公开(公告)号：US08337712B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12120461

申请日：2008-05-14

申请人： Kenji Tamamori ,  Masahiko Okunuki ,  Shinan Wang ,  Taiko Motoi ,  Haruhito Ono ,  Toshiaki Aiba

发明人： Kenji Tamamori ,  Masahiko Okunuki ,  Shinan Wang ,  Taiko Motoi ,  Haruhito Ono ,  Toshiaki Aiba

IPC分类号： B29D11/00 ,  B44C1/22

CPC分类号： B29D11/00 ,  G02B2006/1213 ,  G03F7/2065 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2081

摘要： A method for forming an etching mask comprises irradiating a focused ion beam onto a surface of a substrate and forming an etching mask used for oblique etching including an ion containing portion in the irradiated region. A method for fabricating a three-dimensional structure comprises preparing a substrate, irradiating a focused ion beam onto a surface of the substrate and forming an etching mask including an ion-containing portion in the irradiated region, and dry-etching the substrate from a diagonal direction using the etching mask and forming a plurality of holes.

摘要翻译： 形成蚀刻掩模的方法包括将聚焦的离子束照射到衬底的表面上，并且在照射区域中形成用于包括含离子的部分的倾斜蚀刻的蚀刻掩模。 制造三维结构的方法包括：准备衬底，将聚焦的离子束照射到衬底的表面上，并在照射区域中形成包括含离子的部分的蚀刻掩模，并从对角线对衬底进行干蚀刻 方向，并形成多个孔。

公开(公告)号：US07902637B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US12109701

申请日：2008-04-25

申请人： Taiko Motoi ,  Kenji Tamamori ,  Shinan Wang ,  Masahiko Okunuki ,  Haruhito Ono ,  Toshiaki Aiba ,  Nobuki Yoshimatsu

发明人： Taiko Motoi ,  Kenji Tamamori ,  Shinan Wang ,  Masahiko Okunuki ,  Haruhito Ono ,  Toshiaki Aiba ,  Nobuki Yoshimatsu

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/302

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31144

摘要： A nano structure formed on the surface of a substrate containing Si and having a pattern of at least 2 μm in depth, in which Ga or In is contained in the surface of the pattern, and the Ga or the In has a concentration distribution that an elemental composition ratio Ga/Si or In/Si of Si and Ga or In detected by an X-ray photoelectron spectroscopy is at least 0.4 atomic percent in the depth direction of the substrate, and the maximum value of the concentration is positioned within 50 nm of the surface of the pattern.

摘要翻译： 纳米结构形成在含有Si的衬底的表面上，其深度为至少2μm的图案，其中Ga或In包含在图案的表面中，Ga或In的浓度分布为 通过X射线光电子能谱检测的Si和Ga或In的元素组成比Ga / Si或In / Si在衬底的深度方向上至少为0.4原子％，并且浓度的最大值位于50nm内 的图案表面。

公开(公告)号：US20090272970A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12089907

申请日：2006-11-01

申请人： Toshiaki Aiba ,  Masafumi Sano ,  Nobuyuki Kaji

发明人： Toshiaki Aiba ,  Masafumi Sano ,  Nobuyuki Kaji

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： Provided is a field-effect transistor including an active layer and a gate insulating film, wherein the active layer includes an amorphous oxide layer containing an amorphous region and a crystalline region, and the crystalline region is in the vicinity of or in contact with an interface between the amorphous oxide layer and the gate insulating film.

摘要翻译： 提供了一种包括有源层和栅极绝缘膜的场效应晶体管，其中有源层包括含有非晶区域和结晶区域的非晶氧化物层，并且晶体区域在界面附近或与界面接触 在非晶氧化物层和栅极绝缘膜之间。

公开(公告)号：US20060131269A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US10542145

申请日：2004-01-30

申请人： Toshiaki Aiba

发明人： Toshiaki Aiba

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： H01J37/3056 ,  B81C99/002 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/3114 ,  H01J2237/31744

摘要： A method of moving an object comprises a step of fixing the object to an object-moving means, a step of moving the object to a prescribed position by the object-moving means, and a step of releasing the object from the object-moving means; wherein the fixing step comprises forming a deposit, for fixation of the object to the object-moving means by applying a first corpuscular beam in a first gas to form a deposit; and the releasing step comprises etching the deposit by applying a second corpuscular beam in contact with a second gas.

摘要翻译： 移动物体的方法包括将物体固定到物体移动装置的步骤，通过物体移动装置将物体移动到规定位置的步骤，以及从物体移动装置释放物体的步骤 ; 其中所述固定步骤包括形成沉积物，用于通过在第一气体中施加第一粒子束以形成沉积物来将所述物体固定到所述物体移动装置; 并且释放步骤包括通过施加与第二气体接触的第二粒子束来蚀刻沉积物。

公开(公告)号：US06214738B1

公开(公告)日：2001-04-10

申请号：US09466910

申请日：1999-12-20

申请人： Toshiaki Aiba ,  Hidetoshi Nojiri ,  Taiko Motoi ,  Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki

发明人： Toshiaki Aiba ,  Hidetoshi Nojiri ,  Taiko Motoi ,  Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  C25D11/022 ,  C25D11/04 ,  C25D11/045 ,  C25D11/16 ,  C25D11/20 ,  C25D11/24

摘要： Provided is a method for producing regularly ordered narrow pores excellent in linearity, and a structure with such narrow pores. A method for producing a narrow pore comprises a step of radiating a particle beam onto a workpiece, and a step of carrying out anodic oxidation of the workpiece having been irradiated with the particle beam, to form a narrow pore in the workpiece.

摘要翻译： 本发明提供一种生产线性优异的规则排列的窄孔的方法和具有这种窄孔的结构。 用于制造窄孔的方法包括将粒子束照射到工件上的步骤，以及对已经被粒子束照射的工件进行阳极氧化的步骤，以在工件中形成窄孔。

公开(公告)号：US08084365B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12880188

申请日：2010-09-13

申请人： Taiko Motoi ,  Kenji Tamamori ,  Shinan Wang ,  Masahiko Okunuki ,  Haruhito Ono ,  Toshiaki Aiba ,  Nobuki Yoshimatsu

发明人： Taiko Motoi ,  Kenji Tamamori ,  Shinan Wang ,  Masahiko Okunuki ,  Haruhito Ono ,  Toshiaki Aiba ,  Nobuki Yoshimatsu

IPC分类号： H01L21/308

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31144

摘要： A method of manufacturing a nano structure by etching, using a substrate containing Si. A focused Ga ion or In ion beam is irradiated on the surface of the substrate containing Si. The Ga ions or the In ions are injected while sputtering away the surface of the substrate so that a layer containing Ga or In is formed on the surface of the substrate. Dry etching by a gas containing fluorine (F) is performed with the layer containing the Ga or the In formed on the surface of the substrate taken as an etching mask, and the nano structure is formed having a pattern of at least 2 μm tin in depth according to a predetermined line width.

摘要翻译： 使用含有Si的基板通过蚀刻制造纳米结构体的方法。 将聚焦的Ga离子或In离子束照射在含有Si的衬底的表面上。 注入Ga离子或In离子，同时溅射衬底的表面，使得在衬底的表面上形成含有Ga或In的层。 使用含有氟（F）的气体进行干蚀刻，其中包含形成在基板表面上的Ga或In的层作为蚀刻掩模，并且纳米结构形成为具有至少2μm锡的图案 根据预定线宽度的深度。

公开(公告)号：US07291962B2

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：US10968793

申请日：2004-10-20

申请人： Taiko Motoi ,  Masato Yamanobe ,  Rie Ueno ,  Toshiaki Aiba ,  Kumi Nakamura ,  Masaaki Shibata

发明人： Taiko Motoi ,  Masato Yamanobe ,  Rie Ueno ,  Toshiaki Aiba ,  Kumi Nakamura ,  Masaaki Shibata

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J1/00 ,  H01J1/62

CPC分类号： H01J1/316

摘要： Provided is an electron-emitting device with high electron emission efficiency and with stable electron emission characteristics over a long period. The electron-emitting device has a substrate, first and second carbon films laid with a first gap in between on the surface of the substrate, and first and second electrodes electrically connected to the first carbon film and to the second carbon film, respectively. In the electron-emitting device, a narrowest gap portion between the first carbon film and the second carbon film in the first gap is located above a surface of the substrate and the substrate has a depressed portion, at least, in the first gap.

摘要翻译： 本发明提供一种具有高电子发射效率和长期稳定的电子发射特性的电子发射器件。 电子发射器件具有衬底，在衬底表面上分别铺设有第一间隙的第一和第二碳膜以及分别与第一碳膜和第二碳膜电连接的第一和第二电极。 在电子发射器件中，第一间隙中的第一碳膜和第二碳膜之间的最窄间隙部分位于衬底的表面上方，并且衬底至少在第一间隙中具有凹陷部分。

公开(公告)号：US20050274198A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US11147179

申请日：2005-06-08

申请人： Toshiaki Aiba

发明人： Toshiaki Aiba

IPC分类号： G01N1/32 ,  G01N19/04 ,  H01L23/28

CPC分类号： G01N19/04 ,  G01N1/32

摘要： An adhesiveness evaluation method can accurately evaluate the adhesiveness of a selected specific micro-spot of a specimen 1 of a small size. A part to be measured 5 is produced by isolating it from a surrounding part 4 and a μ-probe 6, which is a support member, is fixed to the part to be measured 5. Then, pulling force is applied to the part to be measured 5 by means of the μ-probe 6, which is the support member and fixed to it, to evaluate the adhesiveness of the part to be measured 5.

摘要翻译： 粘合性评价方法可以精确地评价小尺寸的试样1的特定的特定微点的粘合性。 通过将其与周围部分4隔离并将作为支撑构件的mu探针6固定到待测量部件5 5来产生待测部件5。 然后，借助于作为支撑构件并固定在其上的μ探针6将拉力施加到待测量部件5，以评价待测部件5的粘合性。

公开(公告)号：US06677595B1

公开(公告)日：2004-01-13

申请号：US09557959

申请日：2000-04-25

申请人： Toshiaki Aiba

发明人： Toshiaki Aiba

IPC分类号： H01J3720

CPC分类号： H01J37/26 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/2561

摘要： A specimen holder including a specimen-holding table including a plane for placing a specimen, and a pair of members protruding from the plane, with the specimen-holding table being disposed between the pair of members. Here, the plane of the specimen-holding table is formed at an angle from a plane including top portions of the pair of members protruding from the plane of the specimen-holding table. The invention provides an electron microscope holder and a spacer used therein, which provide a high X-ray detection efficiency even when EDX analysis using an X-ray analyzer whose center axis only makes a small angle with a specimen-holding surface is performed on a specimen to be sectionally observed by TEM produced by FIB processing.

摘要翻译： 一种试样保持器，包括：试样保持台，其包括用于放置试样的平面;以及一对从所述平面突出的构件，所述试样保持台设置在所述一对构件之间。 这里，试样保持台的平面形成为从包括从试样保持台的平面突出的一对构件的顶部的平面成一定角度。 本发明提供一种电子显微镜支架及其中使用的间隔件，即使在使用其中心轴仅与试样保持面成小角度的X射线分析仪进行EDX分析时，也能够提供高X射线检测效率 通过FIB处理产生的TEM进行截面观察的样品。

公开(公告)号：US06541386B2

公开(公告)日：2003-04-01

申请号：US09767851

申请日：2001-01-24

申请人： Toshiaki Aiba ,  Hidetoshi Nojiri ,  Taiko Motoi ,  Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki

发明人： Toshiaki Aiba ,  Hidetoshi Nojiri ,  Taiko Motoi ,  Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  C25D11/022 ,  C25D11/04 ,  C25D11/045 ,  C25D11/16 ,  C25D11/20 ,  C25D11/24

摘要： Provided is a method for producing regularly ordered narrow pores excellent in linearity, and a structure with such narrow pores. A method for producing a narrow pore comprises a step of radiating a particle beam onto a workpiece, and a step of carrying out anodic oxidation of the workpiece having been irradiated with the particle beam, to form a narrow pore in the workpiece.

摘要翻译： 本发明提供一种生产线性优异的规则排列的窄孔的方法和具有这种窄孔的结构。 用于制造窄孔的方法包括将粒子束照射到工件上的步骤，以及对已经被粒子束照射的工件进行阳极氧化的步骤，以在工件中形成窄孔。