公开(公告)号：US20060160475A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11386307

申请日：2006-03-22

申请人： Ying Ma ,  William Wojtczak ,  Cary Regulski ,  Thomas Baum ,  David Bernhard ,  Deepak Verma

发明人： Ying Ma ,  William Wojtczak ,  Cary Regulski ,  Thomas Baum ,  David Bernhard ,  Deepak Verma

IPC分类号： B24B7/30

CPC分类号： H01L21/3212 ,  B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02

摘要： A chemical mechanical polishing slurry composition and method for using the slurry composition for polishing copper, barrier material and dielectric material that comprises first and second-step slurries. The first-step slurry has a high removal rate on copper and a low removal rate on barrier material. The second-step slurry has a high removal rate on barrier material and a low removal rate on copper and dielectric material. The first slurry comprises at least an organic polymeric abrasive.

公开(公告)号：US20050026437A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10935412

申请日：2004-09-07

申请人： Ying Ma ,  Michael Jones ,  Thomas Baum ,  Deepak Verma ,  David Bernhard

发明人： Ying Ma ,  Michael Jones ,  Thomas Baum ,  Deepak Verma ,  David Bernhard

IPC分类号： C09G1/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/321 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23F3/06 ,  C09G1/04 ,  H01L21/3212

摘要： An abrasive free formulation for chemical mechanical polishing and method for using the formulation for polishing copper and related materials. The abrasive free formulation has a high removal rate on copper and a low removal rate on barrier material. The abrasive free formulation comprises at least an oxidizing agent and an activating agent.

摘要翻译： 用于化学机械抛光的无磨料配方以及使用该配方抛光铜及相关材料的方法。 无磨料制剂对铜的去除率高，对阻隔材料的去除率低。 无磨料制剂至少包含氧化剂和活化剂。

公开(公告)号：US06800218B2

公开(公告)日：2004-10-05

申请号：US09935805

申请日：2001-08-23

申请人： Ying Ma ,  Michael Jones ,  Thomas H. Baum ,  Deepak Verma ,  David Bernhard

发明人： Ying Ma ,  Michael Jones ,  Thomas H. Baum ,  Deepak Verma ,  David Bernhard

IPC分类号： C09K1300

CPC分类号： C23F3/06 ,  C09G1/04 ,  H01L21/3212

摘要： An abrasive free formulation for chemical mechanical polishing and method for using the formulation for polishing copper and related materials. The abrasive free formulation has a high removal rate on copper and a low removal rate on barrier material. The abrasive free formulation comprises at least an oxidizing agent and an activating agent.

摘要翻译： 用于化学机械抛光的无磨料配方以及使用该配方抛光铜及相关材料的方法。 无磨料制剂对铜的去除率高，对阻隔材料的去除率低。 无磨料制剂至少包含氧化剂和活化剂。

公开(公告)号：US20050124517A1

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：US11042531

申请日：2005-01-24

申请人： William Wojtczak ,  Ma. Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William Wojtczak ,  Ma. Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： C11D3/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D7/10 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00 ,  C11D17/08 ,  G03F7/42 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 1-21% wt. fluoride source, 20-55% wt. organic amine(s), 0.5-40% wt. nitrogenous component, e.g., a nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, 23-50% wt. water, and 0-21% wt. metal chelating agent(s). The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

摘要翻译： 半导体晶片清洁配方，包括1-21％ 氟化物源，20-55重量％ 有机胺，0.5-40重量％ 含氮组分，例如含氮羧酸或亚胺，23-50重量％ 水，0-21重量％。 金属螯合剂。 该制剂可用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤之后从晶片中除去残余物，例如含有精细铜互连结构的半导体晶片的无机残渣。

公开(公告)号：US20050003674A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10861158

申请日：2004-06-04

申请人： William Wojtczak ,  Ma Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William Wojtczak ,  Ma Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： C11D3/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D7/10 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00 ,  C11D17/08 ,  G03F7/42 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 1-21% wt. fluoride source, 20-55% wt. organic amine(s), 0.5-40% wt. nitrogenous component, e.g., a nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, 23-50% wt. water, and 0-21% wt. metal chelating agent(s). The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

公开(公告)号：US20050215446A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11135892

申请日：2005-05-24

申请人： William Wojtczak ,  Ma. Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William Wojtczak ,  Ma. Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： C11D3/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/60 ,  C11D11/00 ,  C11D17/08 ,  C23F11/14 ,  C23G1/10 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213

CPC分类号： C11D3/30 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D3/32 ,  C11D3/33 ,  C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23F11/142 ,  C23F11/146 ,  C23G1/103 ,  C23G1/106 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32136

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 1-35% wt. fluoride source, 20-60% wt. organic amine(s), 0.1-40% wt. nitrogenous component, e.g., a nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, 20-50% wt. water, and 0-21% wt. metal chelating agent(s). The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

摘要翻译： 半导体晶片清洁配方，包括1-35重量％ 氟化物源，20-60重量％ 有机胺，0.1-40重量％ 含氮组分，例如含氮羧酸或亚胺，20-50重量％ 水，0-21重量％。 金属螯合剂。 该制剂可用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤之后从晶片中除去残余物，例如含有精细铜互连结构的半导体晶片的无机残渣。

公开(公告)号：US20060063687A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US10944491

申请日：2004-09-17

申请人： David Minsek ,  David Bernhard ,  Thomas Baum

发明人： David Minsek ,  David Bernhard ,  Thomas Baum

IPC分类号： C11D7/32

CPC分类号： C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23C22/63 ,  C23G1/20

摘要： An aqueous-based composition and process for removing photoresist and/or bottom anti-reflective coating (BARC) material from a substrate having such material(s) thereon. The aqueous-based composition includes a quaternary ammonium base, at least one co-solvent, and optionally a chelator. The composition achieves high-efficiency removal of photoresist and/or BARC material in the manufacture of integrated circuitry without adverse effect on metal species on the substrate, such as copper, and without damage to SiOC-based dielectric materials employed in the semiconductor architecture.

摘要翻译： 一种用于从其上具有这种材料的基材去除光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层（BARC）材料的水基组合物和方法。 水基组合物包括季铵碱，至少一种共溶剂和任选的螯合剂。 该组合物在集成电路的制造中实现了光致抗蚀剂和/或BARC材料的高效去除，而对衬底（例如铜）上的金属物质没有不利影响，并且不损坏半导体结构中使用的基于SiOC的介电材料。

公开(公告)号：US20050197265A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US10792038

申请日：2004-03-03

申请人： Melissa Rath ,  David Bernhard ,  David Minsek ,  Michael Korzenski ,  Thomas Baum

发明人： Melissa Rath ,  David Bernhard ,  David Minsek ,  Michael Korzenski ,  Thomas Baum

IPC分类号： A61K31/44 ,  C11D1/62 ,  G03F7/32

CPC分类号： C11D3/044 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425

摘要： A composition and process for removing photoresist and/or sacrificial anti-reflective coating (SARC) materials from a substrate having such material(s) thereon. The composition includes a base component, such as a quaternary ammonium base in combination with an alkali or alkaline earth base, or alternatively a strong base in combination with an oxidant. The composition may be utilized in aqueous medium, e.g., with chelator, surfactant, and/or co-solvent species, to achieve high-efficiency removal of photoresist and/or SARC materials in the manufacture of integrated circuitry, without adverse effect on metal species on the substrate, such as copper, aluminum and/or cobalt alloys, and without damage to SiOC-based dielectric materials employed in the semiconductor architecture.

摘要翻译： 用于从其上具有这种材料的基材去除光致抗蚀剂和/或牺牲抗反射涂层（SARC）材料的组合物和方法。 组合物包括碱性组分，例如与碱金属或碱土金属碱组合的季铵碱，或与氧化剂组合的强碱。 该组合物可以在水性介质中使用，例如与螯合剂，表面活性剂和/或共溶剂物质一起使用，以在集成电路的制造中实现高效去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，而不会对金属物质产生不利影响 在基底上，例如铜，铝和/或钴合金，并且不损坏在半导体结构中使用的SiOC基电介质材料。

公开(公告)号：US20060154186A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11031118

申请日：2005-01-07

申请人： David Minsek ,  Weihua Wang ,  David Bernhard ,  Thomas Baum

发明人： David Minsek ,  Weihua Wang ,  David Bernhard ,  Thomas Baum

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： G03F7/425 ,  G03F7/091

摘要： An aqueous-based composition and process for removing hardened photoresist and/or bottom anti-reflective coating (BARC) material from a substrate having same thereon. The aqueous-based composition includes at least one chaotropic solute, at least one alkaline base, and deionized water. The composition achieves high-efficiency removal of hardened photoresist and/or BARC material in the manufacture of integrated circuitry without adverse effect to metal species on the substrate, such as copper, and without damage to low-k dielectric materials employed in the semiconductor architecture.

摘要翻译： 一种水性组合物和从其上具有其的基材去除硬化的光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层（BARC）材料的方法。 水基组合物包括至少一种离液序列溶质，至少一种碱性碱和去离子水。 该组合物在集成电路的制造中实现了高效去除硬化的光致抗蚀剂和/或BARC材料，而不会对衬底（例如铜）上的金属物质产生不利影响，并且不损害在半导体结构中使用的低k电介质材料。

公开(公告)号：US08765804B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13054385

申请日：2009-07-17

申请人： Hermann Stuppner ,  Stefan Schwaiger ,  David Bernhard ,  Günther Laufer

发明人： Hermann Stuppner ,  Stefan Schwaiger ,  David Bernhard ,  Günther Laufer

IPC分类号： A01N43/08 ,  A61K31/34 ,  A01N43/06 ,  A61K31/38 ,  C07D333/00 ,  C07D409/00 ,  C07D317/00 ,  C07D323/02 ,  C07D317/70

CPC分类号： A61K31/341

摘要： The present invention relates to a pharmaceutical composition comprising specific compounds which may be obtained from Leontopodium alpinum Cass. (Edelweiss). A preferred compound is leoligin (=(2S,3R,4R)-4-(3,4-dimethoxybenzyl) -2-(3,4-dimethoxyphenyl)tetrahydrofuran-3-yl]methyl(2Z)-2-methylbut-2-enoat]). Corresponding means and methods in respect of medical uses of the compounds are described. The present invention also provides a medical device comprising, containing or having been contacted with the compound. The compounds provided herein may particularly be used in the treatment of hyperplastic diseases, in particular intimal hyperplasia, e.g. stenosis, restenosis, atherosclerosis and the like. Also envisaged herein is the use of these compounds in the treatment of proliferative diseases, such as leukemia, prostate cancer and lung cancer.

摘要翻译： 本发明涉及一种药物组合物，其包含可从Leontopodium alpinum Cass获得的特定化合物。 （Edelweiss）。 优选的化合物是leoligin（=（2S，3R，4R）-4-（3,4-二甲氧基苄基）-2-（3,4-二甲氧基苯基）四氢呋喃-3-基]甲基（2Z）-2-甲基丁-2- -enoat]）。 描述了关于化合物的医疗用途的相应手段和方法。 本发明还提供了包含或含有该化合物的医疗装置。 本文提供的化合物可特别用于治疗增生性疾病，特别是内膜增生，例如内膜增生。 狭窄，再狭窄，动脉粥样硬化等。 本文还设想使用这些化合物来治疗增殖性疾病，例如白血病，前列腺癌和肺癌。