公开(公告)号：US20060003240A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US11153787

申请日：2005-06-15

申请人： Woo-Seok Shim ,  Dae-Youp Lee ,  Joon-Sung Kim ,  In-Sang Song ,  Yong-Jin Cho

发明人： Woo-Seok Shim ,  Dae-Youp Lee ,  Joon-Sung Kim ,  In-Sang Song ,  Yong-Jin Cho

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03B27/00

CPC分类号： G03F7/203 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70625

摘要： Correcting light intensity for photolithography may include irradiating light having a first light intensity distribution through a photo mask having a mask pattern to a photosensitive layer on a wafer to form a first pattern corresponding to the mask pattern. A distribution of critical dimensions of the first pattern corresponding to the mask pattern may be determined, and a second light intensity distribution may be determined based on a relation between the first light intensity distribution and the distribution of critical dimensions of the first pattern. Then, light having the second light intensity distribution may be irradiated. Related systems are also discussed.

摘要翻译： 用于光刻的校正光强度可以包括将具有第一光强度分布的光通过具有掩模图案的光掩模照射到晶片上的感光层，以形成对应于掩模图案的第一图案。 可以确定与掩模图案对应的第一图案的临界尺寸的分布，并且可以基于第一光强度分布与第一图案的临界尺寸的分布之间的关系来确定第二光强度分布。 然后，可以照射具有第二光强度分布的光。 还讨论了相关系统。

公开(公告)号：US5314978A

公开(公告)日：1994-05-24

申请号：US850261

申请日：1992-03-12

申请人： Seong-Ju Kim ,  Ji-Hong Kim ,  Seong-Geun Jang ,  Dae-Youp Lee

发明人： Seong-Ju Kim ,  Ji-Hong Kim ,  Seong-Geun Jang ,  Dae-Youp Lee

IPC分类号： C08G75/00 ,  C08G75/22 ,  G03F7/039 ,  C08G79/00

CPC分类号： C08G75/22

摘要： Copolymers comprising 1-50 mole % of sulfur dioxide and 50-99 mole % of trialkylgermylstyrene, having a weight average molecular weight of 500-10,000,000 and exhibiting a high sensitivity to light, electron beam, and X-ray, as well as having an excellent anti-dry etching resistance, and their application as a positive resisting material.

摘要翻译： 包含1-50摩尔％的二氧化硫和50-99摩尔％的三烷基锗烷基苯乙烯的共聚物，其重均分子量为500-10,000,000，对光，电子束和X射线具有高的敏感性，并具有 优异的抗干蚀刻抗蚀性，以及它们作为正电阻材料的应用。

公开(公告)号：US20070004140A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11475153

申请日：2006-06-27

申请人： Dae-Hyun Jang ,  Jae-Seung Hwang ,  Dae-Youp Lee ,  Sung-Un Kwon

发明人： Dae-Hyun Jang ,  Jae-Seung Hwang ,  Dae-Youp Lee ,  Sung-Un Kwon

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11534 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： In a method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device that includes a first region having a first gate structure and a second region having a second gate structure, the first gate structure may include a tunnel oxide layer pattern, a first conductive layer pattern, a dielectric layer pattern and a second conductive layer pattern. A first photoresist pattern may be formed on the second conductive layer pattern to form a source line which may be formed in a region of the first area by implanting impurities. A second photoresist pattern may be formed on a hard mask layer in the second region of the substrate to form a hard mask pattern on a third conductive layer. The second gate structure having substantially vertical sidewalls may be formed in the second area by etching the third conductive layer using the hard mask pattern.

摘要翻译： 在制造包括具有第一栅极结构的第一区域和具有第二栅极结构的第二区域的非易失性半导体存储器件的方法中，第一栅极结构可以包括隧道氧化物层图案，第一导电层图案， 电介质层图案和第二导电层图案。 第一光致抗蚀剂图案可以形成在第二导电层图案上以形成可以通过注入杂质形成在第一区域的区域中的源极线。 可以在基板的第二区域中的硬掩模层上形成第二光致抗蚀剂图案，以在第三导电层上形成硬掩模图案。 具有基本垂直侧壁的第二栅极结构可以通过使用硬掩模图案蚀刻第三导电层而形成在第二区域中。

公开(公告)号：US07083899B2

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US10430112

申请日：2003-05-05

申请人： Bong-Cheol Kim ,  Dae-Youp Lee

发明人： Bong-Cheol Kim ,  Dae-Youp Lee

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： H01L21/76808

摘要： Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device by employing a dual damascene process. After a first insulation film including a conductive pattern is formed on a substrate, at least one etch stop film and at least one insulation film are alternatively formed on the first insulation film. A via hole for a contact or a trench for a metal wiring is formed through the insulation film, and then the via hole or the trench is filled with a filling film including a water-soluble polymer. After a photoresist film is coated on the filling film, the photoresist film is patterned to form a photoresist pattern and to remove the filling film. The DOF and processing margin of the photolithography process for forming the photoresist pattern can be improved because the photoresist film can have greatly reduced thickness due to the filling film.

摘要翻译： 公开了采用双镶嵌工艺制造半导体器件的方法。 在基板上形成包括导电图案的第一绝缘膜之后，在第一绝缘膜上交替地形成至少一个蚀刻停止膜和至少一个绝缘膜。 通过绝缘膜形成接触用通孔或金属配线用沟槽，然后在通孔或沟槽中填充有包含水溶性聚合物的填充膜。 将光致抗蚀剂膜涂覆在填充膜上之后，将光致抗蚀剂膜图案化以形成光致抗蚀剂图案并除去填充膜。 由于光致抗蚀剂膜由于填充膜而可以大大减小厚度，所以可以提高用于形成光致抗蚀剂图案的光刻工艺的DOF和处理余量。

公开(公告)号：US06571384B2

公开(公告)日：2003-05-27

申请号：US09847290

申请日：2001-05-03

申请人： Hye-Soo Shin ,  Suk-Joo Lee ,  Jeung-Woo Lee ,  Dae-Youp Lee

发明人： Hye-Soo Shin ,  Suk-Joo Lee ,  Jeung-Woo Lee ,  Dae-Youp Lee

IPC分类号： G06F1750

CPC分类号： H01L21/32139 ,  Y10S438/975

摘要： A method of forming fine patterns in a semiconductor device through a double photo lithography process. A layer to be etched and a hard mask layer are sequentially formed on a semiconductor substrate. A first photo resist pattern is formed on the hard mask layer. A first hard mask layer pattern is formed by etching the hard mask layer using the first photo resist pattern. After the first photo resist pattern is removed, a second photo resist pattern is formed on the resultant structure. A second hard mask layer pattern is formed by etching the first hard mask layer pattern using the second photo resist pattern. The layer to be etched is then etched using the second hard mask layer pattern after the second photo resist pattern has been removed, resulting in patterns have line edges without rounding.

摘要翻译： 一种通过双光刻工艺在半导体器件中形成精细图案的方法。 在半导体衬底上依次形成待蚀刻的层和硬掩模层。 第一光刻胶图案形成在硬掩模层上。 通过使用第一光致抗蚀剂图案蚀刻硬掩模层来形成第一硬掩模层图案。 在去除第一光致抗蚀剂图案之后，在所得结构上形成第二光致抗蚀剂图案。 通过使用第二光刻胶图案蚀刻第一硬掩模层图案来形成第二硬掩模层图案。 然后在去除第二光致抗蚀剂图案之后，使用第二硬掩模层图案蚀刻待蚀刻的层，导致图案具有没有圆化的线边。

公开(公告)号：US08241820B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12686464

申请日：2010-01-13

申请人： Bong-Cheol Kim ,  Dae-Youp Lee ,  Jae-Han Lee ,  Eun-Sung Kim ,  Byeong-Hwan Son

发明人： Bong-Cheol Kim ,  Dae-Youp Lee ,  Jae-Han Lee ,  Eun-Sung Kim ,  Byeong-Hwan Son

IPC分类号： G03F1/38 ,  G03F1/44

CPC分类号： G03F1/70

摘要： Provided is a photomask used in fabrication of a semiconductor device. The photomask includes first and second regions to be transferred onto a semiconductor substrate having a step difference. The first and second regions have mask patterns. The mask patterns of the first region have a different shape from the mask patterns of the second region. The mask patterns of the second region have concave and convex portions disposed in opposite lateral portions thereof.

摘要翻译： 提供了用于制造半导体器件的光掩模。 光掩模包括要转印到具有台阶差的半导体衬底上的第一和第二区域。 第一和第二区域具有掩模图案。 第一区域的掩模图案具有与第二区域的掩模图案不同的形状。 第二区域的掩模图案具有设置在其相对侧面部分中的凹凸部分。

公开(公告)号：US20060118974A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：US11290473

申请日：2005-12-01

申请人： Dae-Joung Kim ,  Dae-Youp Lee ,  Young-Koog Han

发明人： Dae-Joung Kim ,  Dae-Youp Lee ,  Young-Koog Han

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A structure, which may be provided on an overlay region for an overlay mark, may include a first pattern that may project from a peripheral portion of the overlay region that may be defined on a scribe lane of a substrate. A second pattern may project from a central portion of the overlay region.

摘要翻译： 可以在叠加标记的覆盖区域上提供的结构可以包括第一图案，其可以从可以限定在基板的划线路径上的覆盖区域的周边部分突出。 第二种图案可以从覆盖区域的中心部分突出。

公开(公告)号：US06933247B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10776122

申请日：2004-02-11

申请人： Sung-Hwan Byun ,  Dae-Youp Lee ,  Bong-Cheol Kim

发明人： Sung-Hwan Byun ,  Dae-Youp Lee ,  Bong-Cheol Kim

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31 ,  H01L31/469

CPC分类号： G03F7/40 ,  Y10S438/949

摘要： A method for forming a minute pattern includes forming a mask layer on an object being patterned. The mask layer is patterned to form a first mask pattern having a first width larger than a predetermined width. The first mask pattern is thermally treated to form a second mask pattern having a second width smaller than the first width. A polymer layer is formed on the second mask pattern. The polymer layer reacts with the second mask pattern to form a hardened layer on a boundary surface between the polymer layer and the second mask pattern, thereby forming a third mask pattern having a third width substantially identical to the predetermined width. The limits of the present photolithography equipment are overcome. Also, a semiconductor device having a CD of below about 100 nm is manufactured.

摘要翻译： 形成微小图案的方法包括在被图案化的物体上形成掩模层。 图案化掩模层以形成具有大于预定宽度的第一宽度的第一掩模图案。 第一掩模图案被热处理以形成具有小于第一宽度的第二宽度的第二掩模图案。 聚合物层形成在第二掩模图案上。 聚合物层与第二掩模图案反应以在聚合物层和第二掩模图案之间的边界表面上形成硬化层，从而形成具有与预定宽度基本相同的第三宽度的第三掩模图案。 克服了本光刻设备的局限性。 此外，制造具有低于约100nm的CD的半导体器件。

公开(公告)号：US06818480B2

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：US10348895

申请日：2003-01-23

申请人： Dae-Youp Lee ,  Joon-Hee Lee

发明人： Dae-Youp Lee ,  Joon-Hee Lee

IPC分类号： H01L2182

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F7/70441

摘要： A method of forming the patterns of a semiconductor device uses a photomask employed therein is disclosed. In a semiconductor device having a first region where a plurality of first patterns are separated from each other by a first space and a plurality of second patterns having a larger size than that of the first patterns are separated from each other by a second space that is wider than the first space, the first and second regions being formed on the same layer, a fine gap for transmitting light is formed in a central portion of a mask pattern that corresponds to the second pattern on the photomask for patterning the first and second patterns to reduce the proximity effect. Lifting margin and bridge margin with respect to a pattern where the pattern pitch varies are improved through the use of the fine gap.

摘要翻译： 公开了一种形成半导体器件的图案的方法，其中使用其中使用的光掩模。 在具有第一区域的半导体器件中，其中多个第一图案通过第一空间彼此分离，并且具有比第一图案的尺寸大的多个第二图案彼此分开第二空间，第二空间是 比第一空间宽，第一和第二区域形成在同一层上，用于透射光的细小间隙形成在掩模图案的与光掩模上的第二图案相对应的中心部分中，用于图案化第一和第二图案 以减少邻近效应。 通过使用微细间隙，提高相对于图案间距变化的图案的提升余量和桥边。

公开(公告)号：US20100178599A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12686464

申请日：2010-01-13

申请人： Bong-Cheol Kim ,  Dae-Youp Lee ,  Jae-Han Lee ,  Eun-Sung Kim ,  Byeong-Hwan Son

发明人： Bong-Cheol Kim ,  Dae-Youp Lee ,  Jae-Han Lee ,  Eun-Sung Kim ,  Byeong-Hwan Son

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/70

摘要： Provided is a photomask used in fabrication of a semiconductor device. The photomask includes first and second regions to be transferred onto a semiconductor substrate having a step difference. The first and second regions have mask patterns. The mask patterns of the first region have a different shape from the mask patterns of the second region. The mask patterns of the second region have concave and convex portions disposed in opposite lateral portions thereof.

摘要翻译： 提供了用于制造半导体器件的光掩模。 光掩模包括要转印到具有台阶差的半导体衬底上的第一和第二区域。 第一和第二区域具有掩模图案。 第一区域的掩模图案具有与第二区域的掩模图案不同的形状。 第二区域的掩模图案具有设置在其相对侧面部分中的凹凸部分。