专利检索 ap:("Benjamin A. Haskell" OR "Michael D. Craven" OR "Paul T. Fini" OR "Steven P. DenBaars" OR "James S. Speck" OR "Shuji Nakamura") AND inv:"James S. Speck" 第 1 页

1.

发明授权
Growth of planar, non-polar, group-III nitride films 有权
标题翻译：平面，非极性，III族氮化物薄膜的生长

公开(公告)号：US08450192B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12207407

申请日：2008-09-09

申请人： Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Shigemasa Matsuda , Michael D. Craven , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Shigemasa Matsuda , Michael D. Craven , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 , H01L21/203

CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262

摘要： Growth methods for planar, non-polar, Group-III nitride films are described. The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques.

摘要翻译： 描述了平面，非极性，III族氮化物膜的生长方法。所得到的膜适合于通过各种生长技术的后续装置再生长。

2.

发明授权
Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride 有权
标题翻译：减少位错密度非极性氮化镓的生长

公开(公告)号：US07847293B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US11670332

申请日：2007-02-01

申请人： Benjamin A. Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/04 , H01L31/036 , H01L21/36

CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

3.

发明授权
Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 有权
标题翻译：通过氢化物气相外延生长减少的位错密度非极性氮化镓

公开(公告)号：US07220658B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10537644

申请日：2003-07-15

申请人： Benjamin A Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 通过氢化物气相外延（HVPE）的非极性a面平面氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

4.

发明授权
Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 有权
标题翻译：通过氢化物气相外延生长平面非极性氮化镓

公开(公告)号：US07427555B2

公开(公告)日：2008-09-23

申请号：US10537385

申请日：2003-07-15

申请人： Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Shigemasa Matsuda , Michael D. Craven , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Shigemasa Matsuda , Michael D. Craven , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262

摘要： Highly planar non-polar GaN films are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques.

摘要翻译： 通过氢化物气相外延（HVPE）生长高平面非极性GaN膜。所得到的膜适合于通过各种生长技术的后续装置再生长。

5.

发明申请
GROWTH OF REDUCED DISLOCATION DENSITY NON-POLAR GALLIUM NITRIDE 审中-公开
标题翻译：减少偏差密度非极性氮化钠的生长

公开(公告)号：US20120074425A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13309380

申请日：2011-12-01

申请人： Benjamin A. Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 , H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

6.

发明申请
GROWTH OF REDUCED DISLOCATION DENSITY NON-POLAR GALLIUM NITRIDE 审中-公开
标题翻译：减少偏差密度非极性氮化钠的生长

公开(公告)号：US20110278585A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US12947453

申请日：2010-11-16

申请人： Benjamin A. Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 , H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

7.

发明申请
GROWTH OF PLANAR, NON-POLAR, GROUP-III NITRIDE FILMS 有权
标题翻译：平面生长，非极性，III组氮化物膜

公开(公告)号：US20090001519A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US12207407

申请日：2008-09-09

申请人： Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Shigemasa Matsuda , Michael D. Craven , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Shigemasa Matsuda , Michael D. Craven , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/203 , H01L29/20

CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262

摘要： Growth methods for planar, non-polar, Group-III nitride films are described. The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques.

摘要翻译： 描述了平面，非极性，III族氮化物膜的生长方法。所得到的膜适合于通过各种生长技术的后续装置再生长。

8.

发明授权
Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 有权
标题翻译：平面半极性氮化镓生长技术

公开(公告)号：US07220324B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US11372914

申请日：2006-03-10

申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938

摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate.

摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在特定方向上生长的{10 11}氮化镓（GaN），（2）{10 22}氮化镓 “100”蓝宝石衬底，以及（4）在{1 100}蓝宝石衬底上生长的{10 13}氮化镓（GaN）。

9.

发明授权
Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 有权
标题翻译：平面半极性氮化镓生长技术

公开(公告)号：US07704331B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11621482

申请日：2007-01-09

申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938

摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate.

摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。平面膜和衬底是：（1）在特定方向上{100}尖晶石衬底上生长的{10}}氮化镓（GaN），（2）{110}上生长的{10 13}氮化镓（GaN）尖晶石衬底，（3）在{100}蓝宝石衬底上生长的{11-22}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{10 13}氮化镓（GaN）。

10.

发明申请
TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 有权
标题翻译：平面半极性氮化镓生长的技术

公开(公告)号：US20120119222A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13357432

申请日：2012-01-24

申请人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua

发明人： Troy J. Baker , Benjamin A. Haskell , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamua

IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205

CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938

摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {1011} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {1122} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate, and (4) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate.

摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在特定方向上生长的{1011}氮化镓（GaN），（2）在{110}尖晶石衬底上生长的{1013}氮化镓（GaN），（3）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{1122}氮化镓（GaN），以及（4）在{1100}蓝宝石衬底上生长的{1013}氮化镓（GaN）。

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