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1.发明申请公开(公告)号：US20120219902A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：US13407529
申请日：2012-02-28
申请人： Young Cheol Bae , Jong Keun Park , Seung-Hyun Lee , Yi Liu , Thomas Cardolaccia , Rosemary Bell
发明人： Young Cheol Bae , Jong Keun Park , Seung-Hyun Lee , Yi Liu , Thomas Cardolaccia , Rosemary Bell
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/325
摘要： Provided are photoresist compositions useful in forming photolithographic patterns. Also provided are substrates coated with the photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns. The compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 提供了可用于形成光刻图案的光致抗蚀剂组合物。 还提供了涂覆有光致抗蚀剂组合物的基材和形成光刻图案的方法。 组合物，方法和涂覆的基材在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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2.发明授权公开(公告)号：US08975001B2
公开(公告)日：2015-03-10
申请号：US13407508
申请日：2012-02-28
申请人： Young Cheol Bae , Rosemary Bell , Thomas Cardolaccia , Seung-Hyun Lee , Yi Liu , Jong Keun Park
发明人： Young Cheol Bae , Rosemary Bell , Thomas Cardolaccia , Seung-Hyun Lee , Yi Liu , Jong Keun Park
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： Provided are photoresist compositions useful in forming photolithographic patterns. Also provided are substrates coated with the photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns. The compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 提供了可用于形成光刻图案的光致抗蚀剂组合物。 还提供了涂覆有光致抗蚀剂组合物的基材和形成光刻图案的方法。 组合物，方法和涂覆的基材在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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3.发明申请POLYMERS, PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS OF FORMING PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERNS 有权聚合物，光电组合物和形成光刻图案的方法公开(公告)号：US20120171617A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：US13341935
申请日：2011-12-31
申请人： Young Cheol BAE , Thomas H. Peterson , Yi Liu , Jong Keun Park , Seung-Hyun Lee , Thomas Cardolaccia
发明人： Young Cheol BAE , Thomas H. Peterson , Yi Liu , Jong Keun Park , Seung-Hyun Lee , Thomas Cardolaccia
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/004 , C08F224/00
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要： Provided are polymers that include a unit comprising a particular acetal moiety and a unit comprising a lactone moiety. Also provided are photoresist compositions containing such a polymer, substrates coated with the photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns. The polymers, compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 提供的是包括包含特定缩醛部分的单元和包含内酯部分的单元的聚合物。 还提供含有这种聚合物的光致抗蚀剂组合物，用光致抗蚀剂组合物涂覆的基材和形成光刻图案的方法。 聚合物，组合物，方法和涂覆的基底在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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4.发明授权Polymers, photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns 有权聚合物，光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法公开(公告)号：US08614050B2
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：US13341935
申请日：2011-12-31
申请人： Young Cheol Bae , Thomas H. Peterson , Yi Liu , Jong Keun Park , Seung-Hyun Lee , Thomas Cardolaccia
发明人： Young Cheol Bae , Thomas H. Peterson , Yi Liu , Jong Keun Park , Seung-Hyun Lee , Thomas Cardolaccia
IPC分类号： G03F7/00 , C08F224/00 , C08F220/26
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要： Polymers include a unit comprising a particular acetal moiety and a unit comprising a lactone moiety, photoresist compositions containing such a polymer, substrates coated with the photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns. The polymers, compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 聚合物包括包含特定缩醛部分的单元和包含内酯部分的单元，含有这种聚合物的光致抗蚀剂组合物，涂有光致抗蚀剂组合物的基材和形成光刻图案的方法。 聚合物，组合物，方法和涂覆的基底在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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5.发明授权Monomers, polymers, photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns 有权单体，聚合物，光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法公开(公告)号：US08771917B2
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：US13341931
申请日：2011-12-31
申请人： Matthias S. Ober , Young Cheol Bae , Yi Liu , Seung-Hyun Lee , Jong Keun Park
发明人： Matthias S. Ober , Young Cheol Bae , Yi Liu , Seung-Hyun Lee , Jong Keun Park
CPC分类号： G03F7/0397 , C07D307/93 , C07D317/24 , C08F24/00 , C08F220/28 , G03F7/0382 , G06F7/38 , Y10S430/111
摘要： Provided are (meth)acrylate monomers containing acetal moieties, polymers containing a unit formed from such a monomer and photoresist compositions containing such a polymer. The monomers, polymers and photoresist compositions are useful in forming photolithographic patterns. Also provided are substrates coated with the photoresist compositions, methods of forming photolithographic patterns and electronic devices. The compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 提供含有缩醛部分的（甲基）丙烯酸酯单体，含有由这种单体形成的单元的聚合物和含有这种聚合物的光致抗蚀剂组合物。 单体，聚合物和光致抗蚀剂组合物可用于形成光刻图案。 还提供了涂覆有光致抗蚀剂组合物的基材，形成光刻图案的方法和电子装置。 组合物，方法和涂覆的基材在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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6.发明申请MONOMERS, POLYMERS, PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS OF FORMING PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERNS 有权单体，聚合物，光电组合物和形成光刻图案的方法公开(公告)号：US20130011783A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：US13341931
申请日：2011-12-31
申请人： Matthias S. Ober , Young Cheol Bae , Yi Liu , Seung-Hyun Lee , Jong Keun Park
发明人： Matthias S. Ober , Young Cheol Bae , Yi Liu , Seung-Hyun Lee , Jong Keun Park
IPC分类号： C08F224/00 , C07D407/06 , G03F7/20 , C08F124/00 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , C07D307/93 , C07D317/24 , C08F24/00 , C08F220/28 , G03F7/0382 , G06F7/38 , Y10S430/111
摘要： Provided are (meth)acrylate monomers containing acetal moieties, polymers containing a unit formed from such a monomer and photoresist compositions containing such a polymer. The monomers, polymers and photoresist compositions are useful in forming photolithographic patterns. Also provided are substrates coated with the photoresist compositions, methods of forming photolithographic patterns and electronic devices. The compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 提供含有缩醛部分的（甲基）丙烯酸酯单体，含有由这种单体形成的单元的聚合物和含有这种聚合物的光致抗蚀剂组合物。 单体，聚合物和光致抗蚀剂组合物可用于形成光刻图案。 还提供了涂覆有光致抗蚀剂组合物的基材，形成光刻图案的方法和电子装置。 组合物，方法和涂覆的基材在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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公开(公告)号：US08338079B2
公开(公告)日：2012-12-25
申请号：US12825124
申请日：2010-06-28
申请人： Young Cheol Bae , Thomas Cardolaccia , Yi Liu
发明人： Young Cheol Bae , Thomas Cardolaccia , Yi Liu
CPC分类号： H01L23/481 , G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Compositions are provided which can be used for treating photoresist patterns in the manufacture of electronic devices. The compositions allow for the formation of fine lithographic patterns and find particular applicability in semiconductor device manufacture.
摘要翻译： 提供了可用于处理电子设备制造中的光致抗蚀剂图案的组合物。 该组合物允许形成精细的平版印刷图案并且在半导体器件制造中发现特定的适用性。
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公开(公告)号：US20100330503A1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：US12825134
申请日：2010-06-28
申请人： Young Cheol BAE , Thomas Cardolaccia , Yi Liu
发明人： Young Cheol BAE , Thomas Cardolaccia , Yi Liu
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01L23/481 , G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Methods of forming electronic devices are provided. The methods involve alkaline treatment of photoresist patterns and allow for the formation of high density resist patterns. The methods find particular applicability in semiconductor device manufacture.
摘要翻译： 提供了形成电子器件的方法。 所述方法包括对光致抗蚀剂图案进行碱处理并允许形成高密度抗蚀剂图案。 该方法特别适用于半导体器件制造。
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公开(公告)号：US20100330500A1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：US12825157
申请日：2010-06-28
申请人： Young Cheol BAE , Thomas Cardolaccia , Yi Liu
发明人： Young Cheol BAE , Thomas Cardolaccia , Yi Liu
CPC分类号： H01L23/481 , G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Methods of forming electronic devices are provided. The methods involve alkaline treatment of photoresist patterns and allow for the formation of high density resist patterns. The methods find particular applicability in semiconductor device manufacture.
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公开(公告)号：US08492068B2
公开(公告)日：2013-07-23
申请号：US12825134
申请日：2010-06-28
申请人： Young Cheol Bae , Thomas Cardolaccia , Yi Liu
发明人： Young Cheol Bae , Thomas Cardolaccia , Yi Liu
CPC分类号： H01L23/481 , G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Methods of forming electronic devices are provided. The methods involve alkaline treatment of photoresist patterns and allow for the formation of high density resist patterns. The methods find particular applicability in semiconductor device manufacture.
摘要翻译： 提供了形成电子器件的方法。 所述方法包括对光致抗蚀剂图案进行碱处理并允许形成高密度抗蚀剂图案。 该方法特别适用于半导体器件制造。
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