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    BiCMOS tri-state output driver
    2.
    发明授权
    BiCMOS tri-state output driver 失效
    BiCMOS三态输出驱动器

    公开(公告)号：US5512847A

    公开(公告)日：1996-04-30

    申请号：US321012

    申请日：1994-10-06

    申请人： Yukio Suzuki ,  Ikuro Masuda ,  Masahiro Iwamura ,  Shinji Kadono ,  Akira Uragami ,  Masayoshi Yoshimura ,  Toshiaki Matsubara

    发明人： Yukio Suzuki ,  Ikuro Masuda ,  Masahiro Iwamura ,  Shinji Kadono ,  Akira Uragami ,  Masayoshi Yoshimura ,  Toshiaki Matsubara

    IPC分类号： H03K19/00 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/018 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/177 ,  H03K19/01

    CPC分类号： H03K19/09448 ,  H03K19/017518 ,  H03K19/01806 ,  H03K19/09425 ,  H03K19/09429 ,  H01L2924/0002

    摘要： In an input level converter for TTL--CMOS level conversion (or other conversion to CMOS) for an internal logic block operating with CMOS levels, an output transistor for executing the charge or discharge of the output capacitance thereof is formed of a bipolar transistor. Thus, the propagation delay times and their capacitance-dependencies of the input level converter can be lessened. Similarly, in an output level converter for CMOS--TTL level conversion (or other conversion from CMOS) for the internal logic block operating with the CMOS levels, an output transistor for executing the charge or discharge of the output load capacitance thereof is formed of a bipolar transistor. Thus, the propagation delay times and their capacitance-dependencies of the output level converter can also be lessened.

    摘要翻译： 在用于CMOS电平工作的内部逻辑块的TTL-CMOS电平转换（或其他转换为CMOS）的输入电平转换器中，用于执行其输出电容的充电或放电的输出晶体管由双极晶体管形成。 因此，可以减小输入电平转换器的传播延迟时间及其电容依赖性。 类似地，在用于CMOS电平操作的内部逻辑块的用于CMOS-TTL电平转换（或来自CMOS的其它转换）的输出电平转换器中，用于执行其输出负载电容的充电或放电的输出晶体管由 双极晶体管。 因此，也可以减小输出电平转换器的传播延迟时间及其电容依赖性。

    Level conversion circuitry for a semiconductor integrated circuit
    4.
    发明授权
    Level conversion circuitry for a semiconductor integrated circuit 失效
    半导体集成电路的电平转换电路

    公开(公告)号：US5245224A

    公开(公告)日：1993-09-14

    申请号：US845136

    申请日：1992-03-03

    申请人： Yukio Suzuki ,  Ikuro Masuda ,  Masahiro Iwamura ,  Shinji Kadono ,  Akira Uragami ,  Masayoshi Yoshimura ,  Toshiaki Matsubara

    发明人： Yukio Suzuki ,  Ikuro Masuda ,  Masahiro Iwamura ,  Shinji Kadono ,  Akira Uragami ,  Masayoshi Yoshimura ,  Toshiaki Matsubara

    IPC分类号： H03K19/0175 ,  H03K19/018 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/177

    CPC分类号： H03K19/09448 ,  H03K19/017518 ,  H03K19/01806 ,  H03K19/09429

    摘要： In an input level converter for TTL-CMOS level conversion (or other conversion to CMOS) for an internal logic block operating with CMOS levels, an output transistor for executing the charge or discharge of the output capacitance thereof is formed of a bipolar transistor. Thus, the propagation delay times and their capacitance-dependencies of the input level converter can be lessened. Similarly, in an output level converter for CMOS-TTL level conversion (or other conversion from CMOS) for the internal logic block operating with the CMOS levels, an output transistor for executing the charge or discharge of the output load capacitance thereof is formed of a bipolar transistor. Thus, the propagation delay times and their capacitance-dependencies of the output level converter can also be lessened.

    摘要翻译： 在用于CMOS电平工作的内部逻辑块的TTL-CMOS电平转换（或其他转换为CMOS）的输入电平转换器中，用于执行其输出电容的充电或放电的输出晶体管由双极晶体管形成。 因此，可以减小输入电平转换器的传播延迟时间及其电容依赖性。 类似地，在用于CMOS电平操作的内部逻辑块的用于CMOS-TTL电平转换（或来自CMOS的其它转换）的输出电平转换器中，用于执行其输出负载电容的充电或放电的输出晶体管由 双极晶体管。 因此，也可以减小输出电平转换器的传播延迟时间及其电容依赖性。

    Bicmos gate array
    6.
    发明授权
    Bicmos gate array 失效
    二门门阵列

    公开(公告)号：US4879480A

    公开(公告)日：1989-11-07

    申请号：US240450

    申请日：1988-09-02

    申请人： Yukio Suzuki ,  Ikuro Masuda ,  Masahiro Iwamura ,  Shinji Kadono ,  Akiro Uragami ,  Masayoshi Yoshimura ,  Toshiaki Matsubara

    发明人： Yukio Suzuki ,  Ikuro Masuda ,  Masahiro Iwamura ,  Shinji Kadono ,  Akiro Uragami ,  Masayoshi Yoshimura ,  Toshiaki Matsubara

    IPC分类号： H03K19/00 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/018 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/177

    CPC分类号： H03K19/09448 ,  H03K19/017518 ,  H03K19/01806 ,  H03K19/09425 ,  H03K19/09429 ,  H01L2924/0002

    摘要： In an input level converter for TTL - CMOS level conversion (or other conversion to CMOS) for an internal logic block operating with CMOS levels, an output transistor for executing the charge or discharge of the output capacitance thereof is formed of a bipolar transistor. Thus, the propagation delay times and their capacitance-dependencies of the input level converter can be lessened. Similarly, in an output level converter for CMOS - TTL level conversion (or other conversion from CMOS) for the internal logic block operating with the CMOS levels, an output transistor for executing the charge or discharge of the output load capacitance thereof is formed of a bipolar transistor. Thus, the propagation delay times and their capacitance-dependencies of the output level converter can also be lessened.

    摘要翻译： 在用于CMOS电平工作的内部逻辑块的TTL-CMOS电平转换（或其他转换为CMOS）的输入电平转换器中，用于执行其输出电容的充电或放电的输出晶体管由双极晶体管形成。 因此，可以减小输入电平转换器的传播延迟时间及其电容依赖性。 类似地，在用于CMOS电平操作的内部逻辑块的用于CMOS-TTL电平转换（或来自CMOS的其它转换）的输出电平转换器中，用于执行其输出负载电容的充电或放电的输出晶体管由 双极晶体管。 因此，也可以减小输出电平转换器的传播延迟时间及其电容依赖性。

    Inverting logic buffer BICMOS switching circuit using an enabling switch for three-state operation with reduced dissipation
    8.
    发明授权
    Inverting logic buffer BICMOS switching circuit using an enabling switch for three-state operation with reduced dissipation 失效
    反相逻辑缓冲器BICMOS开关电路使用启用开关进行三态操作，减少耗散

    公开(公告)号：US4678943A

    公开(公告)日：1987-07-07

    申请号：US704209

    申请日：1985-02-22

    申请人： Akira Uragami ,  Yukio Suzuki ,  Shinji Kadono ,  Masahiro Iwamura ,  Ikuro Masuda ,  Tatsumi Yamauchi

    发明人： Akira Uragami ,  Yukio Suzuki ,  Shinji Kadono ,  Masahiro Iwamura ,  Ikuro Masuda ,  Tatsumi Yamauchi

    IPC分类号： H03K19/0175 ,  H03K17/04 ,  H03K17/60 ,  H03K19/0944

    CPC分类号： H03K19/09448

    摘要： A switching circuit comprises a pre-stage circuit coupled to receive an input signal and an output stage, wherein an output signal having a phase opposite to that of a signal of an input terminal IN can be obtained from an output terminal OUT of the output stage. The pre-stage circuit includes a p-channel MOSFET M1 and an n-channel MOSFET M2 that receive input signals at their gates. The output stage includes two NPN transistors Q1 and Q2 that are connected in series. The drain output of the p-channel MOSFET M1 is applied to the base of one of the transistors of the output stage, and the source output of the n-channel MOSFET M2 is applied to the base of the other of the transistors of the output stage. A third MOSFET M3 is coupled between a power supply and the p-channel MOSFET M1 and the n-channel MOSFET M2. When the MOSFET M3 is rendered non-conductive by a control signal EN, both MOSFETs M1 and M2 and both NPN transistors Q1 and Q2 become non-conductive irrespective of the signal of the input terminal IN. Under this condition, the output terminal OUT is in a floating state. Thus, the switching circuit is a tri-state circuit.

    摘要翻译： 开关电路包括耦合以接收输入信号的预级电路和输出级，其中可以从输出级的输出端OUT获得具有与输入端IN的信号相反的相位的输出信号 。 该前级电路包括在其栅极接收输入信号的p沟道MOSFET M1和n沟道MOSFET M2。 输出级包括串联连接的两个NPN晶体管Q1和Q2。 p沟道MOSFET M1的漏极输出被施加到输出级的一个晶体管的基极，并且n沟道MOSFET M2的源极输出被施加到输出的晶体管的另一个的基极 阶段。 第三个MOSFET M3耦合在电源和p沟道MOSFET M1和n沟道MOSFET M2之间。 当通过控制信号EN使MOSFET M3不导通时，无论输入端子IN的信号如何，MOSFET M1和M2以及两个NPN晶体管Q1和Q2都不导通。 在这种情况下，输出端子OUT处于浮置状态。 因此，开关电路是三态电路。

    High speed bi-comos switching circuit
    9.
    发明授权
    High speed bi-comos switching circuit 失效
    高速双电源开关电路

    公开(公告)号：US4694203A

    公开(公告)日：1987-09-15

    申请号：US716151

    申请日：1985-03-26

    申请人： Akira Uragami ,  Yukio Suzuki ,  Masahiro Iwamura ,  Ikuro Masuda

    发明人： Akira Uragami ,  Yukio Suzuki ,  Masahiro Iwamura ,  Ikuro Masuda

    IPC分类号： H03K19/08 ,  H03K17/04 ,  H03K17/0412 ,  H03K17/567 ,  H03K17/60 ,  H03K17/687 ,  H03K19/017 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/013

    CPC分类号： H03K17/04126 ,  H03K17/567 ,  H03K19/09448

    摘要： A bipolar/CMOS mixed type switching circuit comprising two npn-type bipolar transistors Q.sub.1, Q.sub.2 that are connected in the form of a totem pole in the output stage, a CMOS inverter and an NMOSFET M.sub.3 for driving these transistors in a complementary manner, and resistance means R for discharging the electric charge stored in the base of the transistor Q.sub.2. The threshold voltage of an NMOSFET M.sub.2 constituting the CMOS inverter in the absence of substrate effect is set to be substantially equal to the threshold voltage of the NMOSFET M.sub.3 in the absence of the substrate effect, and the channel conductance W.sub.N /L.sub.N of the NMOSFET M.sub.3 is so set that the threshold voltage V.sub.LT1 of the CMOS inverter and the practical threshold voltage V.sub.LT2 of the NMOSFET M.sub.3 will be nearly the same. Owing to the above structure, there is obtained a switching circuit which permits little through current to flow and which operates at high speeds.

    摘要翻译： 一种双极/ CMOS混合型开关电路，包括在输出级以图腾柱形式连接的两个npn型双极晶体管Q1，Q2，CMOS反相器和用于以互补方式驱动这些晶体管的NMOSFET M3;以及 用于对存储在晶体管Q2的基极中的电荷进行放电的电阻装置R. 在不存在衬底效应的情况下，构成CMOS反相器的NMOSFET M2的阈值电压被设置为在没有衬底效应的情况下基本上等于NMOSFET M3的阈值电压，并且NMOSFET M3的沟道电导WN / LN 被设置为使得CMOS反相器的阈值电压VLT1和NMOSFET M3的实际阈值电压VLT2将几乎相同。 由于上述结构，所以获得了允许很少的直流电流并且高速运行的开关电路。

    Semiconductor integrated circuit
    10.
    发明授权
    Semiconductor integrated circuit 失效
    半导体集成电路

    公开(公告)号：US5053644A

    公开(公告)日：1991-10-01

    申请号：US863721

    申请日：1986-05-16

    申请人： Manabu Shibata ,  Akira Uragami ,  Shinji Kadono ,  Yukio Suzuki

    发明人： Manabu Shibata ,  Akira Uragami ,  Shinji Kadono ,  Yukio Suzuki

    IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/118 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/173

    CPC分类号： H03K19/09448 ,  H03K19/173 ,  H03K19/1735

    摘要： A semiconductor integrated circuit is so designed that it is possible to form any one of the three different kinds of circuit configuration, that is, an inverter circuit, a Schmitt circuit and a common-mode circuit, as desired, by employing circuit elements prepared in advance and by changing wiring. Also disclosed is a semiconductor integrated circuit having these circuit configurations. The output stage of any one of the three kinds of circuit is constituted by a bipolar transistor, and the other portions are constituted by MOS field-effect transistors.

    摘要翻译： 半导体集成电路的设计使得可以根据需要通过采用制备的电路元件来形成三种不同种类的电路配置中的任何一种，即逆变器电路，施密特电路和共模电路 提前和改变接线。 还公开了具有这些电路结构的半导体集成电路。 三种电路中的任一种的输出级由双极晶体管构成，其它部分由MOS场效应晶体管构成。