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    METHOD FOR PATTERNING NANO-SCALE PATTERNS OF MOLECULES ON A SURFACE OF A MATERIAL
    1.
    发明申请
    METHOD FOR PATTERNING NANO-SCALE PATTERNS OF MOLECULES ON A SURFACE OF A MATERIAL 审中-公开
    在材料表面上绘制分子的纳米尺度图案的方法

    公开(公告)号：US20100196661A1

    公开(公告)日：2010-08-05

    申请号：US12363389

    申请日：2009-01-30

    申请人： Urs T. Duerig ,  Bernd W. Gotsmann ,  James Lupton Hedrick ,  Armin W. Knoll ,  David Santos Pires

    发明人： Urs T. Duerig ,  Bernd W. Gotsmann ,  James Lupton Hedrick ,  Armin W. Knoll ,  David Santos Pires

    IPC分类号： B32B3/10 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0002 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/14 ,  G11B11/007 ,  Y10T428/24355

    摘要： Probe-based methods for patterning a surface of a material are described. In particular, high resolution patterning of molecules on a surface of a material, such as nano-scale patterns with feature sizes of less than 30 nanometers, are described. In one aspect, a method for patterning a surface of a material includes providing a material having a polymer film. A heated, nano-scale dimensioned probe is then used to desorb molecules upon interacting with the film. The film includes a network of molecules (such as molecular glasses) which are cross-linked via intermolecular (noncovalent) bonds, such as hydrogen bonds.

    摘要翻译： 描述了用于图案化材料表面的基于探针的方法。 特别地，描述了材料表面上的分子的高分辨率图案化，例如特征尺寸小于30纳米的纳米尺度图案。 一方面，用于图案化材料表面的方法包括提供具有聚合物膜的材料。 然后使用加热的纳米级尺寸的探针在与膜相互作用时解吸分子。 该膜包括通过分子间（非共价）键如氢键交联的分子网络（如分子玻璃）。

    PROTECTION OF POLYMER SURFACES DURING MICRO-FABRICATION
    2.
    发明申请
    PROTECTION OF POLYMER SURFACES DURING MICRO-FABRICATION 审中-公开
    微米制造过程中聚合物表面的保护

    公开(公告)号：US20080220612A1

    公开(公告)日：2008-09-11

    申请号：US11682347

    申请日：2007-03-06

    申请人： Ute Drechsler ,  Urs T. Duerig ,  Jane Elizabeth Frommer ,  Bernd W. Gotsmann ,  James Lupton Hedrick ,  Armin W. Knoll ,  Tobias Kraus ,  Robert Dennis Miller

    发明人： Ute Drechsler ,  Urs T. Duerig ,  Jane Elizabeth Frommer ,  Bernd W. Gotsmann ,  James Lupton Hedrick ,  Armin W. Knoll ,  Tobias Kraus ,  Robert Dennis Miller

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： G11B9/149 ,  B82Y10/00 ,  Y10S438/928

    摘要： A method of protecting a polymeric layer from contamination by a photoresist layer. The method includes: (a) forming a polymeric layer over a substrate; (b) forming a non-photoactive protection layer over the polymeric layer; (c) forming a photoresist layer over the protection layer; (d) exposing the photoresist layer to actinic radiation and developing the photoresist layer to form a patterned photoresist layer, thereby exposing regions of the protection layer; (e) etching through the protection layer and the polymeric layer where the protection layer is not protected by the patterned photoresist layer; (f) removing the patterned photoresist layer in a first removal process; and (g) removing the protection layer in a second removal process different from the first removal process.

    摘要翻译： 保护聚合物层免受光致抗蚀剂层污染的方法。 该方法包括：（a）在基底上形成聚合物层; （b）在聚合物层上形成非光敏保护层; （c）在所述保护层上形成光致抗蚀剂层; （d）将光致抗蚀剂层暴露于光化辐射并显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层，从而暴露保护层的区域; （e）蚀刻通过保护层和聚合物层，其中保护层不被图案化的光致抗蚀剂层保护; （f）在第一去除过程中去除图案化的光致抗蚀剂层; 和（g）在与第一去除过程不同的第二去除过程中去除保护层。

    Protection of polymer surfaces during micro-fabrication
    3.
    发明授权
    Protection of polymer surfaces during micro-fabrication 有权
    在微加工过程中保护聚合物表面

    公开(公告)号：US07749915B2

    公开(公告)日：2010-07-06

    申请号：US12058924

    申请日：2008-03-31

    申请人： Ute Drechsler ,  Urs T. Duerig ,  Jane Elizabeth Frommer ,  Bernd W. Gotsmann ,  James Lupton Hedrick ,  Armin W. Knoll ,  Tobias Kraus ,  Robert Dennis Miller

    发明人： Ute Drechsler ,  Urs T. Duerig ,  Jane Elizabeth Frommer ,  Bernd W. Gotsmann ,  James Lupton Hedrick ,  Armin W. Knoll ,  Tobias Kraus ,  Robert Dennis Miller

    IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312

    CPC分类号： G11B9/149 ,  B82Y10/00 ,  Y10S438/928

    摘要： A method of protecting a polymeric layer from contamination by a photoresist layer. The method includes: (a) forming a polymeric layer over a substrate; (b) forming a non-photoactive protection layer over the polymeric layer; (c) forming a photoresist layer over the protection layer; (d) exposing the photoresist layer to actinic radiation and developing the photoresist layer to form a patterned photoresist layer, thereby exposing regions of the protection layer; (e) etching through the protection layer and the polymeric layer where the protection layer is not protected by the patterned photoresist layer; (f) removing the patterned photoresist layer in a first removal process; and (g) removing the protection layer in a second removal process different from the first removal process.

    摘要翻译： 保护聚合物层免受光致抗蚀剂层污染的方法。 该方法包括：（a）在基底上形成聚合物层; （b）在聚合物层上形成非光敏保护层; （c）在所述保护层上形成光致抗蚀剂层; （d）将光致抗蚀剂层暴露于光化辐射并显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层，从而暴露保护层的区域; （e）蚀刻通过保护层和聚合物层，其中保护层不被图案化的光致抗蚀剂层保护; （f）在第一去除过程中去除图案化的光致抗蚀剂层; 和（g）在与第一去除过程不同的第二去除过程中去除保护层。