公开(公告)号：US08404541B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12790578

申请日：2010-05-28

申请人： Wei Zheng ,  Jean Yang ,  Mark Randolph ,  Ming Kwan ,  Yi He ,  Zhizheng Liu ,  Meng Ding

发明人： Wei Zheng ,  Jean Yang ,  Mark Randolph ,  Ming Kwan ,  Yi He ,  Zhizheng Liu ,  Meng Ding

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531

摘要： A semiconductor device includes a substrate and a memory cell formed on the substrate. The memory cell includes a word line. The semiconductor device also includes a protection area formed in the substrate, a conductive structure configured to extend the word line to the protection area, and a contact configured to short the word line and the protection area.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底和形成在衬底上的存储单元。 存储单元包括字线。 半导体器件还包括形成在衬底中的保护区域，被配置为将字线延伸到保护区域的导电结构以及被配置为使字线和保护区域短路的触点。

公开(公告)号：US20080150005A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11694089

申请日：2007-03-30

申请人： Meng Ding ,  YouSeok Suh ,  Wei Zheng ,  Kuo-Tung Chang

发明人： Meng Ding ,  YouSeok Suh ,  Wei Zheng ,  Kuo-Tung Chang

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： A memory system includes a substrate, forming a first insulator layer over the substrate, forming a charge-storage layer over the first insulator layer, forming a second insulator layer over the charge-storage layer, and forming a depletion gate having a depletion phenomenon over the second insulator layer.

摘要翻译： 存储器系统包括：衬底，在衬底上形成第一绝缘体层，在第一绝缘体层之上形成电荷存储层，在电荷存储层上形成第二绝缘体层，并形成具有耗尽现象的耗尽栅极 第二绝缘体层。

公开(公告)号：US07750407B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11612265

申请日：2006-12-18

申请人： Wei Zheng ,  Jean Yang ,  Mark Randolph ,  Ming Kwan ,  Yi He ,  Zhizheng Liu ,  Meng Ding

发明人： Wei Zheng ,  Jean Yang ,  Mark Randolph ,  Ming Kwan ,  Yi He ,  Zhizheng Liu ,  Meng Ding

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531

摘要： A semiconductor device includes a substrate and a memory cell formed on the substrate. The memory cell includes a word line. The semiconductor device also includes a protection area formed in the substrate, a conductive structure configured to extend the word line to the protection area, and a contact configured to short the word line and the protection area.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底和形成在衬底上的存储单元。 存储单元包括字线。 半导体器件还包括形成在衬底中的保护区域，被配置为将字线延伸到保护区域的导电结构以及被配置为使字线和保护区域短路的触点。

公开(公告)号：US07285827B1

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：US11194449

申请日：2005-08-02

申请人： Yi He ,  Zhizheng Liu ,  Meng Ding ,  Wei Zheng

发明人： Yi He ,  Zhizheng Liu ,  Meng Ding ,  Wei Zheng

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L27/0266 ,  H01L27/0255

摘要： A device includes a memory device and an NPN or PNP diode coupled to a word-line of the memory device. The NPN or PNP diode reduces device damage and performance impairment that may result from device charging by drawing charges away from the memory device.

摘要翻译： 一种设备包括存储器件和耦合到存储器件的字线的NPN或PNP二极管。 NPN或PNP二极管通过从存储器件中抽取电荷来减少设备充电所造成的器件损坏和性能损害。

公开(公告)号：US07394702B2

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：US11399130

申请日：2006-04-05

申请人： Meng Ding ,  Zhizheng Liu ,  Wei Zheng

发明人： Meng Ding ,  Zhizheng Liu ,  Wei Zheng

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： H01L29/7923 ,  G11C16/0475 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7887

摘要： A dual-bit memory device includes a first charge storage region spaced apart from a second charge storage region by an isolation region. Techniques for erasing a memory can be provided in which electrons can be injected into the charge storage regions to erase the charge storage regions. Other techniques for programming a memory can be provided in which holes can be injected into at least one of the charge storage regions to program the charge storage regions.

摘要翻译： 双位存储器件包括通过隔离区域与第二电荷存储区域间隔开的第一电荷存储区域。 可以提供用于擦除存储器的技术，其中电子可以被注入到电荷存储区域中以擦除电荷存储区域。 可以提供用于编程存储器的其它技术，其中可以将空穴注入到至少一个电荷存储区域中以对电荷存储区域进行编程。

公开(公告)号：US20080150011A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11958646

申请日：2007-12-18

申请人： Simon Siu-Sing Chan ,  Lei Xue ,  YouSeok Suh ,  Amol Ramesh Joshi ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Harpreet Sachar ,  Kuo-Tung Chang ,  Connie Pin Chin Wang ,  Paul R. Besser ,  Shenqing Fang ,  Meng Ding ,  Takashi Orimoto ,  Wei Zheng ,  Fred TK Cheung

发明人： Simon Siu-Sing Chan ,  Lei Xue ,  YouSeok Suh ,  Amol Ramesh Joshi ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Harpreet Sachar ,  Kuo-Tung Chang ,  Connie Pin Chin Wang ,  Paul R. Besser ,  Shenqing Fang ,  Meng Ding ,  Takashi Orimoto ,  Wei Zheng ,  Fred TK Cheung

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11573

摘要： A method for forming an integrated circuit system is provided including forming a substrate having a core region and a periphery region, forming a charge storage stack over the substrate in the core region, forming a gate stack with a stack header having a metal portion over the substrate in the periphery region, and forming a memory system with the stack header over the charge storage stack.

摘要翻译： 提供一种用于形成集成电路系统的方法，包括形成具有芯区域和周边区域的衬底，在芯区域中的衬底上形成电荷存储堆叠，形成具有堆叠集管的栅极堆叠，堆叠集束具有金属部分 衬底，并且在电荷存储堆叠上形成具有堆叠头的存储器系统。

公开(公告)号：US07365389B1

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：US11008233

申请日：2004-12-10

申请人： Joong Jeon ,  Wei Zheng ,  Mark Randolph ,  Meng Ding ,  Hidehiko Shiraiwa

发明人： Joong Jeon ,  Wei Zheng ,  Mark Randolph ,  Meng Ding ,  Hidehiko Shiraiwa

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L29/792

摘要： A semiconductor memory device may include an intergate dielectric layer of a high-K, high barrier height dielectric material interposed between a charge storage layer and a control gate. With this intergate high-K, high barrier height dielectric in place, the memory device may be efficiently erased using Fowler-Nordheim tunneling.

摘要翻译： 半导体存储器件可以包括介于电荷存储层和控制栅之间的高K，高势垒高电介质材料的隔间电介质层。 利用这种隔间高K，高势垒高电介质就位，可以使用Fowler-Nordheim隧道有效地擦除存储器件。

公开(公告)号：US20070247924A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11399158

申请日：2006-04-06

申请人： Wei Zheng ,  Meng Ding

发明人： Wei Zheng ,  Meng Ding

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C11/34

CPC分类号： G11C16/14 ,  G11C16/0458 ,  G11C16/0475 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923

摘要： A memory includes a first charge storage region spaced apart from a second charge storage region by an isolation region. Techniques for erasing a memory are provided in which electrons are Fowler-Nordheim (FN) tunneled out of at least one of the charge storage regions into a substrate to erase the at least one charge storage region of the memory. Other techniques are provided for programming a single charge storage region at multiple different levels or states.

摘要翻译： 存储器包括通过隔离区域与第二电荷存储区域间隔开的第一电荷存储区域。 提供了用于擦除存储器的技术，其中电子是Fowler-Nordheim（FN）从电荷存储区域中的至少一个隧道化到衬底中以擦除存储器的至少一个电荷存储区域。 提供了用于在多个不同级别或状态下编程单个电荷存储区域的其它技术。

公开(公告)号：US20070247923A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11399130

申请日：2006-04-05

申请人： Meng Ding ,  Zhizheng Liu ,  Wei Zheng

发明人： Meng Ding ,  Zhizheng Liu ,  Wei Zheng

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C11/34

CPC分类号： H01L29/7923 ,  G11C16/0475 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7887

摘要： A dual-bit memory device includes a first charge storage region spaced apart from a second charge storage region by an isolation region. Techniques for erasing a memory can be provided in which electrons can be injected into the charge storage regions to erase the charge storage regions. Other techniques for programming a memory can be provided in which holes can be injected into at least one of the charge storage regions to program the charge storage regions.

摘要翻译： 双位存储器件包括通过隔离区域与第二电荷存储区域间隔开的第一电荷存储区域。 可以提供用于擦除存储器的技术，其中电子可以被注入到电荷存储区域中以擦除电荷存储区域。 可以提供用于编程存储器的其它技术，其中可以将空穴注入到至少一个电荷存储区域中以对电荷存储区域进行编程。

公开(公告)号：US07573103B1

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：US11855704

申请日：2007-09-14

申请人： Yi He ,  Zhizheng Liu ,  Meng Ding ,  Wei Zheng

发明人： Yi He ,  Zhizheng Liu ,  Meng Ding ,  Wei Zheng

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0266 ,  H01L27/0255

摘要： A device includes a memory device and an NPN or PNP diode coupled to a word-line of the memory device. The NPN diode includes a p-type substrate connected to ground, a well of n-type material formed in the p-type substrate in direct physical contact with the p-type substrate and electrically connected to the p-type substrate via a first metal line, a well of p-type material formed in the first well of n-type material, a first n-type region formed in the well of p-type material in direct physical contact with the well of p-type material and connected to the word line of the memory device, and a first p-type region formed in the well of n-type material in direct physical contact with the well of n-type material and electrically connected to the well of p-type material via a second metal line. The PNP diode includes a n-type substrate connected to ground, a well of p-type material formed in the n-type substrate in direct physical contact with the n-type substrate and electrically connected to the n-type substrate via a first metal line, a well of n-type material formed in the first well of p-type material, a first p-type region formed in the well of n-type material in direct physical contact with the well of n-type material and connected to the word line of the memory device, and a first n-type region formed in the well of p-type material in direct physical contact with the well of p-type material and electrically connected to the well of n-type material via a second metal line.

摘要翻译： 一种设备包括存储器件和耦合到存储器件的字线的NPN或PNP二极管。 NPN二极管包括连接到地的p型衬底，在p型衬底中形成的与p型衬底直接物理接触的n型材料的阱，并通过第一金属电连接到p型衬底 线，在n型材料的第一阱中形成的p型材料的阱，形成在p型材料的阱中的第一n型区，与p型材料的阱直接物理接触并连接到 存储器件的字线和形成在n型材料的阱中的与n型材料的阱直接物理接触并且经由第二p型材料电连接到p型材料的阱的第一p型区域 金属线。 PNP二极管包括连接到地的n型衬底，形成在n型衬底中的p型材料的阱与n型衬底直接物理接触并且经由第一金属电连接到n型衬底 线，在p型材料的第一阱中形成的n型材料的阱，形成在n型材料的阱中的与n型材料的阱直接物理接触的第一p型区，并连接到 存储器件的字线和形成在p型材料的阱中的第一n型区域，其与p型材料的阱直接物理接触并且经由第二类型的n型材料电连接到n型材料的阱 金属线。