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    Method for producing liquid crystal display device
    6.
    发明授权
    Method for producing liquid crystal display device 失效
    液晶显示装置的制造方法

    公开(公告)号：US5989782A

    公开(公告)日：1999-11-23

    申请号：US823726

    申请日：1997-03-25

    申请人： Hirohiko Nishiki ,  Yukinobu Nakata ,  Yoshinori Shimada

    发明人： Hirohiko Nishiki ,  Yukinobu Nakata ,  Yoshinori Shimada

    IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G09F9/30 ,  G02F1/133

    CPC分类号： G02F1/13439 ,  G02F1/136227

    摘要： A method for producing a liquid crystal display device includes: a pair of insulating substrates; a liquid crystal layer interposed between the pair of insulating substrates; switching elements arranged in a matrix on one of the pair of the insulating substrates; gate lines and data lines, arranged to intersect each other, for controlling the switching elements; and pixel electrodes provided above the gate lines and the data lines with an organic insulating film therebetween. The method includes the steps of forming a transparent conductive film on the organic insulating film at a first temperature; annealing the transparent conductive film at a second temperature equal to or lower than the first temperature; and patterning the transparent conductive film to form the pixel electrodes after the step of annealing.

    摘要翻译： 液晶显示装置的制造方法包括：一对绝缘基板; 插入在所述一对绝缘基板之间的液晶层; 在所述一对绝缘基板中的一个上布置成矩阵的开关元件; 栅极线和数据线，被布置为彼此相交，用于控制开关元件; 以及设置在栅极线之上的像素电极和数据线之间的有机绝缘膜。 该方法包括在第一温度下在有机绝缘膜上形成透明导电膜的步骤; 在等于或低于第一温度的第二温度对透明导电膜退火; 以及在退火步骤之后图案化透明导电膜以形成像素电极。

    Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device and display device
    10.
    发明授权
    Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device and display device 有权
    半导体装置，显示装置以及半导体装置及显示装置的制造方法

    公开(公告)号：US09087752B2

    公开(公告)日：2015-07-21

    申请号：US13823872

    申请日：2011-09-30

    申请人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

    发明人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

    IPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1345 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H05B33/02 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/32 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

    CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869 ,  H05B33/02

    摘要： A semiconductor device (100) according to the present invention includes a thin film transistor (10) having a gate electrode (62a), a first insulating layer (64), an oxide semiconductor layer (66a), a protection layer (68), a source electrode (72as), and a second insulating layer (74). A first connecting portion (30) includes a lower metal layer (72c), an upper metal layer (72c), and an insulating layer (74). A second connecting portion (40) includes a lower metal layer (72d) and an upper conductive layer (17d). A region in which the lower metal layer (72d) is in contact with the upper conductive layer (17d), and a region in which an insulating layer (74) made of a same material as the first insulating layer and a semiconductor layer (66d) made of a same material as the oxide semiconductor layer (66a) are stacked in between the lower metal layer (72d) and the upper conductive layer (17d), are formed in the second connecting portion (40). As a result, a semiconductor device with a higher performance can be provided with a high production efficiency.

    摘要翻译： 根据本发明的半导体器件（100）包括具有栅电极（62a），第一绝缘层（64），氧化物半导体层（66a），保护层（68）， 源电极（72as）和第二绝缘层（74）。 第一连接部分（30）包括下金属层（72c），上金属层（72c）和绝缘层（74）。 第二连接部分（40）包括下金属层（72d）和上导电层（17d）。 下部金属层（72d）与上部导电层（17d）接触的区域和由与第一绝缘层相同的材料构成的绝缘层（74）的区域和半导体层（66d） ）形成在下金属层（72d）和上导电层（17d）之间的与氧化物半导体层（66a）相同的材料制成的第二连接部分（40）。 结果，可以提供具有高生产效率的具有更高性能的半导体器件。