公开(公告)号：US20080121896A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11738655

申请日：2007-04-23

申请人： Toshiyuki TAKIZAWA ,  Tetsuzo UEDA

发明人： Toshiyuki TAKIZAWA ,  Tetsuzo UEDA

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7787

摘要： The nitride semiconductor material according to the present invention includes a group III nitride semiconductor and a group IV nitride formed on the group III nitride semiconductor, where an interface between the group III nitride semiconductor and the group IV nitride has a regular atomic arrangement. Moreover, an arrangement of nitrogen atoms of the group IV nitride in the interface and an arrangement of group III atoms of the group III nitride semiconductor in the interface may be substantially identical.

摘要翻译： 根据本发明的氮化物半导体材料包括在III族氮化物半导体上形成的III族氮化物半导体和IV族氮化物，其中III族氮化物半导体和IV族氮化物之间的界面具有规则的原子排列。 此外，界面中IV族氮化物的氮原子排列和III族氮化物半导体的III族原子在界面中的布置可以是基本相同的。

公开(公告)号：US20120299059A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13567503

申请日：2012-08-06

申请人： Toshiyuki TAKIZAWA ,  Tetsuzo UEDA

发明人： Toshiyuki TAKIZAWA ,  Tetsuzo UEDA

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： The transistor includes an underlying layer 301 formed on a substrate 300, and a first layer (including an operation layer 302) made of a nitride semiconductor formed on the underlying layer 301. The underlying layer 301 is a multilayered structure including a plurality of stacked nitride semiconductor layers. The underlying layer 301 includes a transition-metal-containing layer containing at least one of cobalt, nickel, ruthenium, osmium, rhodium, or iridium which is a transition metal.

摘要翻译： 晶体管包括形成在衬底300上的下层301和由形成在下层301上的氮化物半导体制成的第一层（包括操作层302）。下层301是包括多个层叠氮化物的多层结构 半导体层。 底层301包括含有过渡金属的层，其含有作为过渡金属的钴，镍，钌，锇，铑或铱中的至少一种。

公开(公告)号：US20100178756A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12608625

申请日：2009-10-29

申请人： Toshiyuki TAKIZAWA ,  Jun Shimizu ,  Tetsuzo Ueda

发明人： Toshiyuki TAKIZAWA ,  Jun Shimizu ,  Tetsuzo Ueda

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/145 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/2045 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/2227 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

摘要： A nitride semiconductor device includes: a substrate having a principal surface; a first nitride semiconductor layer formed on the principal surface of the substrate and includes one or more convex portions whose side surfaces are vertical to the principal surface; and a second nitride semiconductor layer selectively grown on the side surfaces of the one or more convex portions of the first nitride semiconductor layer.

摘要翻译： 氮化物半导体器件包括：具有主表面的衬底; 形成在所述基板的主面上的第一氮化物半导体层，具有与所述主面垂直的一个或多个凸部; 以及选择性地生长在第一氮化物半导体层的一个或多个凸部的侧表面上的第二氮化物半导体层。