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    VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD FOR SAME
    2.
    发明申请
    VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD FOR SAME 有权
    可变电阻非易失性存储器件及其编程方法

    公开(公告)号：US20110182109A1

    公开(公告)日：2011-07-28

    申请号：US13121262

    申请日：2010-07-26

    申请人： Yuichiro Ikeda ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Shunsaku Muraoka ,  Yoshikazu Katoh

    发明人： Yuichiro Ikeda ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Shunsaku Muraoka ,  Yoshikazu Katoh

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0002 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

    摘要： A variable resistance nonvolatile memory device (100) according to an aspect of the present invention includes: a plurality of memory cells (M11, M12, M21, M22) in each of which a variable resistance element (R11, R12, R21, R22) and a current steering element (D11, D12, D21, D22) having two terminals are connected in series; a current limit circuit (105b) which limits a first current flowing in a direction for changing the memory cells (M11, M12, M21, M22) to a low resistance state; and a boost circuit (105d) which increases, when one of the memory cells (M11, M12, M21, M22) changes to the low resistance state, the first current in a first period before the memory cell changes to the low resistance state.

    摘要翻译： 根据本发明的一个方面的可变电阻非易失性存储器件（100）包括：多个存储单元（M11，M12，M21，M22），其中可变电阻元件（R11，R12，R21，R22） 并且具有两个端子的电流控制元件（D11，D12，D21，D22）串联连接; 电流限制电路（105b），限制在用于将存储单元（M11，M12，M21，M22）改变的方向上流动的第一电流为低电阻状态; 以及升压电路（105d），当存储单元（M11，M12，M21，M22）中的一个变为低电阻状态时，在存储单元变为低电阻状态之前的第一周期内增加第一电流。

    VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    4.
    发明申请
    VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE 有权
    可变电阻非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20110122680A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：US13054312

    申请日：2010-04-14

    申请人： Yuuichirou Ikeda ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Shunsaku Muraoka ,  Ryotaro Azuma

    发明人： Yuuichirou Ikeda ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Shunsaku Muraoka ,  Ryotaro Azuma

    IPC分类号： G11C11/21

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

    摘要： A nonvolatile resistance variable memory device (100) includes memory cells (M11, M12, . . . ) in each of which a variable resistance element (R11, R12, . . . ) including a variable resistance layer placed between and in contact with a first electrode and a second electrode, and a current steering element (D11, D12, . . . ) including a current steering layer placed between and in contact with a third electrode and a fourth electrode, are connected in series, and the device is driven by a first LR drive circuit (105a1) via a current limit circuit (105b) to decrease resistance of the variable resistance element while the device is driven by a second HR drive circuit (105a2) to increase resistance of the variable resistance element, thus using the current limit circuit (105b) to make a current for decreasing resistance of the variable resistance element lower than a current for increasing resistance of the variable resistance element.

    摘要翻译： 一种非易失性电阻可变存储器件（100）包括存储单元（M11，M12 ...），每个存储单元包括可变电阻元件（R11，R12 ...），该可变电阻元件（R11，R12 ...） 第一电极和第二电极，以及包括放置在第三电极和第四电极之间并与第三电极和第四电极接触的电流导向层的电流导向元件（D11，D12 ...）串联连接，并且驱动该装置 通过第一LR驱动电路（105a1）经由限流电路（105b），以在器件被第二HR驱动电路（105a2）驱动时降低可变电阻元件的电阻，以增加可变电阻元件的电阻，从而使用 电流限制电路（105b），用于使可变电阻元件的电阻降低的电流低于用于增加可变电阻元件的电阻的电流。

    VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE STORAGE DEVICE
    7.
    发明申请
    VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE STORAGE DEVICE 有权
    可变电阻非易失存储器件

    公开(公告)号：US20100177555A1

    公开(公告)日：2010-07-15

    申请号：US12676933

    申请日：2008-12-15

    申请人： Kazuhiko Shimakawa ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Shunsaku Muraoka

    发明人： Kazuhiko Shimakawa ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Shunsaku Muraoka

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00 ,  G11C8/08

    CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

    摘要： The variable resistance nonvolatile storage device includes a memory cell (300) that is formed by connecting in series a variable resistance element (309) including a variable resistance layer (309b) which reversibly changes based on electrical signals each having a different polarity and a transistor (317) including a semiconductor substrate (301) and two N-type diffusion layer regions (302a, 302b), wherein the variable resistance layer (309b) includes an oxygen-deficient oxide of a transition metal, lower and upper electrodes (309a, 309c) are made of materials of different elements, a standard electrode potential V1 of the lower electrode (309a), a standard electrode potential V2 of the upper electrode (309c), and a standard electrode potential Vt of the transition metal satisfy Vt

    摘要翻译： 可变电阻非易失性存储装置包括通过串联连接可变电阻元件（309）形成的存储单元（300），该可变电阻元件（309）包括基于各自具有不同极性的电信号可逆地改变的可变电阻层（309b）和晶体管 （307），包括半导体衬底（301）和两个N型扩散层区域（302a，302b），其中可变电阻层（309b）包括过渡金属的氧缺乏氧化物，下电极和上电极（309a， 309c）的材料由下部电极（309a）的标准电极电位V1，上部电极（309c）的标准电极电位V2，过渡金属的标准电极电位Vt满足Vt

    Variable resistance nonvolatile storage device with oxygen-deficient oxide layer and asymmetric substrate bias effect
    9.
    发明授权
    Variable resistance nonvolatile storage device with oxygen-deficient oxide layer and asymmetric substrate bias effect 有权
    具有氧缺陷氧化层的可变电阻非易失性存储器件和不对称衬底偏置效应

    公开(公告)号：US08472238B2

    公开(公告)日：2013-06-25

    申请号：US13534315

    申请日：2012-06-27

    申请人： Kazuhiko Shimakawa ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Shunsaku Muraoka

    发明人： Kazuhiko Shimakawa ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Shunsaku Muraoka

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

    摘要： The variable resistance nonvolatile storage device includes a memory cell (300) that is formed by connecting in series a variable resistance element (309) including a variable resistance layer (309b) which reversibly changes based on electrical signals each having a different polarity and a transistor (317) including a semiconductor substrate (301) and two N-type diffusion layer regions (302a, 302b), wherein the variable resistance layer (309b) includes an oxygen-deficient oxide of a transition metal, lower and upper electrodes (309a, 309c) are made of materials of different elements, a standard electrode potential V1 of the lower electrode (309a), a standard electrode potential V2 of the upper electrode (309c), and a standard electrode potential Vt of the transition metal satisfy Vt

    摘要翻译： 可变电阻非易失性存储装置包括通过串联连接可变电阻元件（309）形成的存储单元（300），该可变电阻元件（309）包括基于各自具有不同极性的电信号可逆地改变的可变电阻层（309b）和晶体管 （307），包括半导体衬底（301）和两个N型扩散层区域（302a，302b），其中可变电阻层（309b）包括过渡金属的氧缺乏氧化物，下电极和上电极（309a， 309c）的材料由下部电极（309a）的标准电极电位V1，上部电极（309c）的标准电极电位V2，过渡金属的标准电极电位Vt满足Vt