公开(公告)号：US20110142325A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12968725

申请日：2010-12-15

申请人： Yoonna OH ,  Jae-Pil Shin ,  Jin Choi ,  Moon-Hyun Yoo ,  Jong-Bae Lee

发明人： Yoonna OH ,  Jae-Pil Shin ,  Jin Choi ,  Moon-Hyun Yoo ,  Jong-Bae Lee

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06T7/0006 ,  G03F1/84 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/20068 ,  G06T2207/30148

摘要： In a method of inspecting a mask, an image of a pattern on the mask may be obtained. A histogram of the image by grey levels may be obtained. The histogram may be compared with information of the pattern to detect a defect of the mask. Thus, reliability of defect detection in the mask may be remarkably improved.

摘要翻译： 在检查掩模的方法中，可以获得掩模上的图案的图像。 可以获得灰度级的图像的直方图。 可以将直方图与图案的信息进行比较以检测掩模的缺陷。 因此，掩模中的缺陷检测的可靠性可以显着提高。

公开(公告)号：US08526707B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12968725

申请日：2010-12-15

申请人： Yoonna Oh ,  Jae-Pil Shin ,  Jin Choi ,  Moon-Hyun Yoo ,  Jong-Bae Lee

发明人： Yoonna Oh ,  Jae-Pil Shin ,  Jin Choi ,  Moon-Hyun Yoo ,  Jong-Bae Lee

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06T7/0006 ,  G03F1/84 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/20068 ,  G06T2207/30148

摘要： In a method of inspecting a mask, an image of a pattern on the mask may be obtained. A histogram of the image by grey levels may be obtained. The histogram may be compared with information of the pattern to detect a defect of the mask. Thus, reliability of defect detection in the mask may be remarkably improved.

摘要翻译： 在检查掩模的方法中，可以获得掩模上的图案的图像。 可以获得灰度级的图像的直方图。 可以将直方图与图案的信息进行比较以检测掩模的缺陷。 因此，掩模中的缺陷检测的可靠性可以显着提高。

公开(公告)号：US08234595B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12498470

申请日：2009-07-07

申请人： Young-Ile Kim ,  Moon-Hyun Yoo ,  Jong-Bae Lee ,  Jae-Pil Shin

发明人： Young-Ile Kim ,  Moon-Hyun Yoo ,  Jong-Bae Lee ,  Jae-Pil Shin

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L21/20 ,  H01L21/388

CPC分类号： G06F17/5068

摘要： In a method of designing a mask layout, a wiring region for forming a metal wire is established, the wiring region having at least a standard width. Contact regions for forming contacts electrically connected to the metal wire are established in the wiring region. The contact regions adjacent to each other are grouped to divide the wiring region into a first region and a second region including the contact regions. First dummy regions are established in the first region, the first dummy regions corresponding to regions for forming first dummy patterns. Second dummy regions are established among the contact regions in the second region, the second dummy regions corresponding to regions for forming second dummy patterns.

摘要翻译： 在设计掩模布局的方法中，建立用于形成金属线的布线区域，布线区域至少具有标准宽度。 在布线区域中建立用于形成电连接到金属线的触点的接触区域。 彼此相邻的接触区域被分组以将布线区域划分成包括接触区域的第一区域和第二区域。 在第一区域中建立第一伪区域，第一伪区域对应于用于形成第一伪图案的区域。 在第二区域的接触区域之间建立第二虚拟区域，第二虚拟区域对应于用于形成第二虚设图案的区域。

公开(公告)号：US20100005441A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12498470

申请日：2009-07-07

申请人： Young-Ile Kim ,  Moon-Hyun Yoo ,  Jong-Bae Lee ,  Jae-Pil Shin

发明人： Young-Ile Kim ,  Moon-Hyun Yoo ,  Jong-Bae Lee ,  Jae-Pil Shin

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068

摘要： In a method of designing a mask layout, a wiring region for forming a metal wire is established, the wiring region having at least a standard width. Contact regions for forming contacts electrically connected to the metal wire are established in the wiring region. The contact regions adjacent to each other are grouped to divide the wiring region into a first region and a second region including the contact regions. First dummy regions are established in the first region, the first dummy regions corresponding to regions for forming first dummy patterns. Second dummy regions are established among the contact regions in the second region, the second dummy regions corresponding to regions for forming second dummy patterns.

摘要翻译： 在设计掩模布局的方法中，建立用于形成金属线的布线区域，布线区域至少具有标准宽度。 在布线区域中建立用于形成电连接到金属线的触点的接触区域。 彼此相邻的接触区域被分组以将布线区域划分成包括接触区域的第一区域和第二区域。 在第一区域中建立第一伪区域，第一伪区域对应于用于形成第一伪图案的区域。 在第二区域的接触区域之间建立第二虚拟区域，第二虚拟区域对应于用于形成第二虚设图案的区域。

公开(公告)号：US09116438B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US13410518

申请日：2012-03-02

申请人： Young-Mi Lee ,  In-Sung Kim ,  Ji-Soong Park ,  Byoung-Sup Ahn ,  Jae-Pil Shin

发明人： Young-Mi Lee ,  In-Sung Kim ,  Ji-Soong Park ,  Byoung-Sup Ahn ,  Jae-Pil Shin

IPC分类号： G03B27/68 ,  G03B27/52 ,  G03B27/32 ,  G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/84 ,  G03B27/42 ,  G03B27/54

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/22 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70591 ,  G03F7/70941

摘要： A method of correcting flare includes measuring flare of a test pattern, calculating point spread functions (PSFs) of the flare as a function of distance, and correcting the flare using corresponding PSFs for an influence range of the flare. The influence range is divided into a first range less than a predetermined distance and a second range equal to or greater than the predetermined distance, and corresponding PSFs are separately applied to the first and second ranges to correct the flare.

摘要翻译： 校正火炬的方法包括测量测试图案的耀斑，计算耀斑的点扩展函数（PSF）作为距离的函数，以及使用相应的PSF对耀斑的影响范围进行校正。 影响范围被划分为小于预定距离的第一范围和等于或大于预定距离的第二范围，并且相应的PSF分别应用于第一和第二范围以校正耀斑。

公开(公告)号：US20120224156A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13410518

申请日：2012-03-02

申请人： Young-Mi Lee ,  In-Sung Kim ,  Ji-Soong Park ,  Byoung-Sup Ahn ,  Jae-Pil Shin

发明人： Young-Mi Lee ,  In-Sung Kim ,  Ji-Soong Park ,  Byoung-Sup Ahn ,  Jae-Pil Shin

IPC分类号： G03B27/68

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/22 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70591 ,  G03F7/70941

摘要： A method of correcting flare includes measuring flare of a test pattern, calculating point spread functions (PSFs) of the flare as a function of distance, and correcting the flare using corresponding PSFs for an influence range of the flare. The influence range is divided into a first range less than a predetermined distance and a second range equal to or greater than the predetermined distance, and corresponding PSFs are separately applied to the first and second ranges to correct the flare.

摘要翻译： 校正火炬的方法包括测量测试图案的耀斑，计算耀斑的点扩展函数（PSF）作为距离的函数，以及使用相应的PSF对耀斑的影响范围进行校正。 影响范围被划分为小于预定距离的第一范围和等于或大于预定距离的第二范围，并且相应的PSF分别应用于第一和第二范围以校正耀斑。

公开(公告)号：US09798849B2

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：US14688440

申请日：2015-04-16

申请人： Jae-Pil Shin ,  Chang-Woo Kang ,  Jong-Won Kim ,  Ho-Joon Lee ,  Kyu-Baik Chang ,  Won-Young Chung

发明人： Jae-Pil Shin ,  Chang-Woo Kang ,  Jong-Won Kim ,  Ho-Joon Lee ,  Kyu-Baik Chang ,  Won-Young Chung

IPC分类号： G06F9/455 ,  G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G06F17/5009

摘要： A method of detecting stress of an integrated circuit including first and second patterns formed from different materials may comprise: determining one or more stress detection points of the first pattern; dividing a region including a first stress detection point of the one or more stress detection points into a plurality of divided regions; calculating areas of the second pattern at the divided regions; and/or detecting a stress level applied to the first stress detection point of the first pattern by the second pattern based on the areas of the second pattern at the divided regions.