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    Protect diodes for hybrid-orientation substrate structures
    3.
    发明授权
    Protect diodes for hybrid-orientation substrate structures 失效
    用于混合取向衬底结构的保护二极管

    公开(公告)号：US07687340B2

    公开(公告)日：2010-03-30

    申请号：US11849489

    申请日：2007-09-04

    申请人： James William Adkisson ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Alain Loiseau ,  Kirk David Peterson

    发明人： James William Adkisson ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Alain Loiseau ,  Kirk David Peterson

    IPC分类号： H01L21/8234

    CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045

    摘要： A semiconductor structure fabrication method. First, a semiconductor structure is provided including (a) a semiconductor block having a first semiconductor material doped with a first doping polarity and having a first lattice orientation, and (b) a semiconductor region on the semiconductor block, wherein the semiconductor region is physically isolated from the semiconductor block by a dielectric region, and wherein the semiconductor region includes a second semiconductor material (i) doped with a second doping polarity opposite to the first doping polarity and (ii) having a second lattice orientation different from the first lattice orientation. Next, first and second gate stacks are formed on the semiconductor block and the semiconductor region, respectively. Then, (i) first and second S/D regions are simultaneously formed in the semiconductor block on opposing sides of the first gate stack and (ii) first and second discharge prevention semiconductor regions in the semiconductor block.

    摘要翻译： 半导体结构制造方法。 首先，提供半导体结构，其包括：（a）具有掺杂有第一掺杂极性且具有第一晶格取向的第一半导体材料的半导体块，以及（b）半导体块上的半导体区域，其中半导体区域是物理上的 并且其中所述半导体区域包括掺杂有与所述第一掺杂极性相反的第二掺杂极性的第二半导体材料（i）和（ii）具有不同于所述第一晶格取向的第二晶格取向 。 接下来，分别在半导体块和半导体区域上形成第一和第二栅极叠层。 然后，（i）第一和第二S / D区域同时形成在半导体块中的第一栅极堆叠的相对侧上，以及（ii）半导体块中的第一和第二放电预防半导体区域。

    METHOD AND APPARATUS FOR IMPLEMENTING ENHANCED SRAM READ PERFORMANCE SORT RING OSCILLATOR (PSRO)
    4.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR IMPLEMENTING ENHANCED SRAM READ PERFORMANCE SORT RING OSCILLATOR (PSRO) 有权
    实现增强SRAM读取性能分析振荡器（PSRO）的方法和设备

    公开(公告)号：US20090027946A1

    公开(公告)日：2009-01-29

    申请号：US11782808

    申请日：2007-07-25

    申请人： Chad Allen Adams ,  Todd Alan Christensen ,  Travis Reynold Hebig ,  Kirk David Peterson

    发明人： Chad Allen Adams ,  Todd Alan Christensen ,  Travis Reynold Hebig ,  Kirk David Peterson

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/413 ,  G11C11/41 ,  G11C11/419 ,  G11C2029/0403

    摘要： A method and apparatus including a static random access memory (SRAM) cell implement an enhanced SRAM read performance sort ring oscillator (PSRO). A pair of parallel reverse polarity connected inverters defines a static latch or cross-coupled memory cell. The SRAM cell includes independent left and right wordlines providing a respective gate input to a pair of access transistors used to access to the memory cell. The SRAM cell includes a voltage supply connection to one side of the static latch. For example, a complement side of the static latch is connected to the voltage supply. A plurality of the SRAM cells is assembled together to form a SRAM base block. A plurality of the SRAM base blocks is connected together to form the SRAM read PSRO.

    摘要翻译： 包括静态随机存取存储器（SRAM）单元的方法和装置实现增强型SRAM读取性能排序环形振荡器（PSRO）。 一对并联反极性连接的反相器定义了静态锁存器或交叉耦合存储器单元。 SRAM单元包括独立的左和右字线，为用于访问存储单元的一对存取晶体管提供相应的栅极输入。 SRAM单元包括到静态锁存器的一侧的电压供应连接。 例如，静态锁存器的补码侧连接到电源。 多个SRAM单元组装在一起以形成SRAM基块。 多个SRAM基块被连接在一起以形成SRAM读取PSRO。

    Cobalt disilicide structure
    5.
    发明授权
    Cobalt disilicide structure 失效
    二硅化钴结构

    公开(公告)号：US07411258B2

    公开(公告)日：2008-08-12

    申请号：US09939895

    申请日：2001-08-27

    申请人： David Paul Agnello ,  Mary Conroy Bushey ,  Donna K. Johnson ,  Jerome Brett Lasky ,  Peter James Lindgren ,  Kirk David Peterson

    发明人： David Paul Agnello ,  Mary Conroy Bushey ,  Donna K. Johnson ,  Jerome Brett Lasky ,  Peter James Lindgren ,  Kirk David Peterson

    IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94

    CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134

    摘要： A structure relating to removal of an oxide of titanium generated as a byproduct of a process that forms cobalt disilicide within an insulated-gate field effect transistor (FET). The structure may comprise a layer of cobalt disilicide that is substantially free of cobalt monosilicide, with substantially no stringer of an oxide of titanium on the layer of cobalt disilicide. The structure may alternatively comprise a layer of cobalt disilicide, a patch of an oxide of titanium, and a reagent in contact with the patch at a temperature and for a period of time. The layer is substantially free of cobalt monosilicide. The patch is on the layer of cobalt disilicide. The reagent is adapted to remove the patch within the period of time. The reagent does not chemically react with the layer of cobalt disilicide, and the reagent comprises water, ammonium hydroxide, and hydrogen peroxide.

    摘要翻译： 涉及在绝缘栅场效应晶体管（FET）中除去作为形成二硅化钴的工艺的副产物的钛的氧化物的结构。 该结构可以包含基本上不含一钴硅酸钴的二硅化钴层，在二硅化钴层上基本上没有钛氧化物的桁条。 该结构可以可选地包括一层二硅化钴，一块钛的氧化物和在该温度和一段时间内与该贴片接触的试剂。 该层基本上不含一次硅化钴。 贴片在二硅化钴层上。 试剂适于在一段时间内除去贴剂。 试剂不与二硅化钴层发生化学反应，试剂包括水，氢氧化铵和过氧化氢。

    Cobal disilicide structure
    7.
    发明授权
    Cobal disilicide structure 失效
    钴二硅化物结构

    公开(公告)号：US07696586B2

    公开(公告)日：2010-04-13

    申请号：US12175549

    申请日：2008-07-18

    申请人： David Paul Agnello ,  Mary Conroy Bushey ,  Donna K. Johnson ,  Jerome Brett Lasky ,  Peter James Lindgren ,  Kirk David Peterson

    发明人： David Paul Agnello ,  Mary Conroy Bushey ,  Donna K. Johnson ,  Jerome Brett Lasky ,  Peter James Lindgren ,  Kirk David Peterson

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134

    摘要： A structure. The structure may include a layer of cobalt disilicide that is substantially free of cobalt monosilicide and there is substantially no stringer of an oxide of titanium on the layer of cobalt disilicide. The structure may include a substrate that includes: an insulated-gate field effect transistor (FET) that includes a source, a drain, and a gate; a first layer of cobalt disilicide on the source, said first layer having substantially no cobalt monosilicide, and said first layer having substantially no stringer of an oxide of titanium thereon; a second layer of cobalt disilicide on the drain, said second layer having substantially no cobalt monosilicide having substantially no stringer of an oxide of titanium thereon; and a third layer of cobalt disilicide on the gate, said third layer having substantially no cobalt monosilicide and having substantially no stringer of an oxide of titanium thereon.

    摘要翻译： 一个结构。 该结构可以包括基本上不含一钴硅酸钴的二硅化钴层，并且在二硅化钴层上基本上没有钛氧化物的桁条。 该结构可以包括：衬底，其包括：绝缘栅场效应晶体管（FET），其包括源极，漏极和栅极; 在源极上的第二层二硅化钴，所述第一层基本上不含有一氧化硅钴，并且所述第一层在其上基本上不具有钛氧化物的桁条; 漏极上的第二层二硅化锡，所述第二层基本上不具有在其上的钛氧化物基本上没有棱的钴单硅化物; 和在栅极上的第二层二硅化锡，所述第三层基本上不含有一氧化硅钴，并且在其上基本上没有钛氧化物的桁条。

    Implementing enhanced SRAM read performance sort ring oscillator (PSRO)
    8.
    发明授权
    Implementing enhanced SRAM read performance sort ring oscillator (PSRO) 有权
    实现增强型SRAM读取性能排序环形振荡器（PSRO）

    公开(公告)号：US07609542B2

    公开(公告)日：2009-10-27

    申请号：US11873534

    申请日：2007-10-17

    申请人： Chad Allen Adams ,  Todd Alan Christensen ,  Travis Reynold Hebig ,  Kirk David Peterson

    发明人： Chad Allen Adams ,  Todd Alan Christensen ,  Travis Reynold Hebig ,  Kirk David Peterson

    IPC分类号： G11C11/40

    CPC分类号： G11C11/413

    摘要： A method and apparatus including a static random access memory (SRAM) cell implement an enhanced SRAM read performance sort ring oscillator (PSRO), and a design structure on which the subject circuit resides is provided. A pair of parallel reverse polarity connected inverters defines a static latch or cross-coupled memory cell. The SRAM cell includes independent left and right wordlines providing a respective gate input to a pair of access transistors used to access to the memory cell. The SRAM cell includes a voltage supply connection to one side of the static latch. For example, a complement side of the static latch is connected to the voltage supply. A plurality of the SRAM cells is assembled together to form a SRAM base block. A plurality of the SRAM base blocks is connected together to form the SRAM read PSRO.

    摘要翻译： 一种包括静态随机存取存储器（SRAM）单元的方法和装置实现增强的SRAM读取性能排序环形振荡器（PSRO），以及设置有被摄体电路所在的设计结构。 一对并联反极性连接的反相器定义了静态锁存器或交叉耦合存储器单元。 SRAM单元包括独立的左和右字线，为用于访问存储单元的一对存取晶体管提供相应的栅极输入。 SRAM单元包括到静态锁存器的一侧的电压供应连接。 例如，静态锁存器的补码侧连接到电源。 多个SRAM单元组装在一起以形成SRAM基块。 多个SRAM基块被连接在一起以形成SRAM读取PSRO。

    Method and apparatus for implementing enhanced SRAM read performance sort ring oscillator (PSRO)
    10.
    发明授权
    Method and apparatus for implementing enhanced SRAM read performance sort ring oscillator (PSRO) 有权
    实现增强型SRAM读取性能排序环形振荡器（PSRO）的方法和装置

    公开(公告)号：US07480170B1

    公开(公告)日：2009-01-20

    申请号：US11782808

    申请日：2007-07-25

    申请人： Chad Allen Adams ,  Todd Alan Christensen ,  Travis Reynold Hebig ,  Kirk David Peterson

    发明人： Chad Allen Adams ,  Todd Alan Christensen ,  Travis Reynold Hebig ,  Kirk David Peterson

    IPC分类号： G11C11/40

    CPC分类号： G11C11/413 ,  G11C11/41 ,  G11C11/419 ,  G11C2029/0403

    摘要： A method and apparatus including a static random access memory (SRAM) cell implement an enhanced SRAM read performance sort ring oscillator (PSRO). A pair of parallel reverse polarity connected inverters defines a static latch or cross-coupled memory cell. The SRAM cell includes independent left and right wordlines providing a respective gate input to a pair of access transistors used to access to the memory cell. The SRAM cell includes a voltage supply connection to one side of the static latch. For example, a complement side of the static latch is connected to the voltage supply. A plurality of the SRAM cells is assembled together to form a SRAM base block. A plurality of the SRAM base blocks is connected together to form the SRAM read PSRO.

    摘要翻译： 包括静态随机存取存储器（SRAM）单元的方法和装置实现增强型SRAM读取性能排序环形振荡器（PSRO）。 一对并联反极性连接的反相器定义了静态锁存器或交叉耦合存储器单元。 SRAM单元包括独立的左和右字线，为用于访问存储单元的一对存取晶体管提供相应的栅极输入。 SRAM单元包括到静态锁存器的一侧的电压供应连接。 例如，静态锁存器的补码侧连接到电源。 多个SRAM单元组装在一起以形成SRAM基块。 多个SRAM基块被连接在一起以形成SRAM读取PSRO。