公开(公告)号：US06617192B1

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US09677957

申请日：2000-10-03

申请人： Tyler Lowrey ,  Stephen J. Hudgens ,  Patrick J. Klersy

发明人： Tyler Lowrey ,  Stephen J. Hudgens ,  Patrick J. Klersy

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： An electrically operated memory element having a contact in electrical communication with a memory material programmable to at least a first resistance state and a second resistance state. Preferably, the contact includes at least a first region having a first resistivity and a second region having a second resistivity greater than the first resistivity where the more resistive region is adjacent to the memory material.

摘要翻译： 一种电操作的存储元件，其具有与可编程为至少第一电阻状态和第二电阻状态的存储器材料电连通的触点。 优选地，触点至少包括具有第一电阻率的第一区域和具有大于第一电阻率的第二电阻率的第二区域，其中较大电阻区域与存储材料相邻。

公开(公告)号：US07576350B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US10891970

申请日：2004-07-15

申请人： Tyler Lowrey ,  Stephen J. Hudgens ,  Patrick J. Klersy

发明人： Tyler Lowrey ,  Stephen J. Hudgens ,  Patrick J. Klersy

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： An electrically programmable memory element comprising a programmable resistance material and an electrical contact. The electrical contact having at least two portion wherein the first portion has a higher resistivity than the second portion.

摘要翻译： 一种电可编程存储元件，包括可编程电阻材料和电触点。 所述电触点具有至少两部分，其中所述第一部分具有比所述第二部分更高的电阻率。

公开(公告)号：US06764897B2

公开(公告)日：2004-07-20

申请号：US10649562

申请日：2003-08-26

申请人： Tyler Lowrey ,  Stephen J. Hudgens ,  Patrick J. Klersy

发明人： Tyler Lowrey ,  Stephen J. Hudgens ,  Patrick J. Klersy

IPC分类号： H01L218246

CPC分类号： G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： A method of making an electrically operated memory element. The memory element having a contact in electrical communication with a memory material programmable to at least a first resistance state and a second resistance state. Preferably, the contact includes at least a first region having a first resistivity and a second region having a second resistivity greater than the first resistivity where the more resistive region is adjacent to the memory material.

公开(公告)号：US06507061B1

公开(公告)日：2003-01-14

申请号：US09945331

申请日：2001-08-31

申请人： Stephen J. Hudgens ,  Tyler A. Lowrey ,  Patrick J. Klersy

发明人： Stephen J. Hudgens ,  Tyler A. Lowrey ,  Patrick J. Klersy

IPC分类号： H01L2976

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/128 ,  H01L45/144

摘要： A phase-change memory may be formed with at least two phase-change material layers separated by a barrier layer. The use of more than one phase-change layer enables a reduction in the programming volume while still providing adequate thermal insulation.

公开(公告)号：US06674115B2

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US10309633

申请日：2002-12-04

申请人： Stephen J. Hudgens ,  Tyler A. Lowrey ,  Patrick J. Klersy

发明人： Stephen J. Hudgens ,  Tyler A. Lowrey ,  Patrick J. Klersy

IPC分类号： H01L2976

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/128 ,  H01L45/144

摘要： A phase-change memory may be formed with at least two phase-change material layers separated by a barrier layer. The use of more than one phase-change layer enables a reduction in the programming volume while still providing adequate thermal insulation.

摘要翻译： 相变存储器可以形成有由阻挡层隔开的至少两个相变材料层。 使用多个相变层能够减少编程体积，同时仍然提供足够的热绝缘。

公开(公告)号：US6075719A

公开(公告)日：2000-06-13

申请号：US337778

申请日：1999-06-22

申请人： Tyler Lowrey ,  Guy C. Wicker ,  Boil Pashmakov ,  Patrick J. Klersy ,  Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj

发明人： Tyler Lowrey ,  Guy C. Wicker ,  Boil Pashmakov ,  Patrick J. Klersy ,  Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj

IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C11/00 ,  G11C11/34 ,  G11C16/02 ,  G11C16/34 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064

摘要： A method of programming an electrically programmable phase-change memory element to the low resistance state. A first pulse of energy sufficient to transform the device from the low to high resistance states is applied, and a second pulse of energy sufficient to transform the device from the high to low resistance states is applied following the first pulse. In another programming method, the present and desired device states are compared, and programming pulses are applied only if the state of the device needs to be changed.

摘要翻译： 一种将电可编程相变存储元件编程为低电阻状态的方法。 施加足以将器件从低电阻状态转换为高电阻状态的能量的第一脉冲，并且在第一脉冲之后施加足以将器件从高电阻状态转换为低电阻状态的第二能量脉冲。 在另一种编程方法中，比较当前和期望的器件状态，并且只有当需要改变器件的状态时才施加编程脉冲。

公开(公告)号：US06969866B1

公开(公告)日：2005-11-29

申请号：US09276273

申请日：1999-03-25

申请人： Tyler Lowrey ,  Stanford R. Ovshinsky ,  Guy C. Wicker ,  Patrick J. Klersy ,  Boil Pashmakov ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Sergey A. Kostylev

发明人： Tyler Lowrey ,  Stanford R. Ovshinsky ,  Guy C. Wicker ,  Patrick J. Klersy ,  Boil Pashmakov ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Sergey A. Kostylev

IPC分类号： G11C11/56 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L47/00

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C11/56 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： A memory element comprising a volume of phase change memory material; and first and second contact for supplying an electrical signal to the memory material, wherein the first contact comprises a conductive sidewall spacer. Alternately, the first contact may comprise a contact layer having an edge adjacent to the memory material.

摘要翻译： 一种存储器元件，包括一定量的相变存储器材料; 以及用于向存储器材料提供电信号的第一和第二触点，其中第一触点包括导电侧壁间隔物。 或者，第一接触可以包括具有与存储材料相邻的边缘的接触层。

公开(公告)号：US06998289B2

公开(公告)日：2006-02-14

申请号：US10302421

申请日：2002-11-21

申请人： Stephen J. Hudgens ,  Tyler A. Lowrey ,  Patrick J. Klersy

发明人： Stephen J. Hudgens ,  Tyler A. Lowrey ,  Patrick J. Klersy

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/18 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/128 ,  H01L45/144

摘要： A phase-change memory may be formed with at least two phase-change material layers separated by a barrier layer. The use of more than one phase-change layer enables a reduction in the programming volume while still providing adequate thermal insulation.

公开(公告)号：US07407829B2

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：US10799265

申请日：2004-03-12

申请人： Tyler Lowrey ,  Stanford R. Ovshinsky ,  Guy C. Wicker ,  Patrick J. Klersy ,  Boil Pashmakov ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Sergey A. Kostylev

发明人： Tyler Lowrey ,  Stanford R. Ovshinsky ,  Guy C. Wicker ,  Patrick J. Klersy ,  Boil Pashmakov ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Sergey A. Kostylev

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C11/56 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： A method of making an electrically programmable memory element, comprising: providing a first dielectric layer; forming a conductive material over the first dielectric layer; forming a second dielectric layer over the conductive material; and forming a programmable resistance material in electrical contact with a peripheral surface of the conductive material.

摘要翻译： 一种制造电可编程存储元件的方法，包括：提供第一介电层; 在所述第一介电层上形成导电材料; 在所述导电材料上形成第二电介质层; 以及形成与导电材料的外围表面电接触的可编程电阻材料。

公开(公告)号：US6087674A

公开(公告)日：2000-07-11

申请号：US63174

申请日：1998-04-20

申请人： Standford R. Ovshinsky ,  Wolodymyr Czubatyj ,  David A. Strand ,  Patrick J. Klersy ,  Sergey Kostylev ,  Boil Pashmakov

发明人： Standford R. Ovshinsky ,  Wolodymyr Czubatyj ,  David A. Strand ,  Patrick J. Klersy ,  Sergey Kostylev ,  Boil Pashmakov

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C16/02 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L47/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72

摘要： An electrically operated, single cell memory element comprising: a volume of memory material defining a single-cell memory element, the memory material comprising a heterogeneous mixture of a phase-change material and a dielectric material; and means for delivering an electrical signal to at least a portion of the volume of memory material. An electrically operated, single-cell memory element comprising: a volume of memory material defining the single-cell memory element, the memory material comprising a phase-change material and a dielectric material where the phase-change material has a plurality of detectable resistivity values and can be set directly to one of the resistivity values without the need to be set to a specific starting or erased resistivity value, regardless of the previous resistivity value of the material, in response to an electrical signal; and means for delivering the electrical signal to at least a portion of the volume of memory material.

摘要翻译： 一种电操作的单个单元存储器元件，包括：一定量单个存储单元的存储器材料的体积，所述存储器材料包括相变材料和电介质材料的不均匀混合物; 以及用于将电信号传送到所述存储器材料的体积的至少一部分的装置。 一种电操作的单电池存储元件，包括：限定单个单元存储元件的存储器材料的量，所述存储器材料包括相变材料和介电材料，其中所述相变材料具有多个可检测的电阻率值 并且可以直接设置为电阻率值之一，而不需要根据材料的电阻率值将电阻值设定为特定的起始或擦除电阻率值; 以及用于将电信号传送到存储材料体积的至少一部分的装置。