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公开(公告)号：US08524012B2
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：US13357432
申请日：2012-01-24
申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {1011} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {1122} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate, and (4) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate.
摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在特定方向上生长的{1011}氮化镓（GaN），（2）在{110}尖晶石衬底上生长的{1013}氮化镓（GaN） ，（3）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{1122}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{1013}氮化镓（GaN）。
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公开(公告)号：US08128756B2
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：US12697961
申请日：2010-02-01
申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13 } gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate.
摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在特定方向上{100}尖晶石衬底上生长的{10}}氮化镓（GaN），（2）{110}上生长的{10 13}氮化镓（GaN） 尖晶石衬底，（3）在{100}蓝宝石衬底上生长的{11-22}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{10 13}氮化镓（GaN）。
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公开(公告)号：US20120119222A1
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：US13357432
申请日：2012-01-24
申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {1011} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {1122} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate, and (4) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate.
摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在特定方向上生长的{1011}氮化镓（GaN），（2）在{110}尖晶石衬底上生长的{1013}氮化镓（GaN） ，（3）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{1122}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{1013}氮化镓（GaN）。
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公开(公告)号：US20100133663A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：US12697961
申请日：2010-02-01
申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13 } gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate
摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在特定方向上{100}尖晶石衬底上生长的{10}}氮化镓（GaN），（2）{110}上生长的{10 13}氮化镓（GaN） 尖晶石衬底，在{100}蓝宝石衬底上生长的（3）{11-22}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{10 13}氮化镓（GaN）
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公开(公告)号：US07220324B2
公开(公告)日：2007-05-22
申请号：US11372914
申请日：2006-03-10
申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate.
摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在特定方向上生长的{10
11}氮化镓（GaN），（2）{10 22}氮化镓 “100”蓝宝石衬底，以及（4）在{1 100}蓝宝石衬底上生长的{10 13}氮化镓（GaN）。 -
公开(公告)号：US07704331B2
公开(公告)日：2010-04-27
申请号：US11621482
申请日：2007-01-09
申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
IPC分类号： H01L29/04
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate.
摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在特定方向上{100}尖晶石衬底上生长的{10}}氮化镓（GaN），（2）{110}上生长的{10 13}氮化镓（GaN） 尖晶石衬底，（3）在{100}蓝宝石衬底上生长的{11-22}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{10 13}氮化镓（GaN）。
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7.发明授权公开(公告)号：US07427555B2
公开(公告)日：2008-09-23
申请号：US10537385
申请日：2003-07-15
申请人： Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Shigemasa Matsuda , Michael D. Craven , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
发明人： Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Shigemasa Matsuda , Michael D. Craven , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262
摘要： Highly planar non-polar GaN films are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques.
摘要翻译： 通过氢化物气相外延（HVPE）生长高平面非极性GaN膜。 所得到的膜适合于通过各种生长技术的后续装置再生长。
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公开(公告)号：US08450192B2
公开(公告)日：2013-05-28
申请号：US12207407
申请日：2008-09-09
申请人： Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Shigemasa Matsuda , Michael D. Craven , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
发明人： Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Shigemasa Matsuda , Michael D. Craven , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
IPC分类号： H01L29/20 , H01L21/203
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262
摘要： Growth methods for planar, non-polar, Group-III nitride films are described. The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques.
摘要翻译： 描述了平面，非极性，III族氮化物膜的生长方法。 所得到的膜适合于通过各种生长技术的后续装置再生长。
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公开(公告)号：US07847293B2
公开(公告)日：2010-12-07
申请号：US11670332
申请日：2007-02-01
申请人： Benjamin A. Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
发明人： Benjamin A. Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
IPC分类号： H01L29/04 , H01L31/036 , H01L21/36
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647
摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.
摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。
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公开(公告)号：US20120074425A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：US13309380
申请日：2011-12-01
申请人： Benjamin A. Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
发明人： Benjamin A. Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647
摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.
摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。
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