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    Photomask and method thereof
    1.
    发明申请
    Photomask and method thereof 审中-公开
    光掩模及其方法

    公开(公告)号：US20060257753A1

    公开(公告)日：2006-11-16

    申请号：US11356258

    申请日：2006-02-17

    申请人： Won-joo Kim ,  I-hun Song ,  Suk-pil Kim ,  Seung-hyuk Chang ,  Won-Il Ryu ,  Hoon Kim

    发明人： Won-joo Kim ,  I-hun Song ,  Suk-pil Kim ,  Seung-hyuk Chang ,  Won-Il Ryu ,  Hoon Kim

    IPC分类号： G03C5/00 ,  G21K5/00 ,  G03F1/00

    CPC分类号： G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G21K2201/067

    摘要： A photomask and method thereof. In an example method, a photomask may be manufactured by forming an oxide layer on a surface, patterning the oxide layer to form an oxide pattern, the oxide pattern including a plurality of oxide pattern bodies and a plurality of oxide windows, filling the plurality of oxide windows with an absorbent to form an absorbent pattern and reducing the plurality of oxide pattern bodies. An example photomask may include an oxide pattern-based absorbent pattern including a plurality of absorbent pattern bodies and a plurality of absorbent pattern windows.

    摘要翻译： 光掩模及其方法。 在一个示例性方法中，可以通过在表面上形成氧化物层来形成光掩模，图案化氧化物层以形成氧化物图案，氧化物图案包括多个氧化物图案体和多个氧化物窗口， 具有吸收剂的氧化物窗口以形成吸收图案并且还原多个氧化物图案体。 示例性光掩模可以包括基于氧化物图案的吸收图案，其包括多个吸收图案体和多个吸收图案窗。

    EUVL reflection device, method of fabricating the same, and mask, projection optics system and EUVL apparatus using the EUVL reflection device
    2.
    发明申请
    EUVL reflection device, method of fabricating the same, and mask, projection optics system and EUVL apparatus using the EUVL reflection device 审中-公开
    EUVL反射装置及其制造方法，掩模，投影光学系统和使用EUVL反射装置的EUVL装置

    公开(公告)号：US20070031741A1

    公开(公告)日：2007-02-08

    申请号：US11498020

    申请日：2006-08-03

    申请人： Hoon Kim ,  Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang

    发明人： Hoon Kim ,  Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang

    IPC分类号： G02B5/20 ,  F21V9/06 ,  F21V9/04 ,  G21K5/00 ,  G03F1/00 ,  G02B5/08

    CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062

    摘要： A reflection device that may include a substrate and a multi-reflection layer formed on the substrate. The multi-reflection layer may be formed of a material capable of reflecting EUV rays. The multi-reflection layer may be formed by stacking a plurality of layer groups, each including a first material layer, a surface-treated layer obtained by surface-treating the first material layer, and a second material layer formed on the surface-treated layer. A method of fabricating the reflection device that may include preparing a substrate and forming a multi-reflection layer on the substrate from a material capable of reflecting EUV rays. The forming of the multi-reflection layer may be performed by repeatedly forming a layer group. The forming of the layer group may include forming a first material layer, surface-treating the first material layer, and forming a second material layer on the surface-treated first material layer.

    摘要翻译： 可以包括形成在基板上的基板和多反射层的反射装置。 多反射层可以由能够反射EUV射线的材料形成。 多反射层可以通过层叠多个层组而形成，每个层组包括第一材料层，通过表面处理第一材料层获得的表面处理层和形成在表面处理层上的第二材料层 。 一种制造反射装置的方法，其可以包括准备基板并且在能够反射EUV射线的材料的基板上形成多反射层。 多反射层的形成可以通过重复形成层组来进行。 层组的形成可以包括形成第一材料层，对第一材料层进行表面处理，以及在表面处理的第一材料层上形成第二材料层。

    Reflection mask for EUV photolithography and method of fabricating the reflection mask
    3.
    发明申请
    Reflection mask for EUV photolithography and method of fabricating the reflection mask 有权
    用于EUV光刻的反射掩模和制造反射掩模的方法

    公开(公告)号：US20060281017A1

    公开(公告)日：2006-12-14

    申请号：US11441835

    申请日：2006-05-26

    申请人： Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-Soo Park ,  Seung-hyuk Chang ,  Hoon Kim

    发明人： Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-Soo Park ,  Seung-hyuk Chang ,  Hoon Kim

    IPC分类号： G21K5/00 ,  G03F1/00

    CPC分类号： G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24

    摘要： A reflection mask for extreme ultraviolet (EUV) photolithography and a method of fabricating the same, in which the reflection mask includes a substrate, a lower reflection layer formed in a multi-layer structure on the substrate and including a material reflecting EUV light, an upper reflection layer formed in a multi-layer structure on the lower reflection layer and reflecting EUV light, and a phase reversing layer formed between the lower reflection layer and the upper reflection layer in a certain pattern and causing destructive interference between reflection light from the upper reflection layer and reflection light from the lower reflection layer. An incidence of a shadow effect can be reduced and unnecessary EUV light can be eliminated, so that a pattern on the reflection mask can be projected precisely on a silicon wafer. Since the phase reversing layer includes the same material as the reflection layer and an absorption layer, mask fabrication processes can be handled easily.

    摘要翻译： 一种用于极紫外（EUV）光刻的反射掩模及其制造方法，其中反射掩模包括基板，在基板上形成为多层结构的下反射层，并且包括反射EUV光的材料， 在下反射层上形成多层结构并反射EUV光的上反射层和以一定图案形成在下反射层和上反射层之间的相位反转层，并且产生来自上层的反射光之间的相消干涉 反射层和来自下反射层的反射光。 可以减少阴影效应的入射，并且可以消除不必要的EUV光，使得反射掩模上的图案可以精确地投影在硅晶片上。 由于相位反转层包括与反射层和吸收层相同的材料，因此可以容易地处理掩模制造工艺。

    Reflection mask for EUV photolithography and method of fabricating the reflection mask
    4.
    发明授权
    Reflection mask for EUV photolithography and method of fabricating the reflection mask 有权
    用于EUV光刻的反射掩模和制造反射掩模的方法

    公开(公告)号：US07682758B2

    公开(公告)日：2010-03-23

    申请号：US11441835

    申请日：2006-05-26

    申请人： Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang ,  Hoon Kim

    发明人： Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang ,  Hoon Kim

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24

    摘要： A reflection mask for extreme ultraviolet (EUV) photolithography and a method of fabricating the same, in which the reflection mask includes a substrate, a lower reflection layer formed in a multi-layer structure on the substrate and including a material reflecting EUV light, an upper reflection layer formed in a multi-layer structure on the lower reflection layer and reflecting EUV light, and a phase reversing layer formed between the lower reflection layer and the upper reflection layer in a certain pattern and causing destructive interference between reflection light from the upper reflection layer and reflection light from the lower reflection layer. An incidence of a shadow effect can be reduced and unnecessary EUV light can be eliminated, so that a pattern on the reflection mask can be projected precisely on a silicon wafer. Since the phase reversing layer includes the same material as the reflection layer and an absorption layer, mask fabrication processes can be handled easily.

    摘要翻译： 一种用于极紫外（EUV）光刻的反射掩模及其制造方法，其中反射掩模包括基板，在基板上形成为多层结构的下反射层，并且包括反射EUV光的材料， 在下反射层上形成多层结构并反射EUV光的上反射层和以一定图案形成在下反射层和上反射层之间的相位反转层，并且产生来自上层的反射光之间的相消干涉 反射层和来自下反射层的反射光。 可以减少阴影效应的入射，并且可以消除不必要的EUV光，使得反射掩模上的图案可以精确地投影在硅晶片上。 由于相位反转层包括与反射层和吸收层相同的材料，因此可以容易地处理掩模制造工艺。

    Multi bits flash memory device and method of operating the same
    5.
    发明授权
    Multi bits flash memory device and method of operating the same 失效
    多位闪存器件及其操作方法

    公开(公告)号：US07535049B2

    公开(公告)日：2009-05-19

    申请号：US11249393

    申请日：2005-10-14

    申请人： Won-joo Kim ,  Yoon-dong Park ,  Eun-hong Lee ,  Sun-ae Seo ,  Sang-min Shin ,  Jung-hoon Lee ,  Seung-hyuk Chang

    发明人： Won-joo Kim ,  Yoon-dong Park ,  Eun-hong Lee ,  Sun-ae Seo ,  Sang-min Shin ,  Jung-hoon Lee ,  Seung-hyuk Chang

    IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/336

    CPC分类号： G11C11/5621 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/025 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/7923

    摘要： A multi bits flash memory device and a method of operating the same are disclosed. The multi bits flash memory device includes: a stacked structure including: a first active layer with a mesa-like form disposed on a substrate; a second active layer, having a different conductivity type from the first active layer, formed on the first active layer; an active interlayer isolation layer interposed between the first active layer and the second active layer such that the first active layer is electrically isolated from the second active layer; a common source and a common drain formed on a pair of opposite side surfaces of the stacked structure; a common first gate and a common second gate formed on the other pair of opposite side surfaces of the stacked structure; a tunnel dielectric layer interposed between the first and second gates and the first and second active layers; and a charge trap layer, storing charges that tunnel through the tunnel dielectric layer, interposed between the tunnel dielectric layer and the first and second gates.

    摘要翻译： 公开了一种多位闪存器件及其操作方法。 多位闪存器件包括：堆叠结构，包括：设置在衬底上的具有台面状形状的第一有源层; 形成在所述第一有源层上的与所述第一有源层不同的导电类型的第二有源层; 插入在第一有源层和第二有源层之间的有源层间隔离层，使得第一有源层与第二有源层电隔离; 形成在所述堆叠结构的一对相对侧表面上的共同源极和共同漏极; 形成在所述堆叠结构的另一对相对侧表面上的公共第一栅极和公共第二栅极; 介于所述第一和第二栅极与所述第一和第二有源层之间的隧道介电层; 以及电荷捕获层，其存储穿过隧道介电层的电荷，介于隧道介电层和第一和第二栅极之间。

    CMOS image sensors having transparent transistors and methods of manufacturing the same
    7.
    发明申请
    CMOS image sensors having transparent transistors and methods of manufacturing the same 审中-公开
    具有透明晶体管的CMOS图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US20090101948A1

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：US12078404

    申请日：2008-03-31

    申请人： Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang

    发明人： Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643

    摘要： CMOS image sensors having transparent transistors and methods of manufacturing the same are provided. The CMOS image sensors include a photodiode and at least one transistor formed on the photodiode. The image sensor may include a plurality of transistors wherein at least one of the plurality of transistors is a transparent transistor.

    摘要翻译： 提供具有透明晶体管的CMOS图像传感器及其制造方法。 CMOS图像传感器包括光电二极管和形成在光电二极管上的至少一个晶体管。 图像传感器可以包括多个晶体管，其中多个晶体管中的至少一个是透明晶体管。

    Photodiodes, image sensing devices and image sensors
    8.
    发明申请
    Photodiodes, image sensing devices and image sensors 有权
    光电二极管，图像传感器和图像传感器

    公开(公告)号：US20090146198A1

    公开(公告)日：2009-06-11

    申请号：US12216556

    申请日：2008-07-08

    申请人： In-Sung Joe ,  Yoon-dong Park ,  Young-gu Jin ,  Seung-hyuk Chang

    发明人： In-Sung Joe ,  Yoon-dong Park ,  Young-gu Jin ,  Seung-hyuk Chang

    IPC分类号： H01L31/113

    CPC分类号： H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L31/02165

    摘要： Provided are photodiodes, image sensing devices and image sensors. An image sensing device includes a p-n junction photodiode having a metal pattern layer on an upper surface thereof. An image sensor includes the image sensing device and a micro-lens formed above the metal pattern layer. The metal pattern layer filters light having a first wavelength.

    摘要翻译： 提供了光电二极管，图像感测装置和图像传感器。 图像感测装置包括在其上表面上具有金属图案层的p-n结光电二极管。 图像传感器包括图像感测装置和形成在金属图案层上方的微透镜。 金属图案层对具有第一波长的光进行滤光。

    Photodiodes, image sensing devices and image sensors
    9.
    发明授权
    Photodiodes, image sensing devices and image sensors 有权
    光电二极管，图像传感器和图像传感器

    公开(公告)号：US08148762B2

    公开(公告)日：2012-04-03

    申请号：US12216556

    申请日：2008-07-08

    申请人： In-Sung Joe ,  Yoon-dong Park ,  Young-gu Jin ,  Seung-hyuk Chang

    发明人： In-Sung Joe ,  Yoon-dong Park ,  Young-gu Jin ,  Seung-hyuk Chang

    IPC分类号： H01L31/062

    CPC分类号： H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L31/02165

    摘要： Provided are photodiodes, image sensing devices and image sensors. An image sensing device includes a p-n junction photodiode having a metal pattern layer on an upper surface thereof. An image sensor includes the image sensing device and a micro-lens formed above the metal pattern layer. The metal pattern layer filters light having a first wavelength.

    摘要翻译： 提供了光电二极管，图像感测装置和图像传感器。 图像感测装置包括在其上表面上具有金属图案层的p-n结光电二极管。 图像传感器包括图像感测装置和形成在金属图案层上方的微透镜。 金属图案层对具有第一波长的光进行滤光。