公开(公告)号：WO02021567A1

公开(公告)日：2002-03-14

申请号：PCT/GB2001/003767

申请日：2001-08-22

IPC分类号： H05H1/46 ,  B01J19/08 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32605

摘要： A reaction chamber (12, 49) is adapted to be coupled to a source of microwave radiation. A pair of opposed field enhancing electrodes (18, 21; 62, 63) concentrate microwave energy so as to form plasma in a localised region between the electrodes. Gas passages are arranged for passing a gaseous medium into and out of the chamber so that the gaseous medium passes through the said localised region of plasma. The electrodes comprise electrically conducting tubes (18, 21; 62, 63) held in electrode holders (17, 19; 53, 54) located in the chamber wall, the electrode tubes being removable and replaceable from outside of the apparatus.

摘要翻译： 反应室（12,49）适于耦合到微波辐射源。 一对相对的场增强电极（18,21,62,63）集中微波能量，以在电极之间的局部区域中形成等离子体。 气体通道布置成使气体介质通入和流出室，使得气态介质通过所述等离子体的局部区域。 电极包括保持在位于室壁中的电极保持器（17,19; 53,54）中的导电管（18,21; 62,63），电极管可从设备的外部移除和更换。

公开(公告)号：WO01037312A1

公开(公告)日：2001-05-25

申请号：PCT/DE2000/003971

申请日：2000-11-10

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32192 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32366

摘要： The invention relates to a technical solution for treating and coating non-conductive, dielectric surfaces using plasmas excited by microwaves. According to said method a) the energy required for the formation of the plasma (4) is supplied in the form of modulated microwaves, produced by a microwave generator (15), to the hollow wave-guiding structure (1), which contains the object to be treated (2) and is closed on all sides to retain the microwaves b) the plasma (4) is ignited (3) using an ignition device (11) at a predetermined point which is spatially separate from the entry point (5) of the microwaves c) the flowing localised plasma (4) moves under its own momentum in the hollow wave-guiding structure (1) from the ignition point (3) over the surfaces to be treated in the direction of the entry point of the microwaves (5), a hollow space which is sufficient to allow the passage of plasma being provided above the surface to be treated in the treatment chamber (9) d) the plasma treatment is carried out in and above the atmospheric pressure range using an atmospheric composition supplied by a device (12), which is suitable for the plasma treatment e) the flow of plasma (4) is halted by a device (13), as soon as it has coated the surface to be treated.

摘要翻译： 本发明涉及的技术方案用于治疗和通过微波激发等离子体的非导电性，介电材料的表面上的涂层，其中a）（用于等离子体的形成，4）波导中空结构（1）的所需要的能量，其中，待处理的区域 制品（2）并且其在所有侧面微波技术上由微波发生器（15）通过调制微波的装置提供封闭，b）将点火（3）在预定位置的等离子体（4）的点火装置（11）的装置隔开的 进行微波馈送的（5），c）中的电流本身机车，局部化等离子体（4）的导波中空结构内移动（1）的点火位置（3）上，以在微波馈送的方向上处理的表面（5） 其中，为了在所述处理室（9），用于通过Plasmalaufausreichender空腔可治疗 是表面本，D）在大气压下的场的等离子体处理和作出关于适用于等离子体处理气氛组合物是通过一个装置（12）中，e）在当前等离子体的装置送入（4）（通过装置13）的形状 一旦越过待处理的表面被中断。

公开(公告)号：WO00014365A1

公开(公告)日：2000-03-16

申请号：PCT/US1999/020516

申请日：1999-09-08

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  E05B17/00 ,  E05B17/04 ,  E05B17/20 ,  E05B29/00 ,  H01J37/32 ,  E05B15/16

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  E05B17/0058 ,  E05B17/04 ,  E05B17/2092 ,  E05B29/00 ,  H01J37/32366 ,  Y10T70/7706 ,  Y10T70/7932 ,  Y10T70/7949

摘要： A free-wheeling lock assembly (10) includes a free-wheeling lock mechanism (12) which prevents damaging forces from being applied to the components of the lock assembly if the lock cylinder (20) is forcibly rotated by a key other than the proper key (14) or by some other instrument. A detent mechanism (26), which functions independent of spring bias, couples the sleeve (18) to the case (16) in the presence of the proper key (14) in the keyway. A clutch mechanism (28) couples the cylinder (20) to the driver (24), but decouples the driver (24) from the cylinder (20) for an over-torque condition. The cylinder lock assembly further includes a locking mechanism (30) which prevents operation of the latching mechanism (32) of the lock assembly if the cylinder (20) is slam-pulled from the case (16). The tumblers (22) are isolated from rotary motion of the tumbler ward.

摘要翻译： 自由锁定组件（10）包括一个续流锁定机构（12），该锁定机构（12）可以防止如果锁芯（20）被不正确的钥匙强制旋转，则锁定组件（20）被强制地旋转 钥匙（14）或其他乐器。 在键槽中存在适当的键（14）的情况下，独立于弹簧偏压起作用的止动机构（26）将套筒（18）耦合到壳体（16）。 离合器机构（28）将气缸（20）联接到驱动器（24），但是为了转矩过大而将驱动器（24）与气缸（20）分离。 气缸锁组件还包括锁定机构（30），如果气缸（20）从壳体（16）猛击，则该锁定机构（30）防止锁定组件的闩锁机构（32）的操作。 翻转开关（22）与转鼓区的旋转运动隔离。

公开(公告)号：WO2016195943A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/US2016/031889

申请日：2016-05-11

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： HA, Jin Man ,  KIM, Jae Jung ,  JEONG, Yong Kyun ,  PARK, Chung Hee ,  CHOI, Soo Young

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/042 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715

摘要： Embodiments of the disclosure include methods and apparatus for electrically grounding a shadow mask for use in a deposition chamber. In one embodiment, a substrate support is provided and includes a substrate receiving surface, and a plurality of compressible grounding devices disposed about a periphery of the substrate receiving surface. Each of the plurality of grounding devices comprises a base member fixed to the substrate support, and a biasing assembly movably disposed in the base member.

摘要翻译： 本公开的实施例包括用于电沉积用于沉积室中的荫罩的方法和装置。 在一个实施例中，提供了衬底支撑件并且包括衬底接收表面以及围绕衬底接收表面的周边设置的多个可压缩接地装置。 所述多个接地装置中的每一个包括固定到所述基板支撑件的基座构件和可移动地设置在所述基座构件中的偏压组件。

公开(公告)号：WO2016136255A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/JP2016/000989

申请日：2016-02-24

申请人： 株式会社アルバック

发明人： 浅川　慶一郎 ,  濱口　純一 ,  園田　和広 ,  沼田　幸展 ,  小風　豊

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C14/00 ,  C23C14/58 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01L21/76867 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/5826 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3476 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865

摘要： 　エッチング処理時に基板エッジ部に負電荷が集中することを防止することで、高アスペクト比のホール内面にカバレッジよく薄膜を成膜できる成膜装置を提供する。　ターゲット２１が配置される真空チャンバ１と、真空チャンバ内で基板Ｗを保持するステージ４と、ターゲットに所定の電力を投入する第１電源Ｅ１と、ステージに交流電力を投入する第２電療Ｅ２とを備え、第１電源によりターゲットに電力投入してターゲットをスパッタリングする成膜処理と、第２電源によりステージに交流電力を投入して基板に成膜された薄膜をエッチングするエッチング処理とを行い得る本発明の成膜装置ＳＭは、基板の周囲に防着板７ｃが配置され、ステージで保持される基板の成膜面側を上とし、基板に近接する防着板の部分７１が基板上面と同等の平面上に位置する成膜位置と、この防着板の部分が基板上面から上方に位置するエッチング位置との間でシールドを上下動する駆動手段８を備える。

摘要翻译： 本发明提供一种成膜装置，其能够防止蚀刻时的基板边缘的负电荷浓集，从而在具有优异的覆盖率的高纵横比孔的内表面上形成薄膜。 根据本发明的成膜装置SM包括：放置有靶21的真空室1; 在真空室中保持基板W的台架4; 向目标提供预定功率的第一电源E1; 以及向该台提供交流电力的第二电源E2，所述成膜装置能够通过使用所述第一电源对所述靶进行溅射以进行成膜以向所述靶提供电力，以及蚀刻蚀刻形成在所述靶上的薄膜 该基板通过使用第二电源向该台提供AC电力。 在成膜装置中，在基板的周围设置防粘接板7c，由台架保持的基板的成膜面侧为上侧，设有驱动装置8，其将屏蔽件上下移动 附着防止板的与基板相邻的部分71位于与基板的上表面齐平的平面上的成膜位置以及粘附防止板的一部分位于上方的蚀刻位置 基板的表面。

公开(公告)号：WO2015087326A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：PCT/IL2014/051079

申请日：2014-12-10

申请人： NOVA PLASMA LTD.

发明人： LAM, Amnon ,  HARHOL, Aviad ,  FUCHS, Eliezer ,  PORAT, Chen

IPC分类号： A61L27/00 ,  A61L2/14 ,  A01N1/00

CPC分类号： A61F2/0095 ,  A01N1/0263 ,  A01N1/0273 ,  A01N1/0294 ,  A61F2/12 ,  A61F2250/0043 ,  A61L2/14 ,  A61L27/04 ,  A61L27/12 ,  A61L27/24 ,  A61L2400/18 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/335

摘要： A portable container is provided for handling an implant. The portable container comprises a sealed compartment enclosing a fluid of a pre-defined composition and at least one implant configured to be installed in a live subject. The portable container may further comprise at least one electrode made of an electrical conductive material, electrically associated with an electric conductor outside the sealed compartment and configured for applying a plasma generating electric field inside the sealed compartment. An apparatus for plasma treatment of an implant and having an activation device is further provided. The activation device comprises a slot configured to receive a portable container, and an electrical circuit configured to be electrically associated with at least one electrode. The electrical circuit is configured to provide to the at least one electrode electric power suitable for applying a plasma generating electric field in the sealed compartment, when the portable container is disposed in the slot.

摘要翻译： 提供便携式容器用于处理植入物。 便携式容器包括封闭预定义组合物的流体的密封隔室和构造成安装在活体中的至少一个植入物。 便携式容器还可以包括至少一个由导电材料制成的电极，与密封室外部的电导体电连接并且被配置为在密封隔间内施加等离子体产生电场。 还提供了一种用于等离子体处理植入物并具有激活装置的装置。 激活装置包括被配置为接收便携式容器的狭槽和被配置为与至少一个电极电连接的电路。 所述电路被配置为当所述便携式容器设置在所述槽中时，向所述至少一个电极提供适合于在所述密封室中施加等离子体产生电场的电力。

公开(公告)号：WO2014185351A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/JP2014/062470

申请日：2014-05-09

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 北垣内　圭二 ,  小林　史弥 ,  戸村　幕樹

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

摘要： 　エッチング対象膜及びパターニングされたマスクを含む被処理体をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記マスクを用いて前記エッチング対象膜をプラズマエッチングする第１の工程と、前記第１の工程によってエッチングされた前記エッチング対象膜の側壁部の少なくとも一部に、シリコン含有ガスのプラズマによってシリコン含有膜を堆積させる第２の工程と、を有する、プラズマエッチング方法。

摘要翻译： 提供了一种等离子体蚀刻方法，用于等离子体蚀刻包括待蚀刻的膜和图案化掩模的被处理体。 等离子体蚀刻方法具有第一步骤，其中使用掩模等离子体蚀刻待蚀刻的膜，以及第二步骤，其中通过含有硅的气体的等离子体至少沉积含硅的膜 在第一步中被蚀刻的被蚀刻膜的一部分侧壁部分。

公开(公告)号：WO2013184000A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/NL2013/050404

申请日：2013-06-06

申请人： STICHTING MATERIALS INNOVATION INSTITUTE (M2I)

发明人： BEENAKKER, Cornelis Ignatius Maria ,  TANG, Jiaqi ,  SCHELEN, Johannes Bernardus Jozef

IPC分类号： H01J37/32 ,  G01N1/32 ,  H01L21/67

CPC分类号： G01N1/32 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32825 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67253 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/98 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20752

摘要： A plasma etcher device (1) and corresponding method for decapsulating (i.e. removal of encapsulation or package of) an electronic or semiconductor sample (46), by means of microwave resonance induced plasma jet (44) based etching. The plasma jet is generated in a microwave resonance cavity (6) and ejected towards the sample (46). The proposed device and method employ a liquid masking layer (58) on top of the sample (46), to confine the plasma jet (44) and improve the etching accuracy.

摘要翻译： 一种等离子体蚀刻装置（1）和用于通过基于微波共振等离子体喷射（44）的蚀刻来对电子或半导体样品（46）进行封装（即，去除封装或封装）的相应方法。 等离子体射流在微波共振空腔（6）中产生并朝向样品（46）喷射。 所提出的装置和方法在样品（46）的顶部上使用液体掩蔽层（58），以限制等离子体射流（44）并提高蚀刻精度。

公开(公告)号：WO2012154747A4

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/US2012036954

申请日：2012-05-08

申请人： LAM RES CORP ,  FANG TONG ,  KIM YUNSANG S ,  FISCHER ANDREAS

发明人： FANG TONG ,  KIM YUNSANG S ,  FISCHER ANDREAS

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02087 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32385 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32138

摘要： A method of bevel edge processing a semiconductor in a bevel plasma processing chamber in which the semiconductor substrate is supported on a semiconductor substrate support is provided. The method comprises evacuating the bevel etcher to a pressure of 3 to 100 Torr and maintaining RF voltage under a threshold value; flowing a process gas into the bevel plasma processing chamber; energizing the process gas into a plasma at a periphery of the semiconductor substrate; and bevel processing the semiconductor substrate with the plasma.

摘要翻译： 提供了一种在斜面等离子体处理室中对半导体进行斜面边缘处理的方法，其中半导体衬底支撑在半导体衬底支撑件上。 该方法包括将斜面蚀刻机抽空至3至100托的压力并将RF电压维持在阈值以下; 使处理气体流入斜面等离子体处理室; 在半导体衬底的周边处将处理气体激励成等离子体; 用等离子体对半导体衬底进行斜面加工。

公开(公告)号：WO2013029118A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：PCT/AU2012/001038

申请日：2012-08-31

申请人： UNIVERSITY OF SOUTH AUSTRALIA ,  AL-BATAINEH, Sameer ,  SZILI, Endre J ,  SHORT, Robert D

发明人： AL-BATAINEH, Sameer ,  SZILI, Endre J ,  SHORT, Robert D

IPC分类号： H01L21/3213 ,  C23C16/513 ,  H05H1/24

CPC分类号： B01J19/0046 ,  C12N5/0068 ,  G01N33/54306 ,  G01N33/54353 ,  H01J37/32366 ,  Y10T428/24802

摘要： A method of patterning a surface of a substrate comprising: (a) applying a coating to the surface to form a coated surface, and (b) treating the coated surface with a patterned microplasma comprising a plurality of localised microplasma discharges such that localised regions of the coated surface are selectively exposed to the localised microplasma discharges to form exposed localised regions and unexposed regions that have not been substantially exposed to a microplasma discharge; wherein the coating at the exposed localised regions is modified by the patterned microplasma and the coating at the unexposed regions is substantially unmodified to form a patterned surface on the substrate.

摘要翻译： 图案化衬底表面的方法，包括：（a）将涂层施加到表面以形成涂覆表面，和（b）用包含多个局部微量放电的图案化微质体处理涂覆的表面，使得局部区域 涂覆的表面选择性地暴露于局部微质体放电以形成暴露的局部区域和未暴露于微量放电的未暴露区域; 其中在曝光的局部区域处的涂层被图案化的微质体修饰，并且在未曝光区域处的涂层基本上未改性以在基底上形成图案化表面。