦n≦3 and 0≦m+n≦6. Using the polymers, chemical amplification positive resist compositions featuring low absorption of F2 excimer laser light are obtained.

摘要翻译： 提供了包含式（1）的重复单元的聚合物，其中R 1是直链，支链或环状二价C 1-20烃基或桥连环烃基，R是氢原子或酸不稳定基团，0≤m <= 3,0 <= n <= 3，0 <= m + n <= 6。使用聚合物，获得具有F2受激准分子激光的低吸收性的化学放大阳性抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US07232638B2

公开(公告)日：2007-06-19

申请号：US10427939

申请日：2003-05-02

申请人： Jun Hatakeyama ,  Hideshi Kurihara ,  Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe

发明人： Jun Hatakeyama ,  Hideshi Kurihara ,  Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0758 ,  G03F7/0397

摘要： Chemically amplified positive resist compositions comprising a polymer obtained by copolymerizing a silicon-containing monomer with a polar monomer having a value of LogP or cLogP of up to 0.6 and optionally hydroxystyrene, a photoacid generator and an organic solvent are sensitive to high-energy radiation and have a high sensitivity and resolution at a wavelength of less than 300 nm and improved resistance to oxygen plasma etching.

摘要翻译： 包含通过使含硅单体与LogP或cLogP值高达0.6的极性单体和任选的羟基苯乙烯，光酸产生剂和有机溶剂共聚获得的聚合物的化学扩增的正性抗蚀剂组合物对高能辐射敏感， 在小于300nm的波长下具有高灵敏度和分辨率，并且改善了耐氧等离子体蚀刻的耐受性。