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    OPTICAL ARTICLES AND METHODS OF MAKING SAME
    1.
    发明申请
    OPTICAL ARTICLES AND METHODS OF MAKING SAME 有权
    光学文章及其制作方法

    公开(公告)号：US20130084441A1

    公开(公告)日：2013-04-04

    申请号：US13248687

    申请日：2011-09-29

    申请人： Xiaoyue Huang ,  Lijuan Zou ,  Yongjun Zhao ,  Michael Kautzky

    发明人： Xiaoyue Huang ,  Lijuan Zou ,  Yongjun Zhao ,  Michael Kautzky

    IPC分类号： B32B7/02 ,  C23F1/00

    CPC分类号： G02B6/136 ,  G02B6/138 ,  G11B5/3163 ,  G11B2005/0021 ,  Y10T428/24942

    摘要： Disclosed herein is a method for fabricating an optical device that includes depositing an etch stop material to form an etch stop layer, wherein the etch stop material has a refractive index in the infrared wavelength range, n1; depositing a core material to form a core layer, wherein the core material has a refractive index in the infrared wavelength range, n2; and etching the core layer using a halide based etch process, wherein the etch stop material has an etch rate in the halide based etch process and the core material has an etch rate in the halide based etch process, wherein the etch rate of the core material is at least about five times higher than the etch rate of the etch stop material, and wherein n1 is not greater than n2.

    摘要翻译： 本文公开了一种制造光学器件的方法，其包括沉积蚀刻停止材料以形成蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止材料具有红外波长范围内的折射率n1; 沉积芯材以形成芯层，其中所述芯材料具有红外波长范围内的折射率n2; 以及使用基于卤化物的蚀刻工艺蚀刻所述芯层，其中所述蚀刻停止材料在所述基于卤化物的蚀刻工艺中具有蚀刻速率，并且所述芯材料在所述基于卤化物的蚀刻工艺中具有蚀刻速率，其中所述芯材料的蚀刻速率 比蚀刻停止材料的蚀刻速率高至少约五倍，其中n1不大于n2。

    Optical articles and methods of making same
    2.
    发明授权
    Optical articles and methods of making same 有权
    光学制品及其制作方法

    公开(公告)号：US09297959B2

    公开(公告)日：2016-03-29

    申请号：US13248687

    申请日：2011-09-29

    申请人： Xiaoyue Huang ,  Lijuan Zou ,  Yongjun Zhao ,  Michael Kautzky

    发明人： Xiaoyue Huang ,  Lijuan Zou ,  Yongjun Zhao ,  Michael Kautzky

    IPC分类号： G02B6/136 ,  G02B6/138 ,  G11B5/31 ,  G11B5/00

    CPC分类号： G02B6/136 ,  G02B6/138 ,  G11B5/3163 ,  G11B2005/0021 ,  Y10T428/24942

    摘要： Disclosed herein is a method for fabricating an optical device that includes depositing an etch stop material to form an etch stop layer, wherein the etch stop material has a refractive index in the infrared wavelength range, n1; depositing a core material to form a core layer, wherein the core material has a refractive index in the infrared wavelength range, n2; and etching the core layer using a halide based etch process, wherein the etch stop material has an etch rate in the halide based etch process and the core material has an etch rate in the halide based etch process, wherein the etch rate of the core material is at least about five times higher than the etch rate of the etch stop material, and wherein n1 is not greater than n2.

    摘要翻译： 本文公开了一种制造光学器件的方法，其包括沉积蚀刻停止材料以形成蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止材料具有红外波长范围内的折射率n1; 沉积芯材以形成芯层，其中所述芯材料具有红外波长范围内的折射率n2; 以及使用基于卤化物的蚀刻工艺蚀刻所述芯层，其中所述蚀刻停止材料在所述基于卤化物的蚀刻工艺中具有蚀刻速率，并且所述芯材料在所述基于卤化物的蚀刻工艺中具有蚀刻速率，其中所述芯材料的蚀刻速率 比蚀刻停止材料的蚀刻速率高至少约五倍，其中n1不大于n2。

    Optical transducers and methods of making the same
    5.
    发明授权
    Optical transducers and methods of making the same 有权
    光学传感器及其制作方法

    公开(公告)号：US08416647B1

    公开(公告)日：2013-04-09

    申请号：US13491721

    申请日：2012-06-08

    申请人： Yongjun Zhao ,  Shuaigang Xiao

    发明人： Yongjun Zhao ,  Shuaigang Xiao

    IPC分类号： G11B11/00

    CPC分类号： G11B5/3163 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/314 ,  G11B2005/0021 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49007 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144

    摘要： A near field transducer (NFT) that includes a disk, the disk having a top surface, a side surface, and a center; a peg, the peg positioned adjacent the side surface of the disk; and a heat sink, the heat sink positioned on the top surface of the disk, and the heat sink having an effective center, wherein the NFT has a peg axis, which is defined by the location of the peg adjacent the side surface of the disk, and a non-peg axis, which is perpendicular to the peg axis, and wherein the effective center of the heat sink is positioned at about the center of the disk.

    摘要翻译： 包括盘的近场传感器（NFT），所述盘具有顶表面，侧表面和中心; 一个钉子，钉子邻近盘的侧表面定位; 以及散热器，位于盘的顶表面上的散热器和具有有效中心的散热器，其中NFT具有钉轴线，其由邻近盘的侧表面的钉的位置限定 以及垂直于钉轴的非钉轴线，并且其中散热器的有效中心位于盘的中心附近。

    Solid-phase preparation of [18F]fluorohaloalkanes
    8.
    发明授权
    Solid-phase preparation of [18F]fluorohaloalkanes 失效
    固相制备[18 F]氟卤代烷烃

    公开(公告)号：US07999139B2

    公开(公告)日：2011-08-16

    申请号：US11742687

    申请日：2007-05-01

    申请人： Frank Brady ,  Sajinder Kaur Luthra ,  Yongjun Zhao

    发明人： Frank Brady ,  Sajinder Kaur Luthra ,  Yongjun Zhao

    IPC分类号： C07C315/00 ,  C07C17/42 ,  A61K51/00

    CPC分类号： C07C17/204 ,  C07B2200/05 ,  C07C17/093

    摘要： The invention relates to a process for the production of an [18F]fluorohaloalkane which comprises treatment of a solid support-bound precursor of formula (I): SOLID SUPPORT-LINKER-SO2—O—(CH2)nX  (I) wherein n is an integer of from 1 to 7 and X is chloro, bromo or iodo; with 18F− to produce the [18F]fluorohaloalkane of formula (II) 18F—(CH2)n—X  (II) wherein n and X are as defined for the compound of formula (I), optionally followed by (i) removal of excess 18F−, for example by ion-exchange chromatography; and/or (ii) removal of organic solvent.

    摘要翻译： 本发明涉及一种生产[18 F]氟卤代烷烃的方法，该方法包括处理式（I）的固体载体结合前体：固体支持物 - SO 2 -O-（CH 2）n X（I），其中n为 1〜7的整数，X为氯，溴或碘; 与18F-制备式（II）18 F-（CH 2）n -X（II）的[18 F]氟卤代烷烃，其中n和X如对于式（I）化合物所定义，任选地随后（i） 过量18F-，例如通过离子交换层析; 和/或（ii）除去有机溶剂。