公开(公告)号：WO2016203899A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/JP2016/064926

申请日：2016-05-19

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  大石　良 ,  齋藤　和之 ,  宇野　智裕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01204

摘要： Ｃｕ合金芯材とその表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、高温におけるボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比（＝最大耐力／０．２％耐力）：１．１～１．６の両立を図る。　ワイヤ中に高温環境下における接続信頼性を付与する元素を含むことによって高温におけるボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が１５度以下である結晶方位＜１００＞の方位比率を３０％以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を０．９～１．５μｍとすることにより、耐力比を１．６以下とする。

摘要翻译： 本发明解决了如下问题：在1.1-1.6的耐压应力比（=最大抗力应力除以0.2％屈服应力）之间的平衡和在高温下的球接合部的接合可靠性的增加的问题 用于半导体器件的接合线，所述接合线具有形成在Cu合金芯的表面上的Cu合金芯和Pd涂层。 通过在线中包括在高温环境下赋予连接可靠性的元件，可以提高高温下的球接合部的接合可靠性。 在与芯线的垂直于接合线的线轴方向的截面相关的晶体取向的测量中发现的线的长度方向的晶体取向中，晶体取向的取向比例<100 >，相对于导线的长度方向角度差不超过15度，至少为30％。 通过在芯线的垂直于接合线的线轴的方向的横截面中获得0.9-1.5μm的平均晶粒尺寸，将证明应力比保持在或低于1.6。

公开(公告)号：WO2016193038A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/EP2016/061595

申请日：2016-05-23

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： STEGMEIER, Stefan ,  BAUEREGGER, Hubert ,  SOMMER, Volkmar

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/49 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D21/14 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4922 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/75 ,  H01L24/77 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37005 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/37166 ,  H01L2224/3719 ,  H01L2224/37211 ,  H01L2224/37224 ,  H01L2224/37239 ,  H01L2224/37244 ,  H01L2224/37247 ,  H01L2224/37255 ,  H01L2224/37266 ,  H01L2224/3729 ,  H01L2224/373 ,  H01L2224/37395 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/756 ,  H01L2224/75703 ,  H01L2224/776 ,  H01L2224/77703 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/834 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2224/83511 ,  H01L2224/83524 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83544 ,  H01L2224/83547 ,  H01L2224/83555 ,  H01L2224/83566 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/836 ,  H01L2224/83695 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/84007 ,  H01L2224/841 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/8492 ,  H01L2224/84951 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/424 ,  H01L2924/00012 ,  H05K3/4661 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014

摘要： Bei einem Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils (10) (z.B. eines Leistungsbauteils und/oder eines (Halbleiter)Bauteils mit mindestens einem Transistor, vorzugsweise einem IGBT (eng. insulated-gate bipolar transistor)) mit zumindest einem Kontakt (40, 50) wird an den zumindest einen Kontakt (40, 50) zumindest ein offenporiges Kontaktstück (60, 70) galvanisch (elektrochemisch oder außenstromfrei) angebunden. Damit wird ein Bauteilmodul gebildet. Der Kontakt (40, 50) ist vorzugsweise ein Flachteil bzw. weist eine Kontaktfläche auf, deren größte flächige Erstreckung größer ist als eine Erstreckung des Kontakts (40, 50) senkrecht zu dieser Kontaktfläche. Die Temperatur der galvanischen Anbindung beträgt höchstens 100 °C, vorzugsweise höchstens 60 °C, zweckmäßig höchstens 20 °C und idealerweise höchstens 5 °C und/oder weicht von der Betriebstemperatur des Bauteils um höchstens 50 °C, vorzugsweise um höchstens 20 °C, insbesondere um höchstens 10 °C und idealerweise um höchstens 5 °C, vorzugsweise höchstens 2 °C, ab. Das Bauteil (10) kann mittels des Kontaktstücks (60, 70) mit einem weiteren Bauteil, Stromleiter und/oder Substrat (90) kontaktiert werden. Vorzugsweise wird ein Bauteil (10) mit zwei Kontakten (40, 50) an einander abgewandten Seiten des Bauteils (10) herangezogen, wobei je Kontakt (40, 50) zumindest ein offenporiges Kontaktstück (60, 70) an dieser galvanisch angebunden wird.

摘要翻译： 在用于电组件（10）（例如，功率成分和/或具有至少一个晶体管，优选（一个IGBT窄。绝缘栅双极晶体管）一个（半导体）装置）与至少一个接触（40，50）接触的方法 到所述至少一个触点（40，50）的至少一个开孔的接触片（60，70）是电（电化学或无电镀免费）附接。 为了使部件模块被形成。 接触（40，50）优选地是平坦的部分或具有接触表面，最大的面积范围大于所述接触（40，50）垂直于延长所述接触表面。 电偶连接的温度为至多100℃，优选至多60℃，有利的是最多20℃，并且理想地不超过5℃和/或不超过50℃，从该部件的运行温度偏离优选最多20℃， 特别地至多10℃，并且理想地不大于5℃，优选至多2℃，从。 成分（10）可以通过所述接触件（60，70）到另一个部件，导体和/或底物（90）的联系方式。 优选地，具有两个触点（40，50）的部件（10）上的部件（10）的相对侧上，其中，每个接触件（40，50）的至少一个开孔的接触片（60，70）电连接到该使用。

公开(公告)号：WO2016189752A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/JP2015/066392

申请日：2015-06-05

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  宇野　智裕

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45609 ,  H01L2224/45618 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45678 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204

摘要： 表面にＰｄ被覆層を有するＣｕボンディングワイヤにおいて、高温高湿環境でのボール接合部の接合信頼性を改善し、車載用デバイスに好適なボンディングワイヤを提供する。Ｃｕ合金芯材とその表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ボンディングワイヤがＧａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅの１種以上の元素を合計で０．１～１００質量ｐｐｍ含有する。これにより、高温高湿環境下でのボール接合部の接合寿命を向上し、接合信頼性を改善することができる。Ｃｕ合金芯材がさらにＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔの１種以上をそれぞれ０．０１１～１．２質量％含有すると、１７０℃以上の高温環境でのボール接合部信頼性を向上できる。また、Ｐｄ被覆層の表面にさらにＡｕとＰｄを含む合金表皮層を形成するとウェッジ接合性が改善する。

摘要翻译： 提供一种在其表面上具有Pd涂层的Cu键合线，该接合线适用于车载装置，并且在高温高湿环境下，在球接头处具有改善的接合可靠性。 该半导体器件用接合线包括：Cu合金芯材; 以及在其表面上形成的Pd涂层。 接合线包括总量为0.1〜100质量ppm的Ga，Ge，As，Te，Sn，Sb，Bi和Se中的一种或多种元素。 因此，提高了高温高湿环境下球接头的接合寿命，提高了接合的可靠性。 当Cu合金芯材料还包含0.011至1.2质量％的Ni，Zn，Rh，In，Ir和Pt中的一种或多种时，可以提高在170℃或更高的高温环境中的球接头可靠性 。 此外，当在Pd涂层的表面上形成包括Au和Pd的合金表皮层时，楔形粘合性提高。

公开(公告)号：WO2016143687A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：PCT/JP2016/056727

申请日：2016-03-04

申请人： 三菱重工業株式会社

发明人： 加藤　昌浩 ,  原田　翔太 ,  諌山　武志 ,  藤枝　光輝

IPC分类号： H01L21/60 ,  B23K20/00

CPC分类号： H01L24/742 ,  B23K20/00 ,  B23K20/004 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/745 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/745 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81908 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 　第１部材と第２部材の接合方法は、第１部材に配置された第１電極（１４）上に第１のワイヤボンディングバンプ（１２）を形成する工程と、第２部材に配置された第２電極２４上に第２のワイヤボンディングバンプ（２２）を形成する工程と、第２のワイヤボンディングバンプの先端部を平坦化して、バンプ平坦面（２２１）を形成する工程と、第１のワイヤボンディングバンプの先端部（１２０）と、バンプ平坦面（２２１）とを互いに圧着する圧着工程とを具備する。

摘要翻译： 第一构件和第二构件的这种接合方法包括：在布置在第一构件上的第一电极（14）上形成第一引线接合凸块（12）的步骤; 在布置在第二构件上的第二电极24上形成第二引线接合凸块（22）的步骤; 通过使第二引线接合凸块的前端部变平，形成平坦的凸起表面（221）的步骤; 以及用于将第一引线接合凸块的前端部分（120）和平坦凸起表面（221）压接的压接步骤。

公开(公告)号：WO2016104121A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/JP2015/084271

申请日：2015-12-07

申请人： タツタ電線株式会社

发明人： 長谷川　剛 ,  サムスディン　ハズィク

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 　ＦＡＢ形成時の雰囲気ガスを窒素ガスとした場合でも良好な形状のＦＡＢを形成することができるとともに、ＦＡＢを電極に接触させ潰した時の形状を良好な円形とすることができる銅ボンディングワイヤを提供する。金の含有量が０．５質量％以上５．０質量％以下、硫黄の含有量が１質量ｐｐｍ以上１５質量ｐｐｍ以下であり、残部が銅及び不可避不純物からなるものとする。

摘要翻译： 提供一种铜接合线，即使在FAB形成期间即使使用氮气作为气氛气体也能够形成具有令人满意的形状的FAB，并且当与FAB形成接触时可以获得令人满意的FAB形状的圆形 电极粉碎。 本发明的金含量为0.5-5.0质量％，硫含量为1-15质量ppm，其余由铜和不可避免的杂质构成。

公开(公告)号：WO2016098707A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/JP2015/084823

申请日：2015-12-11

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 小山田　哲哉 ,  宇野　智裕 ,  小田　大造 ,  山田　隆

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/322 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/435 ,  H01L2224/437 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45605 ,  H01L2224/45609 ,  H01L2224/45611 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

摘要： 　Ｇａ，Ｉｎ及びＳｎの１種以上を総計で０．１～３．０ａｔ．％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる芯材と、前記芯材の表面に形成された、Ｐｄ及びＰｔの１種以上、又は、Ｐｄ及びＰｔの１種以上とＡｇ、を含み、残部が不可避不純物からなる被覆層とを備え、前記被覆層の厚さが０．００５～０．０７０μｍであることを特徴とする、メモリ用ボンディングワイヤに要求されるボール接合信頼性、ウェッジ接合性を同時に満足することができるボンディングワイヤを提供する。

摘要翻译： 提供一种接合线，其特征在于，包括：芯材，其包含总量为0.1〜3.0原子％的Ga，In和Sn中的至少一种，其余为Ag和不可避免的杂质; 以及形成在所述芯材的表面上并且包含Pd和Pt或Ag中的至少一种以及Pd和Pt中的至少一种的涂层，其余部分包含不可避免的杂质; 其中所述涂层的厚度为0.005-0.070μm。 接合线能够同时满足用于存储器的接合线所需的球接合可靠性和楔形粘合性。

公开(公告)号：WO2016073962A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/US2015/059629

申请日：2015-11-06

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

发明人： GUO, Honglin ,  TAYLOR, Tim, A. ,  WEST, Jeff, A. ,  JACKSON, Ricky, A. ,  WILLIAMS, Byron

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L51/05 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L21/02118 ,  H01G4/14 ,  H01G4/18 ,  H01G4/224 ,  H01G4/236 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L28/40 ,  H01L51/00 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099

摘要： In described examples, water molecule infiltration from water vapor in the ambient is effectively reduced by a moisture barrier (320) including a layer of aluminum oxide formed by an atomic layer deposition (ALD) process. A microelectronic device (300) includes a capacitor (306) with organic polymer material (314) in the capacitor dielectric (310) and a moisture barrier (320) with a layer of aluminum oxide formed by an ALD process.

摘要翻译： 在所述实施例中，通过包含由原子层沉积（ALD）工艺形成的氧化铝层的防潮层（320）有效地减少了水分子在环境中渗透的渗透。 微电子器件（300）包括在电容器电介质（310）中具有有机聚合物材料（314）的电容器（306）和具有由ALD工艺形成的氧化铝层的防潮层（320）。

公开(公告)号：WO2016016970A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/JP2014/070109

申请日：2014-07-30

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 安井　感 ,  鈴木　和弘 ,  平尾　高志 ,  山田　廉一

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48993 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 【課題】パワー半導体装置において、樹脂によるワイヤ接合部の被覆を、高い信頼性で、かつ容易に実現できるようにする。 【解決手段】ワイヤ（１３）が接続される表面電極（３１）を形成した半導体チップ（１２）と、ワイヤ（１３）と表面電極（３１）との接合部を被覆する第１の樹脂膜（４０）と、該表面電極の形成面の周縁部を被覆し、第１の樹脂膜に接するとともに第１の樹脂膜よりも膜厚の厚い第２の樹脂膜（３４）と、半導体チップ、第１の樹脂膜および第２の樹脂膜を覆うゲル状封止材（３６）とを設けた。

摘要翻译： [问题]在功率半导体器件中，为了能够以高可靠性和容易的方式涂覆与树脂的线接合的可能性。 [解决方案]提供如下：半导体芯片（12），其上形成有与电线（13）连接的表面电极（31）; 覆盖线（13）和表面电极（31）之间的接合部的第一树脂膜（40）; 第二树脂膜（34），其覆盖形成有所述表面电极的面的周缘，与所述第一树脂膜接触并且具有比所述第一树脂膜更薄的膜厚; 以及覆盖半导体芯片，第一树脂膜和第二树脂膜的凝胶密封材料（36）。

公开(公告)号：WO2015170738A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：PCT/JP2015/063293

申请日：2015-05-08

申请人： ローム株式会社

发明人： 生駒　和也

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/10 ,  B23K20/1205 ,  B23K20/129 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/78314 ,  H01L2224/78315 ,  H01L2224/78343 ,  H01L2224/7855 ,  H01L2224/78705 ,  H01L2224/78756 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85047 ,  H01L2224/85136 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85423 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/014

摘要： 　本発明のワイヤボンディング構造の製造方法は、Ｃｕよりなるワイヤを用意する工程と、前記ワイヤを、電子素子に形成された第１接合対象に接合する工程と、を備える。前記接合する工程の前には、前記ワイヤは、外周面および退避面を有している。前記退避面は、前記外周面から前記ワイヤの中心軸側に退避した面である。前記接合する工程においては、前記退避面を前記第１接合対象に対して押し付けた状態で、前記ワイヤに超音波振動を付加する。

摘要翻译： 这种线接合结构的制造方法具有：制作由Cu构成的线的工序; 以及将电线接合到要接合的第一被摄体的步骤，所述第一被摄体形成在电子元件上。 在接合步骤之前，电线具有外圆周表面和缩回表面。 缩回表面是从外圆周表面缩回到线的中心轴线侧的表面。 在接合步骤中，在缩回表面被按压到第一个被摄体的状态下，对电线施加超声波振动。

公开(公告)号：WO2015114857A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/JP2014/069077

申请日：2014-07-17

申请人： 株式会社ニッシン

发明人： 小谷　一哉 ,  本田　剛 ,  坂本　旭

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75266 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/82048 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/97 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/095 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 　本発明の接合方法では、ステップＳ３の予備加熱処理は、金属または金属酸化物の微粒子からなる導電性ペーストを介在させた半導体チップおよびフレームに対して予備加熱処理を行う。この予備加熱処理によって、当該接着剤からなる接合層と半導体チップおよびフレームとの界面でのボイドがなくなる。このステップＳ３の予備加熱処理の後で、ステップＳ４のプラズマ処理は、減圧下で半導体チップおよびフレームに対してプラズマ照射を断続的に行ってプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によって、当該接着剤からなる接合層内に存在する空隙が均一になる。ステップＳ４の予備加熱処理およびステップＳ５のプラズマ処理により接合層と被処理物との界面でのボイドがなくなるので接合能力が高くなる。また、プラズマ照射を断続的に行うので、プラズマ処理での処理温度を抑えることができる。

摘要翻译： 在该接合方法中，对于半导体芯片和框架进行步骤S3中的辅助加热处理，在该框架之间插入包含金属或金属氧化物的纳米颗粒的导电浆料。 作为辅助加热处理的结果，除去包括粘合剂的粘合层与半导体芯片和框架之间的界面中的空隙。 在步骤S3中的辅助加热处理之后，通过在减压下间歇地对半导体芯片和框架执行等离子体照射来执行步骤S4中的等离子体处理。 作为等离子体处理的结果，包含粘合剂的粘合层内存在的间隙变得均匀。 作为步骤S3中的辅助加热处理和步骤S4中的等离子体处理的结果，去除了结合层和处理物之间的界面的空隙，因此结合能力增加。 此外，间歇地进行等离子体照射，因此能够抑制等离子体处理的处理温度。