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    Nitride semiconductor device
    6.
    发明授权
    Nitride semiconductor device 失效
    氮化物半导体器件

    公开(公告)号：US07538366B2

    公开(公告)日：2009-05-26

    申请号：US11739874

    申请日：2007-04-25

    申请人： Wataru Saito ,  Akira Yoshioka ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Yasunobu Saito ,  Takao Noda ,  Tomohiro Nitta ,  Yorito Kakiuchi

    发明人： Wataru Saito ,  Akira Yoshioka ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Yasunobu Saito ,  Takao Noda ,  Tomohiro Nitta ,  Yorito Kakiuchi

    IPC分类号： H01L27/088

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

    摘要： A nitride semiconductor device includes: a conductive substrate; a first semiconductor layer provided on the substrate; a second semiconductor layer provided on the first semiconductor layer; a third semiconductor layer on the second semiconductor layer; a first main electrode connected to the third semiconductor layer; a second main electrode connected to the third semiconductor layer; and a control electrode provided on the third semiconductor layer. The first semiconductor layer is made of AlXGa1−XN (0≦X≦1) of a first conductivity type. The second semiconductor layer is made of a first nitride semiconductor. The third semiconductor layer is made of a second nitride semiconductor which is undoped or of n-type and has a wider bandgap than the first nitride semiconductor.

    摘要翻译： 氮化物半导体器件包括：导电衬底; 设置在所述基板上的第一半导体层; 设置在所述第一半导体层上的第二半导体层; 第二半导体层上的第三半导体层; 连接到第三半导体层的第一主电极; 连接到第三半导体层的第二主电极; 以及设置在所述第三半导体层上的控制电极。 第一半导体层由第一导电类型的AlXGa1-XN（0 <= X <= 1）制成。 第二半导体层由第一氮化物半导体制成。 第三半导体层由未掺杂或n型的具有比第一氮化物半导体更宽的带隙的第二氮化物半导体制成。

    NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
    7.
    发明申请
    NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
    氮化物半导体器件

    公开(公告)号：US20070254431A1

    公开(公告)日：2007-11-01

    申请号：US11739874

    申请日：2007-04-25

    申请人： Wataru Saito ,  Akira Yoshioka ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Yasunobu Saito ,  Takao Noda ,  Tomohiro Nitta ,  Yorito Kakiuchi

    发明人： Wataru Saito ,  Akira Yoshioka ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Yasunobu Saito ,  Takao Noda ,  Tomohiro Nitta ,  Yorito Kakiuchi

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

    摘要： A nitride semiconductor device includes: a conductive substrate; a first semiconductor layer provided on the substrate; a second semiconductor layer provided on the first semiconductor layer; a third semiconductor layer on the second semiconductor layer; a first main electrode connected to the third semiconductor layer; a second main electrode connected to the third semiconductor layer; and a control electrode provided on the third semiconductor layer. The first semiconductor layer is made of AlXGa1−XN (0≦X≦1) of a first conductivity type. The second semiconductor layer is made of a first nitride semiconductor. The third semiconductor layer is made of a second nitride semiconductor which is undoped or of n-type and has a wider bandgap than the first nitride semiconductor.

    摘要翻译： 氮化物半导体器件包括：导电衬底; 设置在所述基板上的第一半导体层; 设置在所述第一半导体层上的第二半导体层; 第二半导体层上的第三半导体层; 连接到第三半导体层的第一主电极; 连接到第三半导体层的第二主电极; 以及设置在所述第三半导体层上的控制电极。 第一半导体层由第一导电类型的Al x Ga 1-X N（0 <= X 1 = 1）制成。 第二半导体层由第一氮化物半导体制成。 第三半导体层由未掺杂或n型的具有比第一氮化物半导体更宽的带隙的第二氮化物半导体制成。