公开(公告)号：US20110049090A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12872820

申请日：2010-08-31

申请人： Yoshiyuki KAMATA ,  Hiromi YUASA ,  Shuichi MURAKAMI ,  Hideaki FUKUZAWA ,  Michiko HARA ,  Yoshihiko FUJI ,  Masatoshi SAKURAI

发明人： Yoshiyuki KAMATA ,  Hiromi YUASA ,  Shuichi MURAKAMI ,  Hideaki FUKUZAWA ,  Michiko HARA ,  Yoshihiko FUJI ,  Masatoshi SAKURAI

IPC分类号： G11B5/84

CPC分类号： G11B5/855

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetic recording medium includes forming a magnetic recording layer, an etching protection layer, and an adhesion layer on a substrate, applying a resist on the adhesion layer, transferring patterns of protrusions and recesses on the resist by imprinting to form a resist pattern, patterning the adhesion layer by using the resist pattern as a mask, patterning the etching protection layer by using the resist pattern as a mask, etching the magnetic recording layer by using patterns of the adhesion layer and the etching protection layer as masks to form patterns of protrusions and recesses of the magnetic recording layer and removing the pattern of the adhesion layer, stripping the pattern of the etching protection layer, and exposing the patterns of protrusions and recesses of the magnetic recording layer to a non-ionized reducing gas.

摘要翻译： 根据一个实施例，制造磁记录介质的方法包括在基板上形成磁记录层，蚀刻保护层和粘合层，在粘合层上涂布抗蚀剂，在抗蚀剂上转印凹凸图案 通过印刷形成抗蚀剂图案，通过使用抗蚀剂图案作为掩模对粘合层进行图案化，通过使用抗蚀剂图案作为掩模对蚀刻保护层进行图案化，通过使用粘合层和蚀刻的图案蚀刻磁记录层 保护层作为掩模以形成磁记录层的突起和凹陷的图案并去除粘附层的图案，剥离蚀刻保护层的图案，以及将磁记录层的突起和凹陷的图案暴露于非磁性层 - 还原气体。

公开(公告)号：US20120206837A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13233565

申请日：2011-09-15

申请人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami

发明人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami

IPC分类号： G11B5/54 ,  H01L43/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/325

摘要： A magnetoresistive element includes a lamination body and a pair of electrodes. The lamination body includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a spacer layer. The spacer layer is provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer and includes an oxide layer. The oxide layer includes at least one element selected from the group consisting of Zn, In, Sn, and Cd, and at least one element selected from the group consisting of Fe, Co, and Ni.

摘要翻译： 磁阻元件包括层叠体和一对电极。 层压体包括第一磁性层，第二磁性层和间隔层。 间隔层设置在第一磁性层和第二磁性层之间，并且包括氧化物层。 氧化物层包括选自Zn，In，Sn和Cd中的至少一种元素和选自Fe，Co和Ni中的至少一种元素。

公开(公告)号：US20120212857A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13240062

申请日：2011-09-22

申请人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami

发明人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami

IPC分类号： G11B5/48 ,  G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3929 ,  G11B5/3983 ,  G11B2005/3996

摘要： According to one embodiment, a magneto-resistive effect device includes a stacked body, a pair of electrodes for supplying current in a stacking direction of the stacked body. The stacked body includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a spacer layer disposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer. At least one of the first magnetic layer, the second magnetic layer, and the spacer layer includes an oxide layer formed from a metal oxide. A crystalline structure of the metal oxide is a NaCl structure.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应装置包括层叠体，用于在层叠体的层叠方向上提供电流的一对电极。 层叠体包括设置在第一磁性层和第二磁性层之间的第一磁性层，第二磁性层和间隔层。 第一磁性层，第二磁性层和间隔层中的至少一个包括由金属氧化物形成的氧化物层。 金属氧化物的晶体结构是NaCl结构。

公开(公告)号：US20130242435A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13728281

申请日：2012-12-27

申请人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

发明人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

IPC分类号： G11B5/127 ,  H01L43/10

CPC分类号： G11B5/1274 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3983 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： According to one embodiment, a magneto-resistance effect element includes: a first electrode; a second electrode; a first magnetic layer provided between the first and the second electrodes; a second magnetic layer provided between the first magnetic layer and the second electrode; and an oxide layer of a metal oxide provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The oxide layer includes wustite crystal grains of a wustite structure with a (1 1 1) plane orientation containing iron. A lattice spacing of a (1 1 1) plane of the wustite crystal grains is not less than 0.253 nanometers and not more than 0.275 nanometers.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应元件包括：第一电极; 第二电极; 设置在第一和第二电极之间的第一磁性层; 设置在所述第一磁性层和所述第二电极之间的第二磁性层; 以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间的金属氧化物的氧化物层。 氧化物层包括具有含（111）面取向的方铁矿结构的方铁矿晶粒含铁。 方铁矿晶粒的（111）面的晶格间距不小于0.253纳米，不大于0.275纳米。

公开(公告)号：US20120015214A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13243553

申请日：2011-09-23

申请人： Yoshihiko FUJI ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

发明人： Yoshihiko FUJI ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/398 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/305 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129

摘要： A magneto-resistance effect element, comprising a first magnetic layer, a first metallic layer, which is formed on said first magnetic layer, mainly containing an element selected from the group consisting of Cu, Au, Ag, a current confined layer including an insulating layer and a current path which are made by oxidizing, nitriding or oxynitriding for a second metallic layer, mainly containing Al, formed on said first metallic layer, a functional layer, which is formed on said current confined layer, mainly containing an element selected from the group consisting of Si, Hf, Ti, Mo, W, Nb, Mg, Cr and Zr, a third metallic layer, which is formed on said functional layer, mainly containing an element selected from the group consisting of Cu, Au, Ag; and a second magnetic layer which is formed on said third metallic layer.

摘要翻译： 一种磁电阻效应元件，包括第一磁性层，第一金属层，其形成在所述第一磁性层上，主要包含选自由Cu，Au，Ag组成的组的元素，包含绝缘体的电流限制层 层和电流路径，其通过对形成在所述第一金属层上的主要包含Al的第二金属层进行氧化，氮化或氧氮化而形成，功能层，其形成在所述电流限制层上，主要含有选自 由Si，Hf，Ti，Mo，W，Nb，Mg，Cr和Zr组成的组，形成在所述功能层上的第三金属层，主要含有选自Cu，Au，Ag ; 以及形成在所述第三金属层上的第二磁性层。

公开(公告)号：US20120206838A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13454846

申请日：2012-04-24

申请人： Yoshihiko FUJI ,  Hideaki FUKUZAWA ,  Hiromi YUASA

发明人： Yoshihiko FUJI ,  Hideaki FUKUZAWA ,  Hiromi YUASA

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11B5/3983 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/398 ,  G11C11/161 ,  H01F10/187 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  Y10T428/1121

摘要： An example magnetoresistive element includes a first magnetic layer whose magnetization direction is substantially pinned toward one direction; a second magnetic layer whose magnetization direction is changed in response to an external magnetic field; and a spacer layer. At least one of the first magnetic layer and the second magnetic layer includes a magnetic compound layer including a magnetic compound that is expressed by M1aM2bOc (where 5≦a≦68, 10≦b≦73, and 22≦c≦85). M1 is at least one element selected from the group consisting of Co, Fe, and Ni. M2 is at least one element selected from the group consisting of Ti, V, and Cr.

摘要翻译： 示例性磁阻元件包括其磁化方向基本上朝向一个方向固定的第一磁性层; 其磁化方向响应于外部磁场而改变的第二磁性层; 和间隔层。 第一磁性层和第二磁性层中的至少一个包括由M1aM2bOc（其中5和nlE; a＆nlE; 68,10和nlE; b＆nlE; 73和22＆nlE; c＆nlE; 85）表示的磁性化合物的磁性化合物层。 M1是选自Co，Fe和Ni中的至少一种元素。 M2是选自Ti，V和Cr中的至少一种元素。

公开(公告)号：US20120129008A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13360143

申请日：2012-01-27

申请人： Hideaki FUKUZAWA ,  Masahiro TAKASHITA ,  Hiromi YUASA ,  Yoshihiko FUJI ,  Hitoshi IWASAKI

发明人： Hideaki FUKUZAWA ,  Masahiro TAKASHITA ,  Hiromi YUASA ,  Yoshihiko FUJI ,  Hitoshi IWASAKI

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3983 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121

摘要： A magneto-resistance effect element, a magneto-resistance effect head, a magnetic storage and a magnetic memory, in which noise caused by a spin-transfer torque is reduced, are provided. In a fixed magnetization layer or a free magnetization layer of a magneto-resistance effect element including the fixed magnetization layer, a spacer layer and the free magnetization layer; a layer containing one element selected from the group consisting of Ti, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt and Au is disposed.

摘要翻译： 提供了由旋转传递转矩引起的噪声减小的磁阻效应元件，磁阻效应头，磁存储器和磁存储器。 在包括固定磁化层，间隔层和自由磁化层的磁阻效应元件的固定磁化层或自由磁化层中; 设置包含选自Ti，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，Pd，Ag，La，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt和Au中的一种元素的层。