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公开(公告)号：US4289842A
公开(公告)日：1981-09-15
申请号：US163470
申请日：1980-06-27
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/00 , C08F20/10 , C08F220/18 , C08F220/40 , G03F7/038 , G03C1/68
CPC分类号： G03F7/0388 , C08F220/18 , C08F220/40
摘要： Novel acrylate copolymer materials function as electron-beam resists with enhanced sensitivity and enhanced plasma etch resistance. The method of using such materials as an electron-beam resist is also described.
摘要翻译： 新型丙烯酸酯共聚物材料具有增强的灵敏度和增强的等离子体耐蚀刻性能的电子束抗蚀剂。 还描述了使用这种材料作为电子束抗蚀剂的方法。
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公开(公告)号：US5091047A
公开(公告)日：1992-02-25
申请号：US733473
申请日：1991-07-22
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/32134 , H01L21/0277 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , Y10S438/945
摘要： A bilayer mask is utilized for etching a primary layer, which may be either an aluminum metallization layer or a dielectric layer. The bilayer mask includes both a thin resist layer and a metal imaging layer. The thin resist layer provides for high resolution patterning of the metal imaging layer. The metal imaging layer, in turn, provides for durability to withstand subsequent plasma etching of the underlying primary layer.
摘要翻译： 使用双层掩模来蚀刻初级层，其可以是铝金属化层或电介质层。 双层掩模包括薄的抗蚀剂层和金属成像层。 薄的抗蚀剂层提供金属成像层的高分辨率图案化。 金属成像层又提供耐久性以承受下一层等离子体蚀刻。
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公开(公告)号：US5045150A
公开(公告)日：1991-09-03
申请号：US210211
申请日：1988-06-17
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/0277 , H01L21/31116 , H01L21/32134 , H01L21/32136
摘要： A bilayer mask is utilized for etching a primary layer, which may be either an aluminum metallization layer or a dielectric layer. The bilayer mask includes both a thin resist layer and a metal imaging layer. The thin resist layer provides for high resolution patterning of the metal imaging layer. The metal imaging layer, in turn, provides for durability to withstand subsequent plasma etching of the underlying primary layer.
摘要翻译： 使用双层掩模来蚀刻初级层，其可以是铝金属化层或电介质层。 双层掩模包括薄的抗蚀剂层和金属成像层。 薄的抗蚀剂层提供金属成像层的高分辨率图案化。 金属成像层又提供耐久性以承受下一层等离子体蚀刻。
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